SK 海力士實(shí)現(xiàn)量產(chǎn) HBM2E 顯存：單顆 16GB、帶寬超 460GB/s

7月2日消息 據(jù)外媒 prnewswire 今日報(bào)道，SK 海力士宣布，其已能夠大規(guī)模批量生產(chǎn)新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。

IT之家了解到，去年 8 月 SK 海力士宣布成功研發(fā)出新一代 DRAM 內(nèi)存 / 顯存芯片 “HBM2E”。今日，海力士正式已成功量產(chǎn)這一代 HBM2E 存儲。

圖源 SK 海力士官網(wǎng)

官方稱其 HBM2E 擁有每 pin 3.6Gbps 的性能、每秒 460GB 以上的帶寬、 共 1024 個(gè) I / O（輸入 / 輸出）。HBM2E 通過 TSV（Through Silicon Via）硅穿孔技術(shù)垂直堆疊八顆 16Gb DRAM 芯片，容量達(dá)16GB，是上一代產(chǎn)品（HBM2）兩倍以上的容量。

值得一提的是，SK 海力士也是第一個(gè)研發(fā)出 HBM 存儲的廠商。首發(fā)于 2015 年的 AMD Radeon Fury 顯卡中。

海力士還表示，HBM2E 是適合深度學(xué)習(xí)加速器（deep learning accelerator）、高性能計(jì)算機(jī)等新一代人工智能（AI）系統(tǒng)的存儲器解決方案，將用于更多合作伙伴的產(chǎn)品。

注：

HBM：High Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存，相較傳統(tǒng) DRAM，借助 TSV 技術(shù)提升數(shù)據(jù)處理速度的高性能、高帶寬存儲器產(chǎn)品

TSV（Through Silicon Via）：硅打孔技術(shù)，通過在 DRAM 芯片打上數(shù)千個(gè)細(xì)微孔并通過垂直貫通的電極連接上下芯片的技術(shù)，可降低芯片功耗以及縮減芯片體積。

460GB/s 計(jì)算：以每 pin 3.6Gbps 的速度通過 1024 個(gè)數(shù)據(jù) I/O = 3686.4Gbps=460.8GB/s。