KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測(cè)系統(tǒng)

加利福尼亞州，米爾皮塔斯市，2020年7月20日/-今天KLA公司宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨(dú)特的檢測(cè)能力，能夠檢測(cè)出常規(guī)光學(xué)或其他電子束檢測(cè)平臺(tái)無法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲(chǔ)芯片的上市時(shí)間(包括那些依賴于極端紫外線(EUV)光刻技術(shù)的芯片)。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構(gòu)架，針對(duì)研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問題而開發(fā)出了多項(xiàng)突破性技術(shù)，可提供高分辨率，高速檢測(cè)功能，這是市場(chǎng)上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。

KLA電子束部門總經(jīng)理Amir Azordegan表示：“利用單一的高能量電子束，eSL10系統(tǒng)將電子束檢測(cè)性能提升到了一個(gè)新水平。在此之前，電子束檢測(cè)系統(tǒng)不能兼顧靈敏度和產(chǎn)能，嚴(yán)重限制了實(shí)際的應(yīng)用。我們優(yōu)秀的研發(fā)工程團(tuán)隊(duì)采用了全新的方法來設(shè)計(jì)電子束架構(gòu)以及算法，研制出的新系統(tǒng)可以解決現(xiàn)有設(shè)備無法解決的問題。目前，KLA將電子束檢測(cè)列入對(duì)制造尖端產(chǎn)品至關(guān)重要的設(shè)備清單?！?

圖：針對(duì)先進(jìn)的邏輯、DRAM和3D NAND器件，KLA革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢測(cè)系統(tǒng)利用獨(dú)特的技術(shù)發(fā)現(xiàn)甄別產(chǎn)品中的關(guān)鍵缺陷。

eSL10電子束檢測(cè)系統(tǒng)具有多項(xiàng)革命性技術(shù)，能夠彌補(bǔ)對(duì)關(guān)鍵缺陷檢測(cè)能力的差距。獨(dú)特的電子光學(xué)設(shè)計(jì)提供了在業(yè)界相對(duì)比較廣泛的操作運(yùn)行范圍，能夠捕獲各種不同制程層和器件類型中的缺陷。Yellowstone?掃描模式每次可以掃描收集100億像素的信息，支持高速運(yùn)行的同時(shí)不會(huì)影響分辨率，以在較大區(qū)域內(nèi)也能高效地研究潛在弱點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)缺陷發(fā)現(xiàn)。Simul-6?傳感器技術(shù)可以通過一次掃描同時(shí)收集表面、形貌、材料對(duì)比度和深溝槽信息，從而減少了在具有挑戰(zhàn)性的器件結(jié)構(gòu)和材料中識(shí)別不同缺陷類型所需的時(shí)間。憑借其先進(jìn)的人工智能(AI)系統(tǒng)，eSL10運(yùn)用了深度學(xué)習(xí)算法，能滿足IC制造商不斷發(fā)展的檢測(cè)要求，杜絕了對(duì)器件性能影響最關(guān)鍵的缺陷。

三維器件結(jié)構(gòu)，例如用于內(nèi)存應(yīng)用的3D NAND和DRAM，以及用于邏輯器件的FinFET和GAA(Gate-All-Around)結(jié)構(gòu)，都要求晶圓廠重新考慮傳統(tǒng)的缺陷控制策略。eSL10與KLA的旗艦39xx(“ Gen5”)和29xx(“ Gen4”)寬光譜晶圓缺陷檢測(cè)系統(tǒng)的結(jié)合，為先進(jìn)的IC技術(shù)提供了強(qiáng)大的缺陷發(fā)現(xiàn)和監(jiān)測(cè)解決方案。這些系統(tǒng)共同合作，提高了產(chǎn)品的良率和可靠性，將更快地發(fā)現(xiàn)關(guān)鍵缺陷，并能夠更快地解決從研發(fā)到生產(chǎn)的缺陷問題。

新推出的eSL10系統(tǒng)平臺(tái)具有獨(dú)特的擴(kuò)展性，可以延申到整個(gè)電子束檢測(cè)和量測(cè)應(yīng)用中。全球范圍內(nèi)先進(jìn)的邏輯器件、存儲(chǔ)器和制程設(shè)備制造商都在使用eSL10系統(tǒng)，利用該系統(tǒng)幫助研發(fā)生產(chǎn)過程，提升和監(jiān)測(cè)下一代產(chǎn)品制程和器件的制造。為了保持其高性能和生產(chǎn)力表現(xiàn)，eSL10系統(tǒng)擁有KLA全球綜合服務(wù)網(wǎng)絡(luò)的支持。更多關(guān)于全新電子束缺陷檢測(cè)系統(tǒng)的其他信息，請(qǐng)參見eSL10產(chǎn)品頁面。