Veeco與ALLOS共同展示200mm硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品

Veeco Instruments Inc． 與 ALLOS Semiconductors GmbH 8日宣布取得又一階段的合作成果，雙方共同努力，致力于為microLED生產(chǎn)應(yīng)用提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)。兩家公司最近合作的宗旨是，在為全球范圍內(nèi)多家杰出的消費(fèi)類電子產(chǎn)品公司生產(chǎn)外延片的同時(shí)，展示ALLOS 200 mm硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)在Veeco Propel? MOCVD反應(yīng)器上的可復(fù)制性。

“要將microLED技術(shù)轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)，僅依據(jù)單項(xiàng)指標(biāo)展示主導(dǎo)價(jià)值是不夠的。我們必須確保每種外延片的整套規(guī)格都具有出色的可重復(fù)性和收益，”Veeco Compound Semiconductor業(yè)務(wù)部門高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理Peo Hansson博士表示?！按舜纬晒β?lián)合再次肯定Veeco的優(yōu)秀MOCVD專業(yè)知識(shí)與ALLOS硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)強(qiáng)強(qiáng)結(jié)合，能夠?yàn)榭蛻籼峁┙?jīng)驗(yàn)證的、可靠的創(chuàng)新方案，加速推進(jìn)microLED應(yīng)用?！?/p>

作為標(biāo)準(zhǔn)，傳統(tǒng)LED技術(shù)通過分類和分級(jí)實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)一致性。但鑒于microLED尺寸小、數(shù)量多而無法分類和分級(jí)，因此，外延沉積的一致性變得更為重要。要使大批量生產(chǎn)microLED顯示器的承諾變成現(xiàn)實(shí)，最重要的成功要素在于實(shí)現(xiàn)極佳的發(fā)射波長(zhǎng)一致性，這樣就不需要進(jìn)行單獨(dú)的microLED芯片測(cè)試和分選。根據(jù)業(yè)內(nèi)目標(biāo)要求，外延片分級(jí)應(yīng)介于＋／－1 nm（下限）和 ＋／－4 nm（上限）之間，取決于應(yīng)用和傳質(zhì)方法。通過合作項(xiàng)目，Veeco和ALLOS通過標(biāo)準(zhǔn)偏差僅為0．85 nm的晶片進(jìn)一步改善至關(guān)重要的波長(zhǎng)一致性，這在生產(chǎn)系統(tǒng)方面屬于行業(yè)首例。

“Veeco和ALLOS對(duì)晶片之間的可復(fù)制性進(jìn)行了驗(yàn)證，所有晶片的平均波長(zhǎng)標(biāo)準(zhǔn)偏差為1．21 nm，且峰值波長(zhǎng)介于＋／－0．5 nm范圍內(nèi)。由此，我們朝著＋／－1 nm外延片分級(jí)的目標(biāo)又邁進(jìn)一大步，”ALLOS首席執(zhí)行官Burkhard Slischka表示?！拔覀兊募夹g(shù)已經(jīng)可以在直徑200 mm的晶片上使用，這樣就能使用低成本、高收益的硅系列進(jìn)行 microLED芯片生產(chǎn)。此外，我們對(duì)于300 mm晶片應(yīng)用已有清晰的發(fā)展藍(lán)圖?！?/p>

作為下一個(gè)重大技術(shù)轉(zhuǎn)變主題，microLED備受顯示器技術(shù)創(chuàng)新者的關(guān)注。據(jù)調(diào)研公司Yole Développement，到2025年，市售microLED顯示器數(shù)量可能達(dá)到3．3億臺(tái)。邊長(zhǎng)小于100μm的microLED技術(shù)被視作開發(fā)功耗更低的旗艦顯示器的重要驅(qū)動(dòng)因素，相關(guān)技術(shù)承諾助長(zhǎng)了這一樂觀情緒。但是，材料成本高、收益低以及microLED傳質(zhì)技術(shù)產(chǎn)量一直阻礙著此類顯示器的開發(fā)。此次技術(shù)聯(lián)合有效地解決了這些挑戰(zhàn)，Veeco和ALLOS將繼續(xù)與客戶合作，旨在進(jìn)一步改善硅基氮化鎵外延片和microLED傳質(zhì)技術(shù)。

2018年11月12日，兩家公司將攜手在日本金澤市召開的國(guó)際氮化物半導(dǎo)體工作研討會(huì)（IWN）上詳細(xì)展示他們的突破成就。