本文中，小編將對雷神記憶魔人RGB內(nèi)存的超頻性能予以測評，一起來了解下吧。
內(nèi)存超頻的結(jié)果受到很多因素影響，除了我們的主板、CPU，最重要的就是內(nèi)存顆粒。具體的知識可以去看我們的超能課堂進(jìn)行了解。雷神的這套記憶魔人Gaming 3200內(nèi)存條，據(jù)官方所說，采用了原廠挑選顆粒。而我們也把內(nèi)存條進(jìn)行了拆解，可以看到內(nèi)存條上原廠的信息已經(jīng)被磨掉，打上了官方的RamOnster標(biāo)簽，我們無從得知顆粒的詳細(xì)信息，不過可以從CPU-Z中看出來應(yīng)該采用的是三星顆粒。
接下來正式進(jìn)行超頻。我們將內(nèi)存電壓設(shè)置在1.4V，該電壓能夠在保證安全的前提下進(jìn)行一定的超頻(具體情況根據(jù)不同平臺和配置進(jìn)行調(diào)整)。我們先將頻率拉升到較為保守的3600Mhz并直接開機(jī)，機(jī)器并不能點(diǎn)亮。因此我們嘗試對參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，將時序降為22-22-22-49，成功點(diǎn)亮進(jìn)入系統(tǒng)。并且通過了RunMemtestPro 4.0的燒機(jī)測試。
在當(dāng)前的頻率和時序下，我們測試了AIDA64的內(nèi)存跑分，此時內(nèi)存的讀取速度進(jìn)一步提升至47040MB/S，寫入速度提升至51439MB/S，而復(fù)制速度為43514MB/S。延遲再下降2ns至50.6ns。
之后，我們還嘗試了更高的頻率，將內(nèi)存頻率拉升至3733MHz，并將電壓調(diào)整到1.45V，能正常進(jìn)系統(tǒng)，但此時時序也已經(jīng)來到了24-24-24-51.而在過高的時序下，即使是更高的頻率，意義也不大。因此我們暫且認(rèn)定我們手上這跟內(nèi)存條的穩(wěn)妥參數(shù)在電壓1.4V，內(nèi)存頻率3600，時序22-22-22-49(這可能是我們嘗試次數(shù)最少的一次內(nèi)存超頻了)，相比起官方的XMP的時序略有升高。但從測試的結(jié)果看得出來整體的性能還是有了較為顯著的提升。
以上便是小編此次想要和大家共同分享的內(nèi)容，如果你對本文內(nèi)容感到滿意，不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站喲。最后，十分感謝大家的閱讀，have a nice day!
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