合肥長(zhǎng)鑫有望成全球第四大DRAM廠 17nm內(nèi)存明年問(wèn)世

2019年在內(nèi)存及閃存領(lǐng)域國(guó)內(nèi)各有一個(gè)重大突破，長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)了64層3D閃存，合肥長(zhǎng)鑫則量產(chǎn)了DDR4內(nèi)存，后者今年有望成為全球第四大DRAM內(nèi)存芯片廠。

在DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)上，三星、SK海力士及美光三大公司占據(jù)了95%以上的份額，以最新的Q2季度為例，三星一家就占44%左右，SK海力士占比約為30%，美光在21%左右，留給其他廠商的空間非常小。

目前全球第四大內(nèi)存廠商是南亞科技，更早之前是華亞科，不過(guò)華亞科已經(jīng)被美光全資收購(gòu)了，第五位的南亞就晉升到了第四，但是份額占比約為3%而已，其產(chǎn)能不過(guò)7萬(wàn)片晶圓/月。

這也給了合肥長(zhǎng)鑫一個(gè)快速超越的機(jī)會(huì)，Digitime爆料稱今年底合肥長(zhǎng)鑫的產(chǎn)能就有可能超過(guò)7萬(wàn)片晶圓/月，這意味著他們有望超越南亞成為全球第四大DRAM芯片廠。

當(dāng)然，前面說(shuō)了，就算長(zhǎng)鑫真的做到了，這個(gè)第四其實(shí)跟前三的差距也非常大，TOP3廠商幾乎是贏家通吃，產(chǎn)能遠(yuǎn)高于其他公司。

目前長(zhǎng)鑫量產(chǎn)的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片主要還是19nm工藝的，相比三星等公司也要落伍2-3年時(shí)間，提升技術(shù)水平也是長(zhǎng)鑫的關(guān)鍵。

好消息是，長(zhǎng)鑫預(yù)計(jì)在2021年搞定17nm工藝內(nèi)存芯片，差不多相當(dāng)于業(yè)界的1Xnm工藝了，可以繼續(xù)提升內(nèi)存的存儲(chǔ)密度。

根據(jù)之前的官方信息，以長(zhǎng)鑫為代表的安徽半導(dǎo)體行業(yè)，在未來(lái)2-3年內(nèi)將推進(jìn)低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，要面向中高端移動(dòng)、平板及消費(fèi)類產(chǎn)品DRAM存儲(chǔ)芯片自主可控需求，研發(fā)先進(jìn)低功耗高速率LPDDR5 產(chǎn)品并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。

依托DRAM 17nm及以下工藝，攻關(guān)高速接口技術(shù)、Bank Group架構(gòu)設(shè)計(jì)技術(shù)、低功耗電源（電壓）技術(shù)、片內(nèi)糾錯(cuò)編碼（On-Die ECC）技術(shù)，完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。

根據(jù)資料，合肥長(zhǎng)鑫集成電路制造基地項(xiàng)目總投資超過(guò)2200億元，選址位于合肥空港經(jīng)濟(jì)示范區(qū)，占地面積約15.2平方公里，由長(zhǎng)鑫12吋存儲(chǔ)器晶圓制造基地（以下簡(jiǎn)稱“基地”）、空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園、空港國(guó)際小鎮(zhèn)三個(gè)片區(qū)組成。

其中，長(zhǎng)鑫12吋存儲(chǔ)器晶圓制造基地項(xiàng)目是中國(guó)大陸第一個(gè)投入量產(chǎn)的DRAM設(shè)計(jì)制造一體化項(xiàng)目，也是安徽省單體投資最大的工業(yè)項(xiàng)目，總投資約1500億元；空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園，位于基地以西，總投資超過(guò)200億元；合肥空港國(guó)際小鎮(zhèn)位于基地以北，規(guī)劃土地面積9.2平方公里，規(guī)劃總建筑面積420萬(wàn)平方米，總投資約500億元。