【2020年9月29日，德國慕尼黑訊】繼推出采用EconoDUAL?3和Easy封裝的TRENCHSTOP IGBT7技術之后，英飛凌科技股份公司近日又推出業(yè)界領先的、基于分立式封裝，即采用電壓為650 V的TO-247封裝的TRENCHSTOP IGBT7技術。全新TRENCHSTOP產(chǎn)品系列由20 A、30 A、40 A、50 A和75 A這些電流等級組成。它既能用于取代前代技術，也能與前代技術并行使用。該版本的IGBT7尤其適用于工業(yè)電機驅(qū)動、功率因數(shù)校正、光伏發(fā)電和不間斷電源等應用。
由于采用新型微溝槽技術，TRENCHSTOP IGBT7芯片的靜態(tài)損耗大大降低。在相同的電流等級下，TRENCHSTOP IGBT7芯片的通態(tài)電壓可以降低10%。這使得應用中的損耗大幅降低，尤其能使通常在中等開關頻率下運行的工業(yè)驅(qū)動的損耗大大降低。IGBT T7技術的飽和電壓(V CE(sat))很低，并帶有發(fā)射極控制的第七代(EC7)二極管，該二極管的正向壓降(V F)可減小150 mV，同時還能提高反向恢復軟度。
TRENCHSTOP IGBT7器件具有優(yōu)異的可控性和卓越的抗電磁干擾性能。它很容易通過調(diào)整來達到特定于應用的最佳dv/dt和開關損耗。650V TRENCHSTOP IGBT7擁有應用所需的抗短路能力。此外，它還通過了基于JEDEC標準的HV-H3TRB(高壓高濕高溫反偏)試驗，證明該器件在常見的工業(yè)應用的高濕環(huán)境中具有良好的耐用性。
供貨情況
650 V TRENCHSTOP IGBT7分立式器件現(xiàn)已接受訂購。
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