三星2021年度旗艦Galaxy S21+曝光：5nm工藝制程

近期爆料人士@Onleaks曝光了三星超大杯Galaxy S21 Ultra渲染圖，圖片顯示三星Galaxy S21 Ultra采用的是挖孔屏方案。規(guī)格方面，三星Galaxy S21系列會(huì)提供Exynos和驍龍雙版本，其中Exynos版本使用Exynos 2100芯片，驍龍版本使用高通驍龍875，二者都是5nm工藝制程。

無(wú)獨(dú)有偶，今天@i冰宇宙曝光了三星Galaxy S21+的概念渲染圖，它采用的也是挖孔屏方案。

盡管屏下攝像頭已經(jīng)量產(chǎn)商用，但是相比挖孔屏來(lái)說(shuō)，后者更加成熟穩(wěn)定。而且三星Galaxy S、Galaxy Note系列歷代都是手機(jī)屏幕的標(biāo)桿產(chǎn)品。

在屏幕顯示和屏占比兩者之間，三星優(yōu)先照顧屏幕顯示而不是屏占比，挖孔屏自然成為首選方案。

除此之外，三星Galaxy S21系列預(yù)計(jì)會(huì)配備16GB內(nèi)存，性能妥妥的第一梯隊(duì)。

除此之外，從三星Galaxy S21 Ultra的渲染圖來(lái)看，三星Galaxy S21系列背部似乎會(huì)延續(xù)上一代的矩陣相機(jī)造型。至于發(fā)布時(shí)間，傳聞Galaxy S21系列提前至1月份發(fā)布，2月份上市開賣。