值得了解的新型40Vn溝道MOSFET半橋功率級(jí)-SiZ240DT

人類社會(huì)的進(jìn)步離不開(kāi)社會(huì)上各行各業(yè)的努力，各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開(kāi)我們的設(shè)計(jì)者的努力，其實(shí)很多人并不會(huì)去了解電子產(chǎn)品的組成，比如集成式MOSFET。

節(jié)省空間的器件采用小型PowerPAIR®3x3S封裝，最大RDS(ON)導(dǎo)通電阻降至8.05m，Qg為6.5nC

MOSFET的原意是：MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)，F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管)，即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體(S)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

日前，VishayIntertechnology，Inc.(NYSE股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新型40Vn溝道MOSFET半橋功率級(jí)---SiZ240DT，可用來(lái)提高白色家電以及工業(yè)、醫(yī)療和通信應(yīng)用的功率密度和效率。VishaySiliconixSiZ240DT在小型PowerPAIR®3.3mmx3.3mm單體封裝中集成高邊和低邊MOSFET，導(dǎo)通電阻和導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)達(dá)到業(yè)界出色水平。

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),簡(jiǎn)稱功率MOSFET(Power MOSFET)。

SiZ240DT中的兩個(gè)TrenchFET®MOSFET內(nèi)部采用半橋配置連接。SiZ240DT的通道1MOSFET，通常用作同步降壓轉(zhuǎn)換器的控制開(kāi)關(guān)，10V時(shí)最大導(dǎo)通電阻為8.05mΩ，4.5V時(shí)為12.25mΩ。通道2MOSFET，通常用作同步開(kāi)關(guān)，10V時(shí)導(dǎo)通電阻為8.41mΩ，4.5V時(shí)為13.30mΩ。這些值比緊隨其后的競(jìng)品低16%。結(jié)合6.9nC(通道1)和6.5nC(通道2)低柵極電荷，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積FOM比位居第二的器件低14%，有助于提高快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用的效率。

結(jié)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管(Static Induction Transistor——SIT)。其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，需要的驅(qū)動(dòng)功率小，開(kāi)關(guān)速度快，工作頻率高，熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR， 但其電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過(guò)10kW的電力電子裝置。

集成式MOSFET采用無(wú)導(dǎo)線內(nèi)部結(jié)構(gòu)，最大限度降低寄生電感實(shí)現(xiàn)高頻開(kāi)關(guān)，從而減小磁器件和最終設(shè)計(jì)的尺寸。其優(yōu)化的Qgd/Qgs比降低噪聲，進(jìn)一步增強(qiáng)器件的開(kāi)關(guān)特性。SiZ240DT經(jīng)過(guò)100%Rg和UIS測(cè)試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素。

本文只能帶領(lǐng)大家對(duì)集成式MOSFET有了初步的了解，對(duì)大家入門(mén)會(huì)有一定的幫助，同時(shí)需要不斷總結(jié)，這樣才能提高專業(yè)技能，也歡迎大家來(lái)討論文章的一些知識(shí)點(diǎn)。