降低壓降并減小傳導損耗的30 V p溝道功率MOSFET---SiRA99DP

隨著全球多樣化的發(fā)展，我們的生活也在不斷變化著，包括我們接觸的各種各樣的電子產品，那么你一定不知道這些產品的一些組成，比如p溝道功率MOSFET。

日前，Vishay Intertechnology，Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，首度推出-30 V p溝道功率MOSFET---SiRA99DP，10 V條件下導通電阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET®第四代SiRA99DP導通電阻達到業(yè)內最低水平，采用熱增強型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8單體封裝，專門用來提高功率密度。

當用作門控整流器時，MOSFET是主開關晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應用的開關，本設計實例對P溝道和N溝道增強型MOSFET進行了比較。

日前發(fā)布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現(xiàn)更高功率密度。SiRA99DP超低柵極電荷僅為84 nC，柵極電荷與導通電阻乘積，即開關應用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù) (FOM) 為185 mW*nC，達到同類產品最佳水平。

由于具有較低的導通電阻(RDS(on))和較小尺寸，N溝道MOSFET在產品選擇上超過了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關。同步整流器應用幾乎總是使用N溝道技術，這主要是因為N溝道的RDS(on)小于P溝道的，并且通過在柵極上施加正電壓導通。

器件是輸入電壓12 V電路的理想選擇，適用于適配器、電池和通用電源開關、反向極性電池保護、 OR-ing功能，以及電信設備、服務器、工業(yè)PC和機器人的電機驅動控制。SiRA99DP減少并聯(lián)器件數(shù)量，換句話說，加大單個器件電流，從而提高功率密度，節(jié)省這些應用的主板空間。此外，作為p溝道MOSFET，器件不需要電荷泵提供n溝道器件所需的正向柵壓。

在研究設計過程中，一定會有這樣或著那樣的問題，這就需要我們的科研工作者在設計過程中不斷總結經驗，這樣才能促進產品的不斷革新。