值得了解的Texas Instruments （TI） 的LMG341xR050氮化鎵 （GaN） 功率級

人類社會的進(jìn)步離不開社會上各行各業(yè)的努力，各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開我們的設(shè)計者的努力，其實很多人并不會去了解電子產(chǎn)品的組成，比如氮化鎵 (GaN) 功率級。

專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics) 即日起開始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅(qū)動器和強(qiáng)大的保護(hù)功能，可讓設(shè)計人員在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的效率，適用于高密度工業(yè)和消費類電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。

AlGaN / GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)是開關(guān)功率晶體管的有希望的候選者，因為它們具有高的斷態(tài)擊穿強(qiáng)度以及導(dǎo)通狀態(tài)下的優(yōu)異溝道導(dǎo)電性。這些特征是GaN的特殊物理特性與其異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料AlGaN的組合。

貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開關(guān)節(jié)點振鈴，以及可將開關(guān)損耗降低多達(dá)80%的零反向恢復(fù)。此器件的集成式柵極驅(qū)動器支持100 V/ns開關(guān)，實現(xiàn)幾乎為零的VDs振鈴，其微調(diào)柵極偏置電壓可通過補(bǔ)償閾值變化確?？煽壳袚Q。此功率級集成了一系列獨特的功能，比如圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 結(jié)構(gòu)等密集高效拓?fù)?，讓設(shè)計人員能夠優(yōu)化電源性能并提高可靠性。

此外，由于GaN / AlGaN HEMT的電子傳輸特性，與具有相同額定電壓的Si功率器件相比，特定的導(dǎo)通電阻幾乎低兩個數(shù)量級。因此，GaN器件同時實現(xiàn)高擊穿電壓和高電流水平，并具有小的半導(dǎo)體區(qū)域。這另外轉(zhuǎn)化為高功率水平下的高開關(guān)頻率。

LMG341xR050 GaN功率級擁有強(qiáng)大的保護(hù)功能，不需要外部保護(hù)元件，即可提供過熱保護(hù)、瞬態(tài)電壓抗擾性，并且所有電源軌都具有欠壓鎖定 (UVLO) 保護(hù)。此外，LMG341xR050還可提供響應(yīng)時間低于100 ns的過流保護(hù)和高于150 V/ns的壓擺率抗擾性。

本文只能帶領(lǐng)大家對氮化鎵 (GaN) 功率級有了初步的了解，對大家入門會有一定的幫助，同時需要不斷總結(jié)，這樣才能提高專業(yè)技能，也歡迎大家來討論文章的一些知識點。