適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設備的開關電源的N溝道功率MOSFET

在生活中，你可能接觸過各種各樣的電子產(chǎn)品，那么你可能并不知道它的一些組成部分，比如它可能含有的N溝道功率MOSFET，那么接下來讓小編帶領大家一起學習N溝道功率MOSFET。

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，其“U-MOS X-H系列”產(chǎn)品線新增采用其最新一代工藝制造而成的80V N溝道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設備的開關電源。

NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導體，而擁有這種結構的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補MOS電路，即CMOS電路。

新增產(chǎn)品包括采用表面貼裝SOP Advance封裝的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封裝的“TPN19008QM”。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況(低端驅動)，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況(高端驅動)。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS。

由于采用了其最新一代的工藝制造技術，與當前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V產(chǎn)品相比，新款80V U-MOS X-H產(chǎn)品的漏源導通電阻降低了大約40%。通過優(yōu)化器件結構，漏源導通電阻與柵極電荷特性[1]之間的平衡也得到了進一步的改善[2]。因此，新產(chǎn)品可提供業(yè)界最低[3]功耗。

相信通過閱讀上面的內(nèi)容，大家對N溝道功率MOSFET有了初步的了解，同時也希望大家在學習過程中，做好總結，這樣才能不斷提升自己的設計水平。