太強(qiáng)了！長(zhǎng)江存儲(chǔ)打入華為供應(yīng)鏈

種種“摧殘”下的華為，不得不賣(mài)出自己的榮耀，試圖最后拯救榮耀這一子品牌。然而在國(guó)產(chǎn)化的大背景下，華為又迎來(lái)了重大的好消息

21ic家獲悉，日前，IC WORLD上長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)首席執(zhí)行官楊士寧表示，很多人反映很少看到國(guó)產(chǎn)內(nèi)存， 實(shí)際上華為Mate 40系列手機(jī)現(xiàn)在也使用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存。

他強(qiáng)調(diào)，與國(guó)際存儲(chǔ)大廠6年的路程相比， 長(zhǎng)江存儲(chǔ)僅用了短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了3D NAND的32層、64層、128層的跨越。

會(huì)議上， 他還展示了長(zhǎng)江存儲(chǔ) 先進(jìn)的Xtacking技術(shù)， 他表示目前只有帶有這個(gè)標(biāo)簽的終端產(chǎn)品才是真正的長(zhǎng)存國(guó)產(chǎn)芯片。 他表示，Xtacking生態(tài)聯(lián)盟于今年8月成立，目前已匯聚20多家廠商和100多款產(chǎn)品。

Xtacking是什么?

Xtacking?：創(chuàng)新架構(gòu)使3D NAND能擁有更快的I/O接口速度

采用Xtacking?，可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲(chǔ)單元同樣也將在另一片晶圓上被獨(dú)立加工。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking?技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過(guò)數(shù)十億根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯(lián)通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。

Xtacking?：創(chuàng)新架構(gòu)使3D NAND能擁有更高的存儲(chǔ)密度

傳統(tǒng)3D NAND架構(gòu)中，外圍電路約占芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲(chǔ)密度。隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會(huì)占到芯片整體面積的50%以上。Xtacking?技術(shù)將外圍電路置于存儲(chǔ)單元之上，從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度。

Xtacking?：模組化的工藝將提升研發(fā)效率并縮短生產(chǎn)周期

Xtacking?技術(shù)充分利用存儲(chǔ)單元和外圍電路的獨(dú)立加工優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)了并行的、模塊化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)及制造，產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間可縮短三個(gè)月，生產(chǎn)周期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產(chǎn)品的上市時(shí)間。此外，這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創(chuàng)新功能以實(shí)現(xiàn)NAND閃存的定制化提供了可能。

“長(zhǎng)江存儲(chǔ)是走在國(guó)際最前沿的，技術(shù)也是非常先進(jìn)的，以后可以委托給中芯國(guó)際” ，他如是說(shuō)。

搭載在華為Mate40系列手機(jī)的是SFS1.0閃存，容量上擁有128GB、256GB、512GB三種，實(shí)測(cè)持續(xù)讀取、寫(xiě)入速度分別達(dá)到了1966MB/s、1280MB/s。

通過(guò)測(cè)試，這個(gè)SFS1.0比UFS 3.1閃存還要快。此前手機(jī)閃存大多使用的是三星、海力士、美光等進(jìn)口產(chǎn)品。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)官方網(wǎng)站顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月，總部位于“江城”武漢，是一家專(zhuān)注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，同時(shí)也提供完整的存儲(chǔ)器解決方案。長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球合作伙伴供應(yīng)3D NAND閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲(chǔ)芯片以及消費(fèi)級(jí)、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)等產(chǎn)品和解決方案，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、消費(fèi)數(shù)碼、計(jì)算機(jī)、服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

2017年10月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)自主研發(fā)和國(guó)際合作相結(jié)合的方式，成功設(shè)計(jì)制造了中國(guó)首款3D NAND閃存。

2019年9月，搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主創(chuàng)新Xtacking?架構(gòu)的64層TLC 3D NAND閃存正式量產(chǎn)。

2020年4月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布128層TLC/QLC兩款產(chǎn)品研發(fā)成功，其中X2-6070型號(hào)作為業(yè)界首款128層QLC閃存，擁有業(yè)界最高的IO速度，最高的存儲(chǔ)密度和最高的單顆容量。

截至目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已在武漢、上海、北京等地設(shè)有研發(fā)中心，全球共有員工6000余人，其中資深研發(fā)工程師約2200人。通過(guò)不懈努力和技術(shù)創(chuàng)新，長(zhǎng)江存儲(chǔ)致力于成為全球領(lǐng)先的NAND閃存解決方案提供商。

21ic家注意到，長(zhǎng)江存儲(chǔ)日前在市場(chǎng)占有率越來(lái)越高，2020年第三季度數(shù)據(jù)顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已進(jìn)入全球第七。楊士寧更是表示，近三年長(zhǎng)江存儲(chǔ)每年增加10倍，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將借助Xtacking平臺(tái)，堅(jiān)持合作開(kāi)放，不斷深化國(guó)際國(guó)內(nèi)方面的合作。

Mate 40作為華為發(fā)布的最高端的產(chǎn)品系列，研發(fā)經(jīng)費(fèi)達(dá)到了37億，也是華為的匠心之作。 除了長(zhǎng)江存儲(chǔ)，這款手機(jī)還使用了京東方的國(guó)產(chǎn)OLED屏幕。

值得一提的，紫光集團(tuán)下紫光展銳也迎來(lái)好消息，紫光展銳執(zhí)行副總裁周晨，在近日接受采訪時(shí)表示， 自研6nm 5G芯片即將在明年量產(chǎn)。