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[導(dǎo)讀]同步BUCK降壓變化器是非常經(jīng)典的一種電源結(jié)構(gòu),其上、下管分別于工作在不同的狀態(tài),其中,上管工作在主開(kāi)關(guān)狀態(tài),漏極的電流由漏極D流向源極S;下管工作在同步整流狀態(tài),漏極的電流由源極S流向漏極D。因?yàn)樯稀⑾鹿芄ぷ鞯臓顟B(tài)不同,所以,它們的開(kāi)關(guān)特性也不相同。




同步BUCK降壓變化器是非常經(jīng)典的一種電源結(jié)構(gòu),其上、下管分別于工作在不同的狀態(tài),其中,上管工作在主開(kāi)關(guān)狀態(tài),漏極的電流由漏極D流向源極S;下管工作在同步整流狀態(tài),漏極的電流由源極S流向漏極D。因?yàn)樯?、下管工作的狀態(tài)不同,所以,它們的開(kāi)關(guān)特性也不相同。


通常,上管為硬開(kāi)關(guān)工作狀態(tài),具有導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗;管為軟開(kāi)關(guān)工作狀態(tài),只有導(dǎo)通損耗,但是由于下管的寄生二極管在死區(qū)時(shí)間內(nèi)會(huì)導(dǎo)通續(xù)流,因此,下管的寄生二極管在死區(qū)時(shí)間內(nèi)具有導(dǎo)通損耗,同時(shí)具有二級(jí)管的反向恢復(fù)損耗。

 

功率MOSFET的寄生參數(shù)模型如圖1所示,其中,G、D、S分別為封裝好的器件外部的柵極、漏極和源極,G1、S1分別為內(nèi)部器件的柵極、源極,LD為漏極的封裝電感,LS為源極的封裝電感,LG為柵極的封裝電感,RG為內(nèi)部的柵極電阻總和。


圖1:功率MOSFET的寄生參數(shù)模型


 

電感中流過(guò)變化的電流時(shí),其產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)會(huì)抑制這種電流的變化。如圖2左邊所示,電感中流過(guò)的電流從A到B隨時(shí)間變大,那么產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)會(huì)抑制電流從A到B的變大,感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)對(duì)應(yīng)的方向?yàn)椋荷险仑?fù)。同樣,若電感電流隨時(shí)間降低,感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)對(duì)應(yīng)的方向?yàn)椋荷?span style="color: rgb(0, 0, 0);">負(fù)。


圖2:電感的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)


源極的封裝電感LS同時(shí)在主功率回路和柵極的驅(qū)動(dòng)回路中,上、下管由于漏極的電流方向不同,那么,LS對(duì)于開(kāi)關(guān)特性的影響也不同,下面分別進(jìn)行分析。

 

1、上管源極寄生電感對(duì)開(kāi)關(guān)性能的影響

 

上管工作于主開(kāi)關(guān)狀態(tài),漏極的電流由漏極D流向源極S,上管在開(kāi)通的過(guò)程中,ID的電流從0開(kāi)始增加,LS的電流也是從0開(kāi)始增加,LS感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)VLS阻止其電流的增加,感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)VLS方向?yàn)椋荷险仑?fù)。


圖3:上管源極寄生電感的開(kāi)通特性及波形


VGS=VG1S1+VLS+VRG+VLG

其中,VGS:外加的G、S電壓;

VG1S1:內(nèi)部實(shí)際的G1、S1的電壓

VRG:柵極驅(qū)動(dòng)電阻的電壓;

VLG:柵極寄生電感的電壓。


VG1S=VG1S1+VLS

 

因此,最內(nèi)部VG1S1的電壓低于VG1S:VG1S1<VG1S,相當(dāng)于源極封裝電感LS的感應(yīng)電壓降低Ciss的充電速度,也就是降低上管的實(shí)際開(kāi)通速度,上管的開(kāi)通時(shí)間變長(zhǎng),實(shí)際開(kāi)通速度變慢,開(kāi)通損耗增大。


同樣,在關(guān)斷的過(guò)程中,在LS上的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)VLS的方向?yàn)椋荷县?fù)下正,內(nèi)部VG1S1的電壓高于VG1S:VG1S1>VGS,LS的感應(yīng)電壓導(dǎo)致上管的實(shí)際關(guān)斷速度變慢,關(guān)斷時(shí)間變長(zhǎng),關(guān)斷損耗增大。



圖4:上管源極寄生電感的關(guān)斷特性


 

2、下管源極寄生電感對(duì)開(kāi)關(guān)性能的影響

 

下管工作于同步狀態(tài),漏極的電流由源極S流向漏極D。上管關(guān)斷后,下管在開(kāi)通的過(guò)程中,ID的電流從0開(kāi)始增加流過(guò)寄生的二極管,LS的電流也是從0開(kāi)始增加,LS感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)VLS阻止其電流的增加,在LS上的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)VLS的方向?yàn)椋荷县?fù)下正。


VG1S=VG1S1-VLS



在LS的電流增加到輸出電流IO之前,開(kāi)通下管,最內(nèi)部VG1S1的電壓高于VG1S:VG1S1>VG1S,相當(dāng)于下管實(shí)際的開(kāi)通速度變快,開(kāi)通時(shí)間變短,寄生二極管導(dǎo)通時(shí)間變短,二極管導(dǎo)通損耗降低。只要在二極管增加到輸出電感電流IO之前,開(kāi)通下管,LS就有加速下管開(kāi)通的作用。



圖5:下管源極寄生電感的開(kāi)通特性



如果二極管電流增加到輸出電感電流IO之后、也就是二極管完全完成換流之后,再開(kāi)通下管,LS電流基本上保持不變,LS感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)VLS為0,LS對(duì)下管的開(kāi)通速度基本上沒(méi)有影響。

 

相應(yīng)的,下管在關(guān)斷的過(guò)程中,在死區(qū)時(shí)間內(nèi),電流從溝道轉(zhuǎn)移到寄生二級(jí)管,LS的電流維持不變,在這個(gè)時(shí)間段,對(duì)下管的關(guān)斷速度幾乎沒(méi)有影響。如果下管關(guān)斷的速度特別慢,在二極管的電流增加到等于輸出的電感電流之前,上管開(kāi)始開(kāi)通,上管電流增加,下管電流減小,這時(shí),下管的LS感應(yīng)電壓VLS上正下負(fù)壓,導(dǎo)致VG1S1的電壓突然降低,加速開(kāi)斷,從而減小上、下管的短路直通。


下管的LS感應(yīng)電壓VLS會(huì)隨著負(fù)載電流的變化而變化。上、下管同時(shí)開(kāi)通工作在短路直通狀態(tài),控制不好發(fā)生嚴(yán)重的短路直通,系統(tǒng)會(huì)有損壞的威脅,大多系統(tǒng)不會(huì)工作在這種方式。

 

實(shí)際的應(yīng)用,除了封裝電感LS,源極主功率回路的PCB的寄生電感LS-ex具有和LS同樣作用,影響開(kāi)關(guān)特性,因此,封裝電感LS和源極主功率回路的PCB的寄生電感LS-ex之和,統(tǒng)稱為:common source inductance。

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