美光發(fā)布1α DRAM 制程技術(shù)，引領(lǐng)DRAM技術(shù)革新
剛在前不久發(fā)布了業(yè)界領(lǐng)先的176層NAND產(chǎn)品，美光近日又宣布推出1α DRAM 制程技術(shù)，這兩項(xiàng)領(lǐng)先的技術(shù)革新引領(lǐng)內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品走向了更高性能水準(zhǔn)。不僅僅技術(shù)領(lǐng)先，美光在2020年的業(yè)績(jī)也同樣實(shí)現(xiàn)了超預(yù)期的增長(zhǎng)。在近日的美光2021線上媒體溝通會(huì)上，美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官 Sumit Sadana 先生針對(duì)美光最近推出的新技術(shù)，美光2020年的整體業(yè)績(jī)狀況，以及對(duì)內(nèi)存和存儲(chǔ)市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀進(jìn)行了精彩的分享。
內(nèi)存和存儲(chǔ)領(lǐng)域仍將保持高速增長(zhǎng)勢(shì)頭
從預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)來看2021年的全球GDP增長(zhǎng)將達(dá)到約5%，而半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的增長(zhǎng)預(yù)計(jì)可以達(dá)到12%，而在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中內(nèi)存和儲(chǔ)存技術(shù)這一領(lǐng)域增長(zhǎng)可達(dá)到19%?？焖僭鲩L(zhǎng)勢(shì)頭背后推動(dòng)力是內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品的旺盛市場(chǎng)需求，據(jù)Sumit先生分享，在2020年疫情初期雖然智能手機(jī)和汽車等需求有所下降，但后期這些需求實(shí)現(xiàn)了大幅度復(fù)蘇，當(dāng)前在半導(dǎo)體設(shè)備、汽車和PC等客戶這邊都有非常強(qiáng)勁的需求。
據(jù)Sumit分享，目前已經(jīng)有多個(gè)成長(zhǎng)動(dòng)能因素交織在一起：汽車業(yè)需求逐步反彈，5G手機(jī)數(shù)量今年將實(shí)現(xiàn)翻倍增長(zhǎng)，疫情帶來的線上業(yè)務(wù)增多同樣也發(fā)揮巨大推動(dòng)作用。旺盛的內(nèi)存和存儲(chǔ)市場(chǎng)需求對(duì)于制造商的生產(chǎn)能力也提出了更高的要求，而這一部分的壓力主要是集中在DRAM這邊。據(jù)Sumit先生觀察，在當(dāng)前第一季度已經(jīng)可以看到某些DRAM產(chǎn)品的價(jià)格有所上漲，并且隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇這種供給緊俏的現(xiàn)象還會(huì)持續(xù)下去。而在NAND端目前雖然市場(chǎng)供應(yīng)充足，隨著價(jià)格浮動(dòng)市場(chǎng)會(huì)自行進(jìn)行調(diào)節(jié)，在年底有望達(dá)到產(chǎn)能穩(wěn)定。
為了給客戶提供穩(wěn)定可靠的貨源供應(yīng)，美光一方面會(huì)投資擴(kuò)充自己的內(nèi)部封測(cè)設(shè)備和產(chǎn)線，提高自己的產(chǎn)線生產(chǎn)能力。另一方面，美光將會(huì)更緊密地與客戶進(jìn)行需求溝通，提前進(jìn)行產(chǎn)能規(guī)劃。
同時(shí)實(shí)現(xiàn)DRAM和NAND技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)先
在此次媒體會(huì)上，美光發(fā)布了其最新的1α DRAM 制程技術(shù)，這代表著業(yè)界DRAM技術(shù)的最高水平。對(duì)于美光上一代1z DRAM 制程，1α 技術(shù)將內(nèi)存密度提升了 40%。采用該制程技術(shù)的LPDDR5產(chǎn)品將在實(shí)現(xiàn)更高性能同時(shí)達(dá)到更好的功耗表現(xiàn)，為一共行業(yè)提供15%節(jié)能的DRAM平臺(tái)，幫助5G手機(jī)實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)續(xù)航表現(xiàn)。1α 工藝制程提供了從8Gb～16Gb的密度，DDR4和LPDDR4產(chǎn)品也可以使用該新工藝來生產(chǎn)。所以針對(duì)有著存量市場(chǎng)的客戶而言，可以采用更低成本實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)性能提升，例如數(shù)據(jù)中心等。
在NAND方面，前不久發(fā)布的176層NAND產(chǎn)品則標(biāo)志著美光在NAND方面達(dá)到了技術(shù)領(lǐng)先的水平。據(jù)Sumit先生介紹，176層3D NAND技術(shù)結(jié)合了美光第二代的替換柵極、電荷捕獲以及美光的 CMOS 陣列下 (CMOS-under-array, CuA) 架構(gòu)，遠(yuǎn)超部分競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。此外，美光的NAND也可以在一個(gè)單元上存儲(chǔ)4個(gè)bit數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)QLC的NAND產(chǎn)品，上一季有近半數(shù)的SSD客戶都是使用最該新的QLC NAND技術(shù)。
憑借在在NAND和DRAM上的技術(shù)革新，Sumit表示美光在超過40年的歷史當(dāng)中，首次在DRAM技術(shù)和NAND的技術(shù)上同時(shí)實(shí)現(xiàn)了領(lǐng)先。而且我們可以看到，美光針對(duì)后續(xù)的技術(shù)升級(jí)路線圖也有著明確的規(guī)劃和布局，這種領(lǐng)先勢(shì)頭仍將繼續(xù)保持下去。
從美光科技最新公布的財(cái)報(bào)信息來看，在截至去年12月3日的2021財(cái)年第一財(cái)季，美光科技營(yíng)收較上一財(cái)年同期增12.23%。而隨著2021年全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇、5G手機(jī)普及以及中國(guó)雙循環(huán)和新基建的開啟，美光在2021年的有著強(qiáng)勁的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)。在2021年作為NAND和DRAM技術(shù)先驅(qū)者的美光又將給我們帶來哪些突破性的技術(shù)革新，讓我們拭目以待。
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