在下述的內容中，小編將會對元素半導體、化合物半導體、本征半導體的相關消息予以報道，如果半導體是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
一、元素半導體介紹
元素半導體(element semiconductor)是由同種元素組成的具有半導體特性的固體材料，即電阻率約為10-5～107Ω·cm，微量雜質和外界條件變化都會顯著改變其導電性能的固體材料。周期表中，金屬和非金屬元素之間有十二種具有半導體性質的元素，硼(B)、金剛石(C)、硅(Si)、鍺(Ge)、灰-錫(Sn)、磷(P)、灰-砷(As)、黑-銻(Sb)、硫(S)、硒(Se)、碲(Te)、碘(I)。
硅在半導體工業(yè)中獲得最廣泛的應用，這在很大程度上得益于二氧化硅的特殊性質。首先，二氧化硅薄膜層能夠有效地掩蔽大多數重要的受主和施主雜質的擴散，從而為器件制造工藝中的選擇擴散提供了最理想的掩膜，使器件的集合圖形可以得到精確的控制;其次，有氧化膜的硅表面比自由表面有更好的電特性，因而硅器件比較容易解決表面的鈍化問題，容易使器件特性獲得良好的重復性和穩(wěn)定性;此外，由于二氧化硅是一種性能很穩(wěn)定的絕緣體，將它夾在硅與金屬之間構成的金屬一氧化物一半導體結構。是MOS型場效應晶體管的基礎，這是一種只利用多數載流子工作的單極性器件。由于化合物半導體材料的氧化物在性質上都存在著一些尚難克服的短處，硅MOSFET是目前唯一能夠普遍應用的MOS器件。
二、化合物半導體介紹
在看完什么是元素半導體之后，我們再來看看化合物半導體是什么?
通常所說的化合物半導體多指晶態(tài)無機化合物半導體，即是指由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物，并具有確定的禁帶寬度和能帶結構等半導體性質。包括晶態(tài)無機化合物(如III-V族、II-VI族化合物半導體)及其固溶體、非晶態(tài)無機化合物(如玻璃半導體)、有機化合物(如有機半導體)和氧化物半導體等。通常所說的化合物半導體多指晶態(tài)無機化合物半導體。主要是二元化合物如：砷化鎵、磷化銦、硫化鎘、碲化鉍、氧化亞銅等，其次是二元和多元化合物，如鎵鋁砷、銦鎵砷磷、磷砷化鎵、硒銦化銅及某些稀土化合物(如SeN、YN、La2S3等)。多采用布里奇曼法(由熔體生長單晶的一種方法)、液封直拉法、垂直梯度凝固法制備化合物半導體單晶，用外延法、化學氣相沉積法等制備它們的薄膜和超薄層微結構化合物材料。用于制備光電子器件、超高速微電子器件和微波器件等方面。
三、本征半導體介紹
在看完什么是化合物半導體之后，我們再來看看本征半導體是什么?
純凈的半導體稱為本征半導體，在本征半導體中,自由電子和空穴總是成對出現的,稱為電子-空穴對。因此自由電子和空穴兩種載流子的濃度是相等的。由于物質運動,半導體中的電子-空穴對不斷產生,同時也不斷會有電子填補空穴,使電子-空穴對消失,達到動態(tài)平衡時會有確定的電子-空穴對濃度。常溫下,載流子很少,導電能力很弱。當溫度升高或光照增強時,激發(fā)出的電子-空穴對數目增加,半導體的導電性能將增強。利用本征半導體的這種特性,可以制成熱敏器件和光敏器件,例如熱敏電阻和光敏電阻等,其阻值可以隨溫度的高低和光照射的強弱而變化。
以上就是小編這次想要和大家分享的有關元素半導體、化合物半導體、本征半導體的內容，希望大家對本次分享的內容已經具有一定的了解。如果您想要看不同類別的文章，可以在網頁頂部選擇相應的頻道哦。
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