提到芯片，就不得不說光刻機，因為光刻機是制造芯片的必要設(shè)備，沒有光刻機，芯片制造就從無談起。都知道，臺積電是全球芯片制造技術(shù)最先進(jìn)的廠商，拿下了全球超過50%的芯片訂單，而臺積電之所領(lǐng)先，很大一部分原因就是因為其安裝了大量先進(jìn)的EUV光刻機。據(jù)悉，EUV光刻機是全球頂尖技術(shù)的集合體，其零部件超過10萬多個，像美國的光源技術(shù)、德國徠卡的鏡片等等，雖然是ASML研發(fā)生產(chǎn)的，但90%的零部件都依賴進(jìn)口。
由于眾所周知的原因，特別是由于西方的禁運，中國芯片制造業(yè)無法得到EUV設(shè)備。但是全球能使用EUV的邏輯工藝制程制造商少之又少，中國大陸地區(qū)沒有僅只有三家，分別是臺積電、三星及英特爾。根據(jù)CounterpointResearch的調(diào)查，到2022年底，英特爾將只能得到20臺ASML的EUV設(shè)備，遠(yuǎn)低于臺積電可能的90臺，以及三星的45~50臺。那美沒有光刻機的中國大陸該何去何從呢。中國芯片制造業(yè)有進(jìn)步，然后差距大是客觀的現(xiàn)實。就全球代工業(yè)看，臺積電是一馬當(dāng)先，無人可及。現(xiàn)階段它不可能是我們的對標(biāo)。相比設(shè)計及封裝業(yè)，中國芯片制造業(yè)是最弱，主要體現(xiàn)在與全球先進(jìn)制造工藝水平差距大，及設(shè)備與材料等大部分依賴進(jìn)口，在成熟制程段，無論工藝，或者產(chǎn)品都缺少“佼佼者”，另外在西方打壓下，尤其是不確定性，給產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來不小的心理壓力。
臺積電在光刻機的技術(shù)上處于領(lǐng)先地位。2月19日，臺積電董事長劉德音在2021國際固態(tài)電路會議上透露出了一個重要信號：臺積電已經(jīng)突破了EUV光源技術(shù)，功率最高可以達(dá)到350W，除了可以用于生產(chǎn)5nm和3nm芯片之外，甚至還能滿足更先進(jìn)的1nm芯片的生產(chǎn)條件。由此可見，臺積電對EUV光刻機的研發(fā)取得了巨大的進(jìn)展，如果它真的有意自主生產(chǎn)光刻機，那么以后就不用再看ASML公司的臉色了。而且EUV光源技術(shù)是光刻機中最難掌握的部分，臺積電能夠攻克進(jìn)一步證明了自己的強大實力。三星電子近期活動也不斷。將極紫外（EUV）光刻技術(shù)應(yīng)用在基于1z-nm工藝的DRAM上，并且完成了量產(chǎn)。半導(dǎo)體分析機構(gòu)TechInsights拆解了分別采用EUV光刻技術(shù)和ArF-i光刻技術(shù)的三星1z-nm工藝DRAM，它認(rèn)為該技術(shù)提升了三星的生產(chǎn)效率，并減小了DRAM的核心尺寸。TechInsights還將三星的與美光的1z-nm工藝DRAM進(jìn)行了對比，三星的DRAM在芯片超單元尺寸（Cell Size）方面同樣較小。
中國最好的中芯國際，雖能夠量產(chǎn)14nm芯片，但良品率卻難以保證，也全球最先進(jìn)的臺積電和三星依然有不小的差距。正是認(rèn)識到了這個不足，中芯國際邀請到了技術(shù)大拿蔣尚義的加盟，一方面為了促成與ASML有關(guān)EUV光刻機的購買協(xié)議；另一方面，則是通過自研來縮小與臺積電和三星的技術(shù)差距。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，中芯國際通過轉(zhuǎn)換封裝技術(shù)，使用相對低端的DUV光刻機，實現(xiàn)了7nm芯片的制造，至于最高端的5nm芯片，也已在研發(fā)之中。
但是，EUV光刻機是中芯國際攻克5nm，必不可少的關(guān)鍵設(shè)備。目前，ASML已對可生產(chǎn)7nm芯片的DUV光刻機松口，但對于EUV光刻機卻絲毫沒有回旋的余地。EUV光刻機短缺，仍是擋在中國芯片路上的巨大攔路石。光刻機研制難度高，是半導(dǎo)體皇冠上的明珠。雖然國內(nèi)制造商中芯國際已完全訂購了一臺 EUV 光刻機，但由于美國的緣故，ASML 從未發(fā)貨過 EUV 光刻機。2020 年末，蔣尚義重返中芯國際，中芯國際也發(fā)布消息稱，江尚義的回歸將促進(jìn)中芯國際與 ASML 的談判，從而加快 EUV 光刻機的到來。事實上，EUV 光刻機能否到達(dá)，這是許多國內(nèi)用戶關(guān)注的問題，因為在 EUV 光刻機問世后，國內(nèi)制造商不僅可以提高芯片的良好成品率，還可以實現(xiàn) 7nm、5nm 等芯片的獨立生產(chǎn)。
總之，中國光刻機已看見曙光，接下來還要拭目以待。
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