加碼碳化硅賽道,斯達(dá)半導(dǎo)體定增募資35億元
3月3日,嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡稱“斯達(dá)半導(dǎo)體”)發(fā)布2021年度非公開發(fā)行A股股票預(yù)案。公告中披露本次非公開發(fā)行股票募集資金總額不超過35億元,主要投向高壓特色工藝功率芯片和 SiC 芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目,以及功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動化改造項目,同時補(bǔ)充公司流動資金。
第三代半導(dǎo)體具備高頻、高效、高功率、 耐高溫高壓等特點,契合節(jié)能減排、智能制造等國家重大戰(zhàn)略需求,已成為全球半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)新的競爭焦點。國家先后印發(fā)鼓勵性、支持性政策,推動支持 SiC 等第三代半導(dǎo)體材料的制造及應(yīng)用技術(shù)突破。
SiC 功率器件可以降低損耗,減小模塊體積重量,隨著新能源汽車市場迅速發(fā)展,SiC 功率器件在高端新能源汽車控制器中大批量應(yīng)用。根據(jù) IHS 數(shù)據(jù),預(yù)計到 2027 年碳化硅功率器件的市場規(guī)模將超過 100 億美元。
而SiC也是此次斯達(dá)半導(dǎo)體募資的重點,繼三個月前斯達(dá)半導(dǎo)體擬2.29億元投建全碳化硅功率模組產(chǎn)業(yè)化項目后,再豪擲20億加碼SiC項目。
本次斯達(dá)半導(dǎo)體為其高壓特色工藝功率芯片和 SiC 芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目,募資20億。項目計劃建設(shè)周期為3年,可助力其實現(xiàn)高壓特色工藝功率芯片和 SiC 芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。達(dá)產(chǎn)后,預(yù)計將形成年產(chǎn) 36 萬片功率半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)能力。
發(fā)行完成后,斯達(dá)半導(dǎo)體的主營業(yè)務(wù)范圍保持不變,注冊資本發(fā)生變化,發(fā)行后沈華、胡畏夫婦合計控制公司股份的比例將由 44.54%下降至 40.49%,仍為公司實際控制人。
斯達(dá)半導(dǎo)體稱,SiC方面,本次募資將有助于公司把握新能源汽車快速發(fā)展的市場機(jī)遇,滿足市場需求;豐富產(chǎn)品線,實現(xiàn)智能電網(wǎng)和軌道交通行業(yè)高壓功率器件的國產(chǎn)化替代。
功率半導(dǎo)體方面,有助于其緊追功率半導(dǎo)體市場快速發(fā)展機(jī)遇,滿足市場需求;提升企業(yè)質(zhì)量管控能力,進(jìn)一步提高公司產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定性;進(jìn)一步提升企業(yè)對下游市場的供貨保障能力,提高客戶供應(yīng)鏈安 全性,提升企業(yè)競爭力。
本次發(fā)行完成后,公司資產(chǎn)總額與凈資產(chǎn)額將同時增加,資金實力將大幅增強(qiáng)。
來源:化合物半導(dǎo)體市場
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