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[導(dǎo)讀]近年來,諧振變換器的熱度越來越高,被廣泛用于計算機服務(wù)器、電信設(shè)備、燈具和消費電子等各種應(yīng)用場景。

近年來,諧振變換器的熱度越來越高,被廣泛用于計算機服務(wù)器、電信設(shè)備、燈具和消費電子等各種應(yīng)用場景。諧振變換器可以很容易地實現(xiàn)高能效,其固有的較寬的軟開關(guān)范圍很容易實現(xiàn)高頻開關(guān),這是一個關(guān)鍵的吸引人的特性。本文著重介紹一個以半橋LCC諧振變換數(shù)字控制和同步整流為特性的300W電源。

圖1所示的STEVAL-LLL009V1是一個數(shù)控300W電源。原邊組件包括PFC級和DC-DC功率級(半橋LCC諧振變換器),副邊組件包括同步整流電路和STM32F334微控制器,其中STM32F334微控制器對DC-DC功率級(半橋LCC諧振變換器)和輸出同步整流進行數(shù)字控制,而功率因數(shù)校正(PFC)級基于L6562ATD臨界模式PFC控制器。

評估套件的工作模式可以按照需要設(shè)為恒定電壓(CV)模式或恒定電流(CC)。 板載快速保護電路提供所有的必備的保護功能,并且具有很高的可靠性。在270-480V交流輸入和整個負載范圍內(nèi),對評估套件進行了性能測評,試驗結(jié)果證明,電能質(zhì)量參數(shù)在IEC 61000-3-2通用交流電源諧波標(biāo)準(zhǔn)的可接受范圍內(nèi)。

前言

本文提出的解決方案采用數(shù)字變換控制方法,而不是基于模擬IC的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計。數(shù)控方法的主要優(yōu)點是設(shè)置靈活,可以在任何給定條件下即時調(diào)整參數(shù)和工作點,無需更改任何硬件,而模擬控制只能在特定范圍內(nèi)調(diào)整。數(shù)字控制方法只用一顆芯片就能實現(xiàn)調(diào)光方法(模擬或數(shù)字)、調(diào)光控制(0-10V,無線通信)、調(diào)光分辨率、溫度監(jiān)控、各種保護、通信連接等高級功能,因而系統(tǒng)成本更劃算,實現(xiàn)起來也比模擬方法更容易。此外,在噪聲較高的工況下,數(shù)控方法可保證電源具有更高的穩(wěn)定性:數(shù)控電源不易受元器件公差、溫度變化、電壓漂移等因素的影響。

基于LCC拓撲的2相輸入300W AC-DC LED電源

圖 1: STEVAL-LLL009V1評估套件

系統(tǒng)概述

STEVAL-LLL009V1評估套件有恒定電壓(CV)和恒定電流(CC)兩種模式,恒壓模式(CV)可將270V-480V交流電輸入轉(zhuǎn)為48 V恒定電壓、最大電流6.25 A的直流電輸出;恒流模式(CC)可以輸出36V-48V的6.25 A直流電流。通過撥動主電源板上的開關(guān)SW1,可以將評估套件設(shè)為CV模式或CC模式。

DC-DC功率級叫做原邊電源層,而微控制器級叫做副邊電源層,微控制器向電隔離半橋柵極驅(qū)動器STGAP2DM發(fā)送控制信號,驅(qū)動DC-DC功率級MOSFET開關(guān)管。

圖2是STEVAL-LLL009V1評估套件的框圖,該評估套件嵌入了原副邊需要的拓撲電路和元器件。

評估板提供一個0-10V的輸入,用于控制LED的亮度。僅當(dāng)評估套件在恒流(CC)模式下運行時,調(diào)光控制0-10V輸入才適用。 STEVAL-LLL009V1評估套件實現(xiàn)了模擬調(diào)光方法,電流分辨率為1%。

評估板上還插接了一個有隔離放大器的子板,用于檢測PFC的輸出電壓,該輸出電壓也是DC-DC功率級的輸入電壓。

PFC級基于MDmeshTM K5功率MOSFET;為實現(xiàn)高能效,LCC變換器的半橋采用MDmeshTM DK5功率MOSFET。副邊同步整流(SR)電路采用STripFETTM F7功率MOSFET,以減少通態(tài)損耗。

評估套件配備了完善的安全保護功能,例如,開路保護、短路保護、諧振電流保護、DC-DC功率級輸入欠壓保護和過壓保護。

基于VIPer267KDTR的離線反激變換器向原副邊電路供電,包括控制板、柵極驅(qū)動器IC和信號調(diào)理電路。

實驗結(jié)果表明,在寬輸入電壓和寬負載條件下,評估板取得了較高的電源能效,功率因數(shù)接近一,較低的THD%失真率,這歸功于意法半導(dǎo)體的功率器件的出色性能,以及使用STM32F334 32位微控制器實現(xiàn)的控制策略。

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圖2:STEVAL-LLL009V1評估套件框圖

諧振變換器

DC-DC功率級將PFC輸出電壓變?yōu)樗璧妮敵鲭妷骸? DC-DC功率變換級有多種拓撲可用,例如,LLC諧振變換器。每種拓撲都有其各自的優(yōu)缺點。充電器和LED照明之類的應(yīng)用可能要求電隔離的DC-DC功率級處理較寬的輸入或輸出電壓。 考慮到這些要求,在STEVAL-LLL009V1的DC-DC功率級中實現(xiàn)了半橋LCC諧振拓撲,如圖3所示。

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圖3:具有同步整流功能的半橋LCC諧振變換級

在STEVAL-LLL009V1中,并聯(lián)電容器Cp連接到變壓器的副邊,因此,同步整流的寄生電容和變壓器的漏感成為諧振回路的一部分。

PFC輸出電壓為大容量的Bulk電容器充電,以生成穩(wěn)定的DC-BUS電流。 半橋配置MOSFET開關(guān)在GND和DC-BUS之間產(chǎn)生一個方波電壓波形, 并施加到由電容器Cr、電容器Cp(位于副邊)、電感器Lr和隔離變壓器組成的LCC諧振回路。

以50%的PWM占空比和適當(dāng)?shù)乃绤^(qū)時間驅(qū)動LCC諧振變換器的半橋高壓MOSFET 開關(guān)。因為近似正弦諧振的儲能電流始終滯后于電壓波形(電感區(qū)域),所以MOSFET輸出電容在下一次導(dǎo)通之前的死區(qū)時間內(nèi)有時間放電,并實現(xiàn)零電壓開關(guān)(ZVS)操作,如圖4所示。PWM開關(guān)頻率控制器用于調(diào)節(jié)諧振回路的電壓升高幅度,并將變換器的電壓保持在電感區(qū)域內(nèi),使開關(guān)管在整個工作范圍內(nèi)保持ZVS操作,并減少開關(guān)損耗。

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圖4:在100%負載時HB-LCC級波形

表1:LCC與LLC諧振變換器對比

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我們用基本諧波分析(FHA)法分析了評估套件半橋LCC諧振變換器的增益。

根據(jù)使用FHA方法得出的增益計算公式以及為STEVAL-LLL009V1評估套件半橋LCC諧振轉(zhuǎn)換器選擇的LCC參數(shù),我們得出增益與歸一化頻率的關(guān)系曲線,如圖5所示。

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圖5:HB LCC變換器-增益與歸一化頻率

同步整流(SR)

在圖3所示的變壓器副邊,輸入電壓波形由全橋配置的同步整流器整流,并由輸出電容器濾除干擾信號,使波形平滑。 同步整流級由STM32F334微控制器進行數(shù)字控制。

驅(qū)動同步整流MOSFET開關(guān)管需要檢測同步整流(SR)端點電壓(VDS_SR1 和 VDS_SR2)。下面討論MOSFET VDS(漏源電壓)的檢測和控制算法。

漏源電壓檢測網(wǎng)絡(luò)由快速二極管和上拉電阻組成,上拉電阻連接微控制器(MCU)的電源電壓,如圖6所示。當(dāng)SR MOSFET漏極電壓高于MCU Vcc時,給二極管施加反向偏壓,檢測電壓上拉至Vcc。 當(dāng)漏極電壓低于Vcc時,給二極管施加正向偏壓,檢測電壓等于該電壓與正向?qū)ǖ亩O管的壓降之和。上拉電阻限制加正偏壓期間的電流。

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圖6:同步整流VDS檢測方法

首先,同步整流MOSFET的體二極管開始導(dǎo)通,VDS檢測電路測量到VDS漏源電壓值,如果漏源電壓(VDS)低于設(shè)定閾值(通過MCU DAC外設(shè)設(shè)置的Vthreshold_ON – OFF),比較器輸出(下降沿)觸發(fā)MCU TIMER外設(shè)的不可重復(fù)觸發(fā)單脈沖模式,如圖7所示。

MCU TIMER外設(shè)向相應(yīng)的同步整流柵極驅(qū)動器發(fā)送最小持續(xù)時間是TON min的脈沖信號。

當(dāng)漏源電壓(VDS)高于設(shè)定閾值(通過MCU DAC外設(shè)設(shè)置的Vthreshold_ON – OFF)時,比較器輸出(上升沿)重置MCU TIMER外設(shè),并停止向相應(yīng)的同步整流柵極驅(qū)動器發(fā)送脈沖,如圖所示。 圖7。

MCU持續(xù)監(jiān)視DC-DC功率級(HB-LCC)頻率和輸出電流。 如果頻率高于設(shè)置閾值及滯后值或者輸出電流低于設(shè)置閾值及滯后值,則微控制器(MCU)關(guān)閉同步整流級柵極驅(qū)動器,在此階段,MOSFET的體二極管進行整流。當(dāng)頻率低于設(shè)置閾值及滯后值或者輸出電流高于設(shè)置閾值及滯后值時,則微控制器(MCU)開啟同步整流級柵極驅(qū)動器。

根據(jù)DC-DC功率級(HB-LCC)的工作頻率,可在MCU中的查找表中調(diào)整閾值(Vthreshold_ON – OFF)。

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圖7:同步整流數(shù)字控制算法

實驗結(jié)果

我們計算了STEVAL-LLL009V1在不同負載下的總能效、功率因數(shù)(PF)和總諧波失真(THD)。當(dāng)負載為100%時,能效高于93.5%。圖8、9、10和11分別描述了評估套件恒壓(CV)和恒流(CC)模式的性能。

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圖8:恒壓配置:在不同負載下輸入電壓與能效的關(guān)系

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圖9:恒壓配置:在不同負載下輸入電壓與功率因數(shù)的關(guān)系

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圖10:恒壓配置:在不同負載下輸入電壓與總諧波失真的關(guān)系

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圖11:恒流配置:在不同LED壓降下輸入電壓與能效的關(guān)系

本文提出的數(shù)控電源在恒壓(CV)和恒流(CC)兩種模式下都能提供300W的輸出功率。實驗結(jié)果表明,在寬輸入電壓和寬負載條件下,評估板取得了較高的電源能效,功率因數(shù)接近一, THD%失真率較低,這歸功于意法半導(dǎo)體的功率器件的出色性能,以及使用STM32F334 32位微控制器實現(xiàn)的控制策略。

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