意法半導體發(fā)布隔離式柵極驅動器，可安全控制碳化硅MOSFET

中國，2021年3月22日——STGAP2SiCS是意法半導體STGAP系列隔離式柵極驅動器的最新產(chǎn)品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作電源電壓高達1200V。

STGAP2SiCS能夠產(chǎn)生高達26V的柵極驅動電壓，將欠壓鎖定(UVLO)閾壓提高到15.5V，滿足SiC MOSFET開關管正常導通要求。如果電源電壓低引起驅動電壓太低，UVLO保護機制將確保MOSFET處于關斷狀態(tài)，以免產(chǎn)生過多的耗散功率。這款驅動器有雙兩個輸入引腳，讓設計人員可以定義柵極驅動信號的極性。

STGAP2SiCS在輸入部分和柵極驅動輸出之間設計6kV電氣隔離，電隔離有助于確保消費電子和工業(yè)設備的用電安全。4A吸電流/拉電流驅動能力使其適用于高端家用電器、工業(yè)驅動裝置、風扇、電磁爐、電焊機、UPS不間斷電源等設備的高功率變換器、電源和逆變器。

新產(chǎn)品有兩種不同的輸出配置。第一種配置是提供獨立的輸出引腳，可使用專用的柵極電阻獨立優(yōu)化通斷時間。第二種配置適用于高頻硬開關，只有一個輸出引腳和有源米勒鉗位電路，米勒鉗位用于限制SiC MOSFET柵極-源極電壓擺動，防止開關不必要導通，并增強開關的可靠性。輸入電路兼容最低3.3V的CMOS/TTL邏輯電平信號，可以輕松地連接各種控制器芯片。

STGAP2SiCS具有待機模式，有助于降低系統(tǒng)功耗，并具有內(nèi)部保護功能，包括可防止低壓部分和高壓驅動通道交叉導通的硬件互鎖和熱關斷。低高壓電路之間的傳播延遲精確匹配，防止周期失真，最大程度地減少電能損耗?？倐鞑パ舆t小于75ns，精確的脈寬調(diào)制(PWM)控制支持高開關頻率。

STGAP2SiCS采用寬體SO-8W封裝，在有限的面積內(nèi)確保8mm的爬電距離。