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[導讀]Hynix 海力士芯片生產(chǎn)商,源于韓國品牌英文縮寫"HY"。海力士即原現(xiàn)代內(nèi)存,2001年更名為海力士。海力士半導體是世界第三大DRAM制造商,也在整個半導體公司中占第九位。2019年9月5日,SK海力士設在中國無錫的半導體工廠已經(jīng)完全使用中國生產(chǎn)的氟化氫取代了日本產(chǎn)品。

Hynix 海力士芯片生產(chǎn)商,源于韓國品牌英文縮寫"HY"。海力士即原現(xiàn)代內(nèi)存,2001年更名為海力士。海力士半導體是世界第三大DRAM制造商,也在整個半導體公司中占第九位。2019年9月5日,SK海力士設在中國無錫的半導體工廠已經(jīng)完全使用中國生產(chǎn)的氟化氫取代了日本產(chǎn)品。

海力士為原來的現(xiàn)代內(nèi)存,2001年更名為海力士。2012年更名SK hynix。海力士半導體在1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司成立,在1996年正式在韓國上市,1999年收購LG半導體,2001年將公司名稱改為(株)海力士半導體,從現(xiàn)代集團分離出來。2004年10月將系統(tǒng)IC業(yè)務出售給花旗集團,成為專業(yè)的存儲器制造商。2012年2月,韓國第三大財閥SK集團宣布收購海力士21.05%的股份從而入主這家內(nèi)存大廠。

2019年9月5日,據(jù)韓國《中央日報》報道,在日本政府限制向韓國出口氟化氫、光刻膠、含氟聚酰亞胺等尖端半導體材料后,SK海力士設在中國無錫的半導體工廠已經(jīng)完全使用中國生產(chǎn)的氟化氫取代了日本產(chǎn)品。

3月25,據(jù)國外媒體報道,SK海力士是全球重要的存儲芯片制造商,他們在去年10月份同英特爾達成了協(xié)議,將以90億美元收購英特爾大部分的NAND閃存及存儲業(yè)務,收購之后就將超過日本的Kioxia,成為僅次于三星的全球第二大NAND閃存制造商,并會縮小與三星的差距。

全球第二大內(nèi)存芯片制造商SK海力士表示,數(shù)據(jù)中心作為幾乎所有在線服務的基礎設施,其數(shù)量將在未來四年增加一倍,成為半導體需求下一次大幅飆升的主因。

SK海力士 CEO 李世熙(Lee Seok-hee)周日在一個行業(yè)論壇中表示,在5G網(wǎng)絡、人工智能和自動駕駛汽車等新技術的刺激下,數(shù)據(jù)和帶寬消耗將呈指數(shù)級增長;到2025年,超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的數(shù)量將翻一番,達到1060個,為社交媒體、在線游戲、智能農(nóng)業(yè)和互聯(lián)工廠等各個領域提供基礎設施和分布系統(tǒng)。

疫情之下,半導體的重要性得到前所未有的凸顯。首先是家用電器的需求涌起熱潮,隨后各個細分市場的反彈速度超過預期,汽車芯片的銷量也隨之增加。

在報道中,韓國媒體表示,研發(fā)10nm以下工藝的DRAM,要求SK海力士等半導體廠商,克服光刻技術方面的挑戰(zhàn)。在NAND方面,SK海力士已經(jīng)研發(fā)出了176層堆疊的3D NAND。

除了通過收購擴大規(guī)模、獲得知識產(chǎn)權及研發(fā)人員,SK海力士也在致力于研發(fā)更先進的DRAM和NAND產(chǎn)品。

韓國媒體的報道顯示,在2021年IEEE(電氣電子工程師學會)國際可靠性物理研討會上發(fā)表演講時,SK海力士CEO李錫熙(Lee Seok-Hee)就表示,在未來十年,他們將致力于克服材料、結構和可靠性方面的挑戰(zhàn),開發(fā)10nm以下工藝的DRAM和600堆疊層的NAND。

目前,海力士在DRAM存儲器供應上僅次于三星電子,為使NAND業(yè)務不斷增長,已豪擲90億美元收購英特爾的存儲部門。李錫熙表示,收購英特爾的閃存業(yè)務將讓公司的收入結構更加平衡,目前內(nèi)存業(yè)務占比72%,閃存業(yè)務收入占比24%

收購英特爾的閃存業(yè)務后,韓國存儲器巨頭SK海力士預計其閃存收入將在五年內(nèi)達到收購前的三倍。11月4日,SK海力士(660.KS)首席執(zhí)行官李錫熙(Seok-Hee Lee)在其財報溝通會上做出上述表示?!笆召徍螅覀儠M力成為最好的存儲器玩家,而不僅僅是內(nèi)存領域的領袖”,李錫熙說。他表示,公司將在未來三年著力于閃存業(yè)務的自我可持續(xù)能力。

兩周前,英特爾宣布把存儲業(yè)務以90億美元的價格出售給SK海力士,包括英特爾的NAND(非易失性存儲)固態(tài)硬盤業(yè)務、NAND組件和晶圓業(yè)務,以及位于中國大連的NAND閃存生產(chǎn)基地。雙方預計,交易將在2025年徹底完結。

上述收購完成后,SK海力士在閃存市場的市占率將達到兩成以上,排在龍頭三星之后。此外,海力士計劃五年內(nèi)從荷蘭供應商ASML處購買4.75萬億韓元的極紫外光刻機。EUV光刻技術將幫助公司開發(fā)更先進的芯片制造方法。

按照李錫熙的預測,先是CPU和內(nèi)存之間的通道數(shù)增加, 使得接近內(nèi)存處理器速度增加,然后是內(nèi)存處理速度增加,最終,內(nèi)存開始承擔部分計算任務,和CPU整合到一顆芯片中。由于SK海力士不生產(chǎn)CPU,那么到底是誰取代誰呢?李錫熙話鋒一轉(zhuǎn),回應稱需要的是跨行業(yè)合作。

此外,SK海力士還對核心業(yè)務DRAM和NAND芯片做了單獨描摹,稱正在積極使用EUV光刻技術,并客服材料、結構、可靠性方面的諸多挑戰(zhàn),在未來10年內(nèi)大規(guī)模量產(chǎn)10nm級DRAM(1a nm、1b nm、1c nm……)、600層的3D閃存等。對此,大家怎么看呢?



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