了解光耦的必經(jīng)之路，帶你看光耦的技術(shù)參數(shù)

在各種電路中，光耦得到了廣泛的應(yīng)用。原因在于，光耦能夠通過光來傳輸電信號。上篇文章中，小編介紹了光耦的分類以及使用原則。為增進(jìn)大家對光耦的了解，本文將詳細(xì)介紹光耦的技術(shù)參數(shù)。如果你對光耦具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

一、輸入特性

光耦合器的輸入特性實(shí)際也就是其內(nèi)部發(fā)光二極管的特性。常見的參數(shù)有：

1. 正向工作電壓Vf(Forward Voltage)Vf是指在給定的工作電流下，LED本身的壓降。常見的小功率LED通常以If=20mA來測試正向工作電壓，當(dāng)然不同的LED，測試條件和測試結(jié)果也會不一樣。

2. 反向電壓Vr(Reverse Voltage )

是指LED所能承受的最大反向電壓，超過此反向電壓，可能會損壞LED。在使用交流脈沖驅(qū)動LED時(shí)，要特別注意不要超過反向電壓。

3. 反向電流Ir(Reverse Current)

通常指在最大反向電壓情況下，流過LED的反向電流。

4. 允許功耗Pd(Maximum Power Dissipation)

LED所能承受的最大功耗值。超過此功耗，可能會損壞LED。

5. 中心波長λp(Peak Wave Length)

是指LED所發(fā)出光的中心波長值。波長直接決定光的顏色，對于雙色或多色LED，會有幾個(gè)不同的中心波長值。

6. 正向工作電流If(Forward Current)

If是指LED正常發(fā)光時(shí)所流過的正向電流值。不同的LED，其允許流過的最大電流也會不一樣。

7. 正向脈沖工作電流Ifp(Peak Forward Current)

Ifp是指流過LED的正向脈沖電流值。為保證壽命，通常會采用脈沖形式來驅(qū)動LED，通常LED規(guī)格書中給中的Ifp是以0.1ms脈沖寬度，占空比為1/10的脈沖電流來計(jì)算的。

二、輸出特性

光耦合器的輸出特性實(shí)際也就是其內(nèi)部光敏三極管的特性，與普通的三極管類似。常見的參數(shù)有：

1. 集電極電流Ic(Collector Current)

光敏三極管集電極所流過的電流，通常表示其最大值

2. 集電極-發(fā)射極電壓Vceo(C-E Voltage)

集電極-發(fā)射極所能承受的電壓。

3. 發(fā)射極-集電極電壓Veco(E-C Voltage)

發(fā)射極-集電極所能承受的電壓

4. 反向截止電流Iceo

5. C-E飽和電壓Vce(sat)(C-E SaturaTIon Voltage)

三、傳輸特性

1.電流傳輸比CTR(Current Transfer Radio)

2.上升時(shí)間Tr (Rise TIme)& 下降時(shí)間Tf(Fall TIme)

其它參數(shù)諸如工作溫度、耗散功率等不再一一敷述。

四、隔離特性

1.入出間隔離電壓Vio(IsolaTIon Voltage)

光耦合器輸入端和輸出端之間絕緣耐壓值。

2.入出間隔離電容Cio(Isolation Capacitance)：

光耦合器件輸入端和輸出端之間的電容值

3.入出間隔離電阻Rio：(Isolation Resistance)

半導(dǎo)體光耦合器輸入端和輸出端之間的絕緣電阻值。光耦合器的技術(shù)參數(shù)主要有發(fā)光二極管正向壓降VF、正向電流IF、電流傳輸比CTR、輸入級與輸出級之間的絕緣電阻、集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓V(BR)CEO、集電極-發(fā)射極飽和壓降VCE(sat)。此外，在傳輸數(shù)字信號時(shí)還需考慮上升時(shí)間、下降時(shí)間、延遲時(shí)間和存儲時(shí)間等參數(shù)。

電流傳輸比是光耦合器的重要參數(shù)，通常用直流電流傳輸比來表示。當(dāng)輸出電壓保持恒定時(shí)，它等于直流輸出電流IC與直流輸入電流IF的百分比。

使用光電耦合器主要是為了提供輸入電路和輸出電路間的隔離，在設(shè)計(jì)電路時(shí)，必須遵循下列原則：所選用的光電耦合器件必須符合國內(nèi)和國際的有關(guān)隔離擊穿電壓的標(biāo)準(zhǔn);由英國埃索柯姆(Isocom)公司、美國FAIRCHILD生產(chǎn)的4N××系列(如4N25、4N26、4N35)光耦合器，在國內(nèi)應(yīng)用地十分普遍。可以用于單片機(jī)的輸出隔離;所選用的光耦器件必須具有較高的耦合系數(shù)。

以下為光電耦合器的常用參數(shù)：

反向電流IR：在被測管兩端加規(guī)定反向工作電壓VR時(shí)，二極管中流過的電流。

反向擊穿電壓VBR：被測管通過的反向電流IR為規(guī)定值時(shí)，在兩極間所產(chǎn)生的電壓降。

正向壓降VF：二極管通過的正向電流為規(guī)定值時(shí)，正負(fù)極之間所產(chǎn)生的電壓降。

正向電流IF：在被測管兩端加一定的正向電壓時(shí)二極管中流過的電流。結(jié)電容CJ：在規(guī)定偏壓下，被測管兩端的電容值。

反向擊穿電壓V(BR)CEO：發(fā)光二極管開路，集電極電流IC為規(guī)定值，集電極與發(fā)射集間的電壓降。

輸出飽和壓降VCE(sat)：發(fā)光二極管工作電流IF和集電極電流IC為規(guī)定值時(shí)，并保持IC/IF≤CTRmin時(shí)(CTRmin在被測管技術(shù)條件中規(guī)定)集電極與發(fā)射極之間的電壓降。

反向截止電流ICEO：發(fā)光二極管開路，集電極至發(fā)射極間的電壓為規(guī)定值時(shí)，流過集電極的電流為反向截止電流。

電流傳輸比CTR：輸出管的工作電壓為規(guī)定值時(shí)，輸出電流和發(fā)光二極管正向電流之比為電流傳輸比CTR。

脈沖上升時(shí)間tr，下降時(shí)間tf：光耦合器在規(guī)定工作條件下，發(fā)光二極管輸入規(guī)定電流IFP的脈沖波，輸出端管則輸出相應(yīng)的脈沖波，從輸出脈沖前沿幅度的10%到90%，所需時(shí)間為脈沖上升時(shí)間tr。從輸出脈沖后沿幅度的90%到10%，所需時(shí)間為脈沖下降時(shí)間tf。

傳輸延遲時(shí)間tPHL，tPLH：從輸入脈沖前沿幅度的50%到輸出脈沖電平下降到1.5V時(shí)所需時(shí)間為傳輸延遲時(shí)間tPHL。從輸入脈沖后沿幅度的50%到輸出脈沖電平上升到1.5V時(shí)所需時(shí)間為傳輸延遲時(shí)間tPLH。

入出間隔離電容CIO：光耦合器件輸入端和輸出端之間的電容值。入出間隔離電阻RIO：半導(dǎo)體光耦合器輸入端和輸出端之間的絕緣電阻值。入出間隔離電壓VIO：光耦合器輸入端和輸出端之間絕緣耐壓值。

以上便是此次小編帶來的“光耦”相關(guān)內(nèi)容，通過本文，希望大家對光耦的技術(shù)參數(shù)具備一定的了解。如果你喜歡本文，不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站哦，小編將于后期帶來更多精彩內(nèi)容。最后，十分感謝大家的閱讀，have a nice day!