一款優(yōu)秀的電源管理芯片，可編程、超緊湊、實(shí)用性強(qiáng)

今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)MPS MP5507E電源管理芯片的有關(guān)報(bào)道，通過(guò)閱讀這篇文章，大家可以對(duì)它具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。

MP5507E 是一款集成式電源管理 IC，可為固態(tài)硬盤和硬盤驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用提供備用電源功能。MP5507E 集成了可編程輸入限流開(kāi)關(guān)管、能量存儲(chǔ)和備份功能，可提供高效率緊湊的系統(tǒng)解決方案。

MP5507E 采用 MPS 取得的能量存儲(chǔ)和釋放管理技術(shù)專利，可最大程度地減少所需的存儲(chǔ)部件、系統(tǒng)解決方案尺寸和成本。

MP5507E 電源管理芯片在正常條件下將輸入電壓升到更高的存儲(chǔ)電壓，并在輸入中斷的情況下，將能量釋放到系統(tǒng)中。

具有 DVDT 控制功能的內(nèi)部輸入限流模塊可防止系統(tǒng)上電期間的浪涌電流，并在備份期間提供反向電流阻斷功能。

系統(tǒng)電壓上電變化斜率可進(jìn)行編程。存儲(chǔ)電壓和釋放電壓均可針對(duì)不同的系統(tǒng)應(yīng)用進(jìn)行編程。MP5507E 電源管理芯片最大限度地減少了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)外部元器件的使用，采用 QFN-16(2.5mmx3.2mm)封裝。

MP5507E為典型的固態(tài)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用提供了一種非常緊湊且高效的電源備份解決方案。 MPS獲得專利的無(wú)損能量存儲(chǔ)和釋放管理電路使用雙向降壓/升壓轉(zhuǎn)換器來(lái)實(shí)現(xiàn)最佳的能量傳輸并提供經(jīng)濟(jì)高效的能量存儲(chǔ)解決方案。

系統(tǒng)上電時(shí)，MP5507E電源管理芯片的內(nèi)置升壓轉(zhuǎn)換器將大容量存儲(chǔ)電容器充電至編程電壓。 如果發(fā)生輸入電源中斷，MP5507E指示VB總線電源故障，斷開(kāi)輸入開(kāi)關(guān)，并通過(guò)內(nèi)置的降壓轉(zhuǎn)換器將能量從存儲(chǔ)電容器傳輸?shù)絍B，并在系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)將總線電壓保持在穩(wěn)定電壓消耗能量進(jìn)行數(shù)據(jù)備份。 降壓轉(zhuǎn)換器可以100%占空比工作，以完全耗盡存儲(chǔ)的能量。根據(jù)不同的電源備用時(shí)間和來(lái)自不同應(yīng)用的存儲(chǔ)組件，MP5507E可以提供具有可編程存儲(chǔ)電壓設(shè)置的緊湊型解決方案。

VIN啟動(dòng)時(shí)，VB總線電壓從0充電至VIN。 VB的上升斜率由DVDT電容控制。此功能可防止輸入浪涌電流并為下游系統(tǒng)提供保護(hù)。

EHCH用于啟用和禁用存儲(chǔ)充電和釋放電路。 存儲(chǔ)充電電路有兩種模式：預(yù)充電模式(使用電流源將STRG電壓從0V充電至VB電壓)和升壓模式(充電STRG電壓以設(shè)置電壓)。 預(yù)充電模式使用接近恒定的電流源(約130mA)將STRG電壓充電至VB電壓。 當(dāng)STRG電壓接近VB，并且VB電壓高于某個(gè)閾值(PGB升高)時(shí)，啟動(dòng)升壓模式。

如果在VIN升至UVLO閾值之前ENCH已經(jīng)很高，則當(dāng)VIN高于UVLO閾值(通常為2.5V)時(shí)，存儲(chǔ)充電電路會(huì)自動(dòng)開(kāi)始線性充電，當(dāng)存儲(chǔ)電壓充電至接近VB時(shí)，切換到升壓切換模式，并且PGB升高。 如果在VB之后ENCH升高，則DVDT過(guò)去并且PGB升高，則開(kāi)始預(yù)充電，然后進(jìn)行升壓切換。

因?yàn)獒尫拍Ｊ绞窃贔BB電壓低于0.79V時(shí)觸發(fā)的(盡管升壓模式和釋放模式之間有23mV的遲滯)，所以VB電壓可能會(huì)拉回低電平并意外進(jìn)入釋放模式。為避免這種情況，如果系統(tǒng)I / O可用于控制ENCH，則在VB穩(wěn)定后啟用ENCH。

存儲(chǔ)電壓充電后，內(nèi)部升壓轉(zhuǎn)換器會(huì)自動(dòng)將其調(diào)節(jié)到穩(wěn)定電壓。 MP5507E電源管理芯片使用突發(fā)模式以最小化轉(zhuǎn)換器的功率損耗。 當(dāng)存儲(chǔ)電壓降至設(shè)定電壓以下時(shí)，將啟動(dòng)突發(fā)模式并為存儲(chǔ)電容器充電。在突發(fā)期間，電流限制和低側(cè)MOSFET(LS-FET)控制開(kāi)關(guān)。 當(dāng)LS-FET導(dǎo)通時(shí)，電感器電流會(huì)增加，直到達(dá)到限流點(diǎn)(約500mA)為止。達(dá)到電流限制后，LS-FET將在設(shè)置的最小關(guān)閉時(shí)間內(nèi)關(guān)閉。在此最小關(guān)斷時(shí)間結(jié)束時(shí)，如果反饋電壓保持低于0.79V內(nèi)部基準(zhǔn)電壓，則LS-FET將再次導(dǎo)通。否則，MP5507E會(huì)等到電壓下降到閾值以下，然后再打開(kāi)LS-FET。在升壓模式下，HS-FET關(guān)閉，并且HS-FET的體二極管傳導(dǎo)電流。

以上就是小編這次想要和大家分享的內(nèi)容，希望大家對(duì)本次分享的內(nèi)容已經(jīng)具有一定的了解。如果您想要看不同類別的文章，可以在網(wǎng)頁(yè)頂部選擇相應(yīng)的頻道哦。