當(dāng)前位置:首頁 > 電源 > 功率器件
[導(dǎo)讀]在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)達的今天,各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中,為我們的生活帶來便利,那么你知道這些高科技可能會含有的電力晶體管嗎?電力晶體管是雙極大功率和高背壓晶體管。由于其功率非常大,所以也被稱為巨型晶體管,簡稱GTR。 GTR由三層半導(dǎo)體材料和兩個PN結(jié)組成。三層半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)可以是PNP或NPN。

在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)達的今天,各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中,為我們的生活帶來便利,那么你知道這些高科技可能會含有的電力晶體管嗎?電力晶體管是雙極大功率和高背壓晶體管。由于其功率非常大,所以也被稱為巨型晶體管,簡稱GTR。 GTR由三層半導(dǎo)體材料和兩個PN結(jié)組成。三層半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)可以是PNP或NPN。大多數(shù)雙極型功率晶體管是在重摻雜的N+硅襯底上生長,采用外延生長的方法在N+上生長N漂移層,然后在漂移層上擴散P基區(qū),再擴散N+發(fā)射區(qū)。這稱為三重擴散?;鶚O和發(fā)射極在同一平面上相互交叉,以減少電流集中并提高器件的電流處理能力。

GTR分為NPN型和PNP型兩種,有單管GTR、達林頓GTR(復(fù)合管)GTR模塊幾種形式。單管GTR飽和壓降VCES低,開關(guān)速度稍快,但電流增益β小,電流容量小,驅(qū)動功率大。它用于較小容量的逆變器電路。

Darlington GTR電流增益β值大,電流容量大,驅(qū)動功耗小,但飽和壓降VCES較高,關(guān)斷速度較慢。與單管 GTR 一樣,達林頓式非模塊化 GTR 長期以來在現(xiàn)代逆變器電路中不太常用。 GTR模塊使用更廣泛。它將兩個或四個、六個甚至七個單管 GTR 或達林頓式 GTR 管芯封裝在單個管殼中,形成單橋臂、單相橋、三相橋和漏電三放電管采用相橋形式,外殼絕緣,設(shè)計安裝方便。

在逆變電路中,GTR都工作在共發(fā)射極狀態(tài),其輸出特性曲線是指集電極電流IC與電壓VCE和基極電流IB的關(guān)系。

電力晶體管gtr的特性及應(yīng)用

GTR的特性曲線分為5個區(qū)域。I區(qū)是截止區(qū),IB=0,IC很小,是CE漏電流。II區(qū)是線性放大區(qū)。當(dāng)IB增加時,IC也隨IB線性增加。隨著VCE的不斷降低,IC沒有能力增長,這就進入了深度飽和區(qū),即IV區(qū)。此時的VCE稱為GTR的飽和壓降,用VCES表示,低于GTOVMOSFET。V區(qū)是擊穿區(qū),

當(dāng)VCE增加到一定值時,即使IB不增加,IC也會增加。此時,VCEGTR的第一個擊穿電壓。如果VCE繼續(xù)增加,IC也會增加。由于GTR具有負阻特性,當(dāng)結(jié)溫升高時,IC變大。由于整個芯片的導(dǎo)通不可能絕對均勻,大IC會產(chǎn)生集中熱點,導(dǎo)致雪崩擊穿和IC浪涌。這時候,即使降低VCE也無濟于事。高速增長的熱量無法消散,GTR會在短時間內(nèi)(幾微秒甚至幾納秒)永遠燒毀。這是GTR的二次細分。這是GTR最致命的弱點,也是制約GTR發(fā)展和進一步應(yīng)用的最重要原因之一。

電力晶體管GTR主要用作功率開關(guān)。因此,要求有足夠的容量(高電壓、大電流)、適當(dāng)?shù)脑鲆?、較高的運行速度和較低的功率損耗。但是,由于功率晶體管功率損耗大,工作電流大,存在基區(qū)注入效應(yīng)大、基區(qū)膨脹效應(yīng)、發(fā)射極電流邊緣效應(yīng)等特點和問題。

基區(qū)大注入效應(yīng)是指當(dāng)基區(qū)的少數(shù)載流子濃度達到或超過摻雜濃度時,器件的注入效率降低,少數(shù)載流子擴散系數(shù)增大,體內(nèi)少數(shù)載流子壽命降低,造成嚴(yán)重影響GTR電流增益的現(xiàn)象。

基區(qū)擴大效應(yīng)是指在大電流條件下擴大有效基區(qū)的效應(yīng)。器件工作在低電流狀態(tài)時集電極結(jié)的寬度主要由基極摻雜濃度決定,因此其增益β值是固定的;但在大電流條件下,集電極是由于基區(qū)少數(shù)載流子大量增加導(dǎo)致結(jié)寬縮小,從而擴大了有效基區(qū)?;鶇^(qū)的擴大導(dǎo)致注入效率降低,增益β降低,特征頻率降低。

發(fā)射極電流捆綁效應(yīng)也稱為基極電阻自偏置效應(yīng),它是在大多數(shù)電流條件下,由于基極的橫向壓降導(dǎo)致發(fā)射極電流分布不均勻而引起的。在這種情況下,電流分布更多地集中在靠近基極的發(fā)射極外圍,造成電流局部集中,進而導(dǎo)致局部過熱。因此,為了減弱上述三種物理效應(yīng)的影響,必須在結(jié)構(gòu)上采取適當(dāng)?shù)拇胧?,以確保適合大功率應(yīng)用的需要。

以上就是電力晶體管的一些值得大家學(xué)習(xí)的詳細資料解析,希望在大家剛接觸的過程中,能夠給大家一定的幫助,如果有問題,也可以和小編一起探討。

 

本站聲明: 本文章由作者或相關(guān)機構(gòu)授權(quán)發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點,本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實性等。需要轉(zhuǎn)載請聯(lián)系該專欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益,請及時聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

9月2日消息,不造車的華為或?qū)⒋呱龈蟮莫毥谦F公司,隨著阿維塔和賽力斯的入局,華為引望愈發(fā)顯得引人矚目。

關(guān)鍵字: 阿維塔 塞力斯 華為

加利福尼亞州圣克拉拉縣2024年8月30日 /美通社/ -- 數(shù)字化轉(zhuǎn)型技術(shù)解決方案公司Trianz今天宣布,該公司與Amazon Web Services (AWS)簽訂了...

關(guān)鍵字: AWS AN BSP 數(shù)字化

倫敦2024年8月29日 /美通社/ -- 英國汽車技術(shù)公司SODA.Auto推出其旗艦產(chǎn)品SODA V,這是全球首款涵蓋汽車工程師從創(chuàng)意到認證的所有需求的工具,可用于創(chuàng)建軟件定義汽車。 SODA V工具的開發(fā)耗時1.5...

關(guān)鍵字: 汽車 人工智能 智能驅(qū)動 BSP

北京2024年8月28日 /美通社/ -- 越來越多用戶希望企業(yè)業(yè)務(wù)能7×24不間斷運行,同時企業(yè)卻面臨越來越多業(yè)務(wù)中斷的風(fēng)險,如企業(yè)系統(tǒng)復(fù)雜性的增加,頻繁的功能更新和發(fā)布等。如何確保業(yè)務(wù)連續(xù)性,提升韌性,成...

關(guān)鍵字: 亞馬遜 解密 控制平面 BSP

8月30日消息,據(jù)媒體報道,騰訊和網(wǎng)易近期正在縮減他們對日本游戲市場的投資。

關(guān)鍵字: 騰訊 編碼器 CPU

8月28日消息,今天上午,2024中國國際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會開幕式在貴陽舉行,華為董事、質(zhì)量流程IT總裁陶景文發(fā)表了演講。

關(guān)鍵字: 華為 12nm EDA 半導(dǎo)體

8月28日消息,在2024中國國際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會上,華為常務(wù)董事、華為云CEO張平安發(fā)表演講稱,數(shù)字世界的話語權(quán)最終是由生態(tài)的繁榮決定的。

關(guān)鍵字: 華為 12nm 手機 衛(wèi)星通信

要點: 有效應(yīng)對環(huán)境變化,經(jīng)營業(yè)績穩(wěn)中有升 落實提質(zhì)增效舉措,毛利潤率延續(xù)升勢 戰(zhàn)略布局成效顯著,戰(zhàn)新業(yè)務(wù)引領(lǐng)增長 以科技創(chuàng)新為引領(lǐng),提升企業(yè)核心競爭力 堅持高質(zhì)量發(fā)展策略,塑強核心競爭優(yōu)勢...

關(guān)鍵字: 通信 BSP 電信運營商 數(shù)字經(jīng)濟

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 8月21日,由中央廣播電視總臺與中國電影電視技術(shù)學(xué)會聯(lián)合牽頭組建的NVI技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟在BIRTV2024超高清全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展研討會上宣布正式成立。 活動現(xiàn)場 NVI技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)...

關(guān)鍵字: VI 傳輸協(xié)議 音頻 BSP

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 在8月23日舉辦的2024年長三角生態(tài)綠色一體化發(fā)展示范區(qū)聯(lián)合招商會上,軟通動力信息技術(shù)(集團)股份有限公司(以下簡稱"軟通動力")與長三角投資(上海)有限...

關(guān)鍵字: BSP 信息技術(shù)
關(guān)閉
關(guān)閉