中國，2021 年 7 月 27 日--服務多重電子應用領域的全球半導體領導者意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)宣布，ST瑞典北雪平工廠制造出首批200mm (8寸)碳化硅(SiC)晶圓片，這些晶圓將用于生產下一代電力電子芯片的產品原型。SiC晶圓升級到200mm標志著ST面向汽車和工業(yè)客戶的擴產計劃取得重要的階段性成功，鞏固了ST在這一開創(chuàng)性技術領域的領導地位，提高了電力電子芯片的輕量化和能效，降低客戶獲取這些產品的總擁有成本。
意法半導體的首批200mm SiC晶圓片質量上乘，影響芯片良率和晶體位錯的缺陷非常少。低缺陷率的取得離不開意法半導體碳化硅公司(前身是Norstel公司，2019年被ST收購)在SiC硅錠生長技術開發(fā)方面的深厚積累和沉淀。除了晶圓片滿足嚴格的質量標準外，SiC晶圓升級到200mm還需要對制造設備和整體支持生態(tài)系統(tǒng)進行升級更換。意法半導體正在與供應鏈上下游技術廠商合作開發(fā)自己的制造設備和生產工藝。
意法半導體先進的量產碳化硅產品STPOWER SiC目前是在卡塔尼亞(意大利)和宏茂橋(新加坡)兩家150mm晶圓廠完成前工序制造，后工序制造是在深圳(中國)和布斯庫拉(摩洛哥)的兩家封測廠進行的。這個階段性成功是意法半導體布局更先進的、高成本效益的200mm SiC量產計劃的組成部分。SiC晶圓升級到200mm屬于公司正在執(zhí)行的SiC襯底建新廠和內部采購SiC襯底占比超40%的生產計劃。
意法半導體汽車和分立器件產品部總裁Marco Monti表示：“汽車和工業(yè)市場正在加快推進系統(tǒng)和產品電氣化進程，SiC晶圓升級到200mm將會給我們的汽車和工業(yè)客戶帶來巨大好處。隨著產量擴大，提升規(guī)模經濟效益是很重要的。在覆蓋整個制造鏈的內部SiC生態(tài)系統(tǒng)方面積累深厚的專業(yè)知識，可以提高我們的制造靈活性，更有效地控制晶圓片的良率和質量改進?！?
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