英飛凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL CoolSiC MOSFET功率模塊，助力提升功率密度和實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計(jì)

近日，英飛凌科技股份公司將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級(jí)為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。該器件采用半橋配置， EasyDUAL 1B封裝的導(dǎo)通電阻(R DS(on))為11 mΩ，EasyDUAL 2B封裝的導(dǎo)通電阻(R DS(on))為6 mΩ。升級(jí)為高性能AIN后，該1200 V器件適合用于高功率密度應(yīng)用，包括太陽(yáng)能系統(tǒng)、不間斷電源、輔助逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)和電動(dòng)汽車(chē)充電樁等。

EasyDUAL模塊FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70采用具有優(yōu)良的柵極氧化層可靠性最新CoolSiC MOSFET技術(shù)。由于DCB材料的熱導(dǎo)率更高，結(jié)到散熱器的熱阻(R thJH)最多可以降低40%。在CoolSiC Easy模塊中，該新型AIN陶瓷可幫助提高輸出功率或降低結(jié)溫，進(jìn)而可以延長(zhǎng)系統(tǒng)壽命。

供貨情況

EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70現(xiàn)在即可訂購(gòu)。