手指一戳,車規(guī)級(jí)MOSFET就到面前了
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MOSFET
MOSFET所具備的開關(guān)特性和驅(qū)動(dòng)特性在整個(gè)電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域的歷史進(jìn)程中都具備劃時(shí)代的意義。
其中,汽車電子領(lǐng)域?qū)OSFET有很嚴(yán)苛的要求:1、在傳輸數(shù)字信號(hào)時(shí)候,精度要高;2、開關(guān)特性、驅(qū)動(dòng)特性下的抗干擾能力要強(qiáng);3、在正常運(yùn)行下自身不能產(chǎn)生過高的噪聲和電磁干擾。
作為一家在功率MOSFET耕耘多年的企業(yè),東芝半導(dǎo)體通過不斷的創(chuàng)新迭代,針對(duì)汽車應(yīng)用推出了全新40V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品——TPHR7904PB、TPH1R104PB。
一、MOSFET的特征屬性分析
TPHR7904PB、TPH1R104PB是用于汽車應(yīng)用的新型40V的N通道功率MOSFET產(chǎn)品,且都是采用SOP Advance(WF)封裝,在電路設(shè)計(jì)中能夠很好的節(jié)省板載空間。另外,此封裝還降低了U-MOSIX-H系列產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻,使得本身屬性有了一個(gè)質(zhì)的飛躍。
①M(fèi)OSFET的低導(dǎo)通特性提升,極大的降低了導(dǎo)通損耗,降低了信號(hào)MOSFET導(dǎo)通前后的精度誤差,保證了精度質(zhì)量。RDS(ON)=0.79mΩ(最大值)@VGS=10V(TPHR7904PB)RDS(ON)=1.14mΩ(最大值)@VGS=10V(TPH1R104PB)②具備低噪聲特性,進(jìn)一步的降低電磁干擾,從而保證在特定的數(shù)字信號(hào)及其無線信號(hào)交互傳輸下的工作環(huán)境。③具備小型低電阻封裝的可焊錫側(cè)翼引腳結(jié)構(gòu),允許對(duì)板上的安裝進(jìn)行自動(dòng)光學(xué)檢查的引腳結(jié)構(gòu)。④具備AEC-Q101認(rèn)證。
二、MOSFET的應(yīng)用電路分析
U-MOSIX-H系列是前一代系列(U-MOSIV)的迭代升級(jí)產(chǎn)品,在對(duì)應(yīng)電氣屬性內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)迭代替換,從而更好的改善電路整體的功能屬性。作為功率MOSFET器件,絕大多數(shù)是配合驅(qū)動(dòng)器來控制設(shè)備的。下面例舉一個(gè)EPS_Motor控制電路。
上圖就是一個(gè)驅(qū)動(dòng)器左邊接入了MCU的PWM控制型號(hào),右邊連入了多個(gè)MOSFET功率器件。當(dāng)MCU的控制信號(hào)經(jīng)過驅(qū)動(dòng)器后會(huì)對(duì)信號(hào)進(jìn)行增幅放大,然后再將這個(gè)增幅信號(hào)傳遞給各個(gè)MOSFET功率器件來對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng),實(shí)現(xiàn)電機(jī)的精度控制。提到這里可能有專業(yè)人士就會(huì)問MOSFET的PWM精度了,畢竟這個(gè)轉(zhuǎn)向控制對(duì)精度實(shí)時(shí)性要求比較高。以下是對(duì)MOSFET動(dòng)態(tài)特性的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,能夠充分的對(duì)TPHR7904PB、TPH1R104PB的實(shí)時(shí)性傳輸加以佐證。
三、應(yīng)用場(chǎng)景分析
TPHR7904PB、TPH1R104PB作為全新封裝的U-MOSIX-H系列功率器件,不僅降低導(dǎo)通電阻特性,也將傳輸效率推上了浪尖,從而奠定了它在市場(chǎng)上有著不俗的應(yīng)用場(chǎng)景。在電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、負(fù)載開關(guān)電路、電動(dòng)泵電路中具有很高的實(shí)用價(jià)值。
東芝在功率半導(dǎo)體器件研發(fā)設(shè)計(jì)中積累了豐富的技術(shù)經(jīng)驗(yàn),堅(jiān)持不斷的在技術(shù)設(shè)計(jì)上改進(jìn)和創(chuàng)新,助力汽車控制應(yīng)用市場(chǎng),在汽車EPS轉(zhuǎn)向系統(tǒng)電路中具有強(qiáng)力的參考和應(yīng)用價(jià)值。
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