超結(jié)型MOSFET前來助陣，TOLL封裝為大功率產(chǎn)品錦上添花

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根據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)顯示，功率MOSFET約占據(jù)全球功率器件市場(chǎng)規(guī)模的22%。功率MOSFET在近幾年間需求的快速增長(zhǎng)，源于其獨(dú)特的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

第一，功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路較為簡(jiǎn)單，通?？梢杂蒚TL驅(qū)動(dòng)電路或者CMOS直接驅(qū)動(dòng)；

第二，功率MOSFET的開關(guān)速度較快，能夠以較高的速度工作；

第三，功率MOSFET沒有二次擊穿失效的機(jī)理，它在溫度越高時(shí)往往耐力越強(qiáng)，發(fā)生熱擊穿的可能性越低。

此外，因其可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性能，所以被廣泛的應(yīng)用在大功率電源方面。

以往應(yīng)用在大功率電源上的MOSFET體積都比較大，導(dǎo)致電源都比較厚重，不但增加了材料成本，還對(duì)安裝施工造成了不小的困擾。因此，東芝就以上問題推出了一款采用TOLL小封裝的MOSFET產(chǎn)品——TK065U65Z，為大功率的電子產(chǎn)品提供體積與成本上的解決方案。

一.?電氣特性分析

TK065U65Z是東芝推出的DTMOS第VI代，N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品，采用TOLL封裝，寬、長(zhǎng)、高分別為9.9mm×11.68mm×2.3mm。

TK065U65Z的漏源電壓（VDSS）高達(dá)650V，漏源電流（ID）最高可達(dá)到38A，漏源導(dǎo)通電阻最大值為0.065Ω。

具體參數(shù)如下：

二. 功能特性分析

TOLL封裝“神助攻”：

TOLL是一種表面貼裝型封裝，所需空間比常見的D2PAK封裝小27%。它也屬于4引腳型封裝，能夠?qū)艠O驅(qū)動(dòng)的信號(hào)源端子進(jìn)行開爾文連接，從而減小封裝中源極線的電感，進(jìn)而發(fā)揮MOSFET高速開關(guān)性能，抑制開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的振蕩。與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TK090N65Z相比，其導(dǎo)通開關(guān)損耗降低了約68%，關(guān)斷開關(guān)損耗降低了約56%。新型MOSFET適用于數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備的電源。

TOLL封裝與最新DTMOS第VI代工藝技術(shù)相結(jié)合擴(kuò)展了產(chǎn)品陣容，覆蓋了低至65mΩ（最大值）的低導(dǎo)通電阻。

采用先進(jìn)的DTMOS VI結(jié)構(gòu)：

TK065U65Z具有超結(jié)的結(jié)構(gòu)，即使漂移層具有高耐受電壓，也能夠降低其電阻。同時(shí)該產(chǎn)品采用單層外延工藝，實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻與高速開關(guān)。最新一代DTMOS的第Ⅵ代系列與傳統(tǒng)的DTMOSⅣ-H系列相比，通過降低漏源導(dǎo)通電阻和柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）的乘積（品質(zhì)因數(shù)），能夠提高開關(guān)電源的效率。

三. 應(yīng)用場(chǎng)景分析

TK065U65Z憑借其優(yōu)異的性能與先進(jìn)的封裝技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、數(shù)據(jù)中心（服務(wù)器電源等）、充電樁、光伏發(fā)電機(jī)的功率調(diào)節(jié)器和不間斷電源系統(tǒng)（UPS）等領(lǐng)域。

作為一家在功率MOSFET深耕多年的科技型企業(yè)，東芝半導(dǎo)體通過對(duì)市場(chǎng)敏銳的洞察能力和不斷地產(chǎn)品迭代創(chuàng)新的科技力量，相信能夠?yàn)槲磥砟?a href="/tags/MOSFET" target="_blank">MOSFET的產(chǎn)品選型上提供更多參考價(jià)值。

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