全球十大功率器件廠商！\\n?
[導(dǎo)讀]功率半導(dǎo)體主要分為功率器件和功率IC，其中功率器件主要包括二極管、晶體管、晶閘管三大類別，晶體管市場(chǎng)份額最大；功率IC是由功率半導(dǎo)體與驅(qū)動(dòng)電路、電源管理芯片等集成而來的模塊，主要應(yīng)用在小電流和低電壓的環(huán)境。常見功率器件有二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等，不同器件性能不同，...
功率半導(dǎo)體主要分為功率器件和功率IC，其中功率器件主要包括二極管、晶體管、晶閘管三大類別，晶體管市場(chǎng)份額最大；功率IC是由功率半導(dǎo)體與驅(qū)動(dòng)電路、電源管理芯片等集成而來的模塊，主要應(yīng)用在小電流和低電壓的環(huán)境。
常見功率器件有二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等，不同器件性能不同，使用場(chǎng)景上各有側(cè)重：二極管：主要有SBD（肖特基二極管）、FRD（快恢復(fù)二極管）等，電壓覆蓋范圍從1V到數(shù)千伏不等。其中SBD利用金屬與半導(dǎo)體結(jié)合制作而成，常見產(chǎn)品分平面型、溝槽型，適用于小功率場(chǎng)景；FRD則具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短的特點(diǎn)，電壓覆蓋數(shù)百到數(shù)千伏不等，適用于較大功率場(chǎng)景。晶閘管：最基礎(chǔ)的為SCR（可控硅），為半控器件。其次常見的有GTO（門極可關(guān)斷晶閘管），實(shí)現(xiàn)全控特性。90年代出現(xiàn)的IGCT（集成門極換流晶閘管），在GTO基礎(chǔ)上采用集成柵極結(jié)構(gòu)，兼具晶閘管通態(tài)特性和晶體管開關(guān)特性。晶閘管主要用于高壓領(lǐng)域，如工控、UPS（不間斷電源）、變頻器等。MOSFET：場(chǎng)效應(yīng)晶體管，常見類型有平面柵MOS、溝槽柵MOS、超結(jié)MOS、屏蔽柵MOS等，電壓范圍覆蓋-100V-1500V。MOSFET具有高頻、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、抗擊穿性好等特點(diǎn)，可廣泛使用在模擬與數(shù)字電路中，應(yīng)用范圍廣泛，涵蓋電源管理、計(jì)算機(jī)及外設(shè)設(shè)備、通信、消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制等多個(gè)領(lǐng)域。IGBT：絕緣柵雙極型晶體管，結(jié)構(gòu)上為MOSFET與BJT組合而成，具有較強(qiáng)的正向電流傳導(dǎo)密度和低通態(tài)壓降，可實(shí)現(xiàn)逆變、變頻功能。在中低壓領(lǐng)域，IGBT廣泛應(yīng)用于新能源車和消費(fèi)電子。1700V以上的高壓領(lǐng)域，廣泛應(yīng)用于軌道交通、清潔發(fā)電和智能電網(wǎng)等重要領(lǐng)域，被稱為電子行業(yè)的“CPU”。近年來國(guó)內(nèi)廠商加速進(jìn)口替代，但主要功率器件國(guó)產(chǎn)化率較低。功率器件在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展于歐美，興起于日韓和中國(guó)臺(tái)灣，這些地區(qū)已建立先進(jìn)的半導(dǎo)體工業(yè)體系。中國(guó)大陸功率半導(dǎo)體整體起步較晚，經(jīng)過多年政策扶持和國(guó)產(chǎn)廠商努力，在二極管等中低端器件已大部分實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。在MOSFET、IGBT及其他中高端產(chǎn)品上，國(guó)產(chǎn)化程度較低。整體來看，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)頭部品牌均為國(guó)外廠商，全球十大功率器件廠商如下：Infineon（英飛凌）
Infineon脫胎于西門子半導(dǎo)體部門，于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立，是歐洲最大的半導(dǎo)體公司，其功率半導(dǎo)體在全球排名第一。其主要功率器件產(chǎn)品包括高度可靠的IGBT、功率 MOSFET、氮化鎵增強(qiáng)型 HEMT、功率分立式元件、保護(hù)開關(guān)、硅驅(qū)動(dòng)器、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器、IGBT 模塊、智能功率模塊（IPM）、線性調(diào)節(jié)器、電機(jī)控制解決方案、LED 驅(qū)動(dòng)器以及各種交流-直流、直流-交流和數(shù)字功率轉(zhuǎn)換等，涵蓋了所有功率技術(shù)——硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），功率方面覆蓋微安級(jí)到兆瓦級(jí)。ONSemiconductor（安森美）ON SemiconductorCorporation創(chuàng)立于1999年，是全球高性能電源解決方案供應(yīng)商。其主要功率器件產(chǎn)品包括汽車工業(yè)MOSFET、整流器、IGBT，全面的高能效電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制方案陣容，使其在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用領(lǐng)域都有良好的表現(xiàn)。ST（意法半導(dǎo)體）ST集團(tuán)于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成，是世界最大的半導(dǎo)體公司之一，也是世界領(lǐng)先的分立功率器件供應(yīng)商之一。其產(chǎn)品范圍包含MOSFET (包括運(yùn)用創(chuàng)新的MDmeshTM第二代技術(shù)的器件)、雙極晶體管、IGBT、肖特基與超快速恢復(fù)雙極工藝二極管、三端雙向可控硅開關(guān)及保護(hù)器件。此外，意法半導(dǎo)體的專利IPAD（集成有源和無源器件）技術(shù)，允許在單個(gè)芯片中整合多個(gè)有源和無源元件。Mitsubishi（三菱電機(jī)）Mitsubishi成立于1921年，主營(yíng)功率器件包括IGBT、IPM、MOSFET和SiC器件，并在白色家電、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)、軌道交通、綠色能源、衛(wèi)星、防御系統(tǒng)、電梯及自動(dòng)扶梯、汽車用電子用品、空調(diào)、通風(fēng)設(shè)備等領(lǐng)域的電力變換和電機(jī)控制中得到廣泛應(yīng)用。Toshiba（東芝）Toshiba創(chuàng)立于1875年，是日本最大的半導(dǎo)體制造商，隸屬于三井集團(tuán)。東芝的功率器件產(chǎn)品包括廣泛的二極管產(chǎn)品組合、雙極晶體管、VDSS為500~800V的中高壓DTMOSIV系列，VSS為12~250V的低電壓UMOS系列、SiC SBD，以及智能功率器件(IPD)IC，包括60V的低電壓IPD、和250V/500V的高壓IPD，可分別應(yīng)用于娛樂、汽車設(shè)備,以及家用電器和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域。Vishay（威世）Vishay集團(tuán)成立于1962年，是世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無源電子器件制造商和供應(yīng)商之一。其主要產(chǎn)品包括無源和分立有源電子元件，特別是電阻、電容器、感應(yīng)器、二極管和晶體管。廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、電話、電視、汽車、家用電器、醫(yī)療設(shè)備、衛(wèi)星、軍用及航空設(shè)備領(lǐng)域。Fuji Electric（富士電機(jī)）Fuji Electric成立于1923年，是一家以大型電氣機(jī)器為主產(chǎn)品的日本重電機(jī)制造商，主營(yíng)功率器件包括整流二極管、功率MOSFET、IGBT、電源控制IC、SiC器件等。值得一提的是，富士還是日立的 IGBT 芯片供應(yīng)商。擁有全世界最多的 IGBT 器件方面的技術(shù)專利，總數(shù)達(dá) 500 件?，F(xiàn)在，富士電機(jī)的 IGBT 幾乎占領(lǐng)了全日本的電動(dòng)汽車領(lǐng)域。Renesas（瑞薩）Renesas于2003年，由日立制作所半導(dǎo)體部門和三菱電機(jī)半導(dǎo)體部門合并成立，是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一。其主營(yíng)模擬功率器件包括雙極型功率晶體管、功率二極管、功率MOSFET、晶閘管和IGBT，廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、家居、辦公自動(dòng)化、信息通信技術(shù)等領(lǐng)域。Rohm（羅姆）Rohm創(chuàng)立于1958年，是全球著名半導(dǎo)體廠商之一。其主營(yíng)功率器件包括晶體管、二極管、IGBT、SiC功率器件和智能功率模塊，其功率器件產(chǎn)品線是小型高可靠性產(chǎn)品陣容的典型代表。Semikron（賽米控）Semikron成立于1951年，總部位于德國(guó)紐倫堡，是全球領(lǐng)先的功率模塊和系統(tǒng)制造商之一。其產(chǎn)品主要涉及中等功率輸出范圍（約2 kW至10 MW），是現(xiàn)代節(jié)能型電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的核心器件，廣泛應(yīng)用于電源、可再生能源（風(fēng)能和太陽能發(fā)電）和電動(dòng)車（私家車、廂式貨車、公交車、卡車、叉車等）領(lǐng)域。同時(shí)，Semikron也是全球前十大 IGBT 模塊供應(yīng)商，在 1700V 及以下電壓等級(jí)的消費(fèi) IGBT 領(lǐng)域處于優(yōu)勢(shì)地位。目前，賽米控在全球二極管和晶閘管半導(dǎo)體模塊市場(chǎng)占有 25%的份額。往期推薦:
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常見功率器件有二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等，不同器件性能不同，使用場(chǎng)景上各有側(cè)重：二極管：主要有SBD（肖特基二極管）、FRD（快恢復(fù)二極管）等，電壓覆蓋范圍從1V到數(shù)千伏不等。其中SBD利用金屬與半導(dǎo)體結(jié)合制作而成，常見產(chǎn)品分平面型、溝槽型，適用于小功率場(chǎng)景；FRD則具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短的特點(diǎn)，電壓覆蓋數(shù)百到數(shù)千伏不等，適用于較大功率場(chǎng)景。晶閘管：最基礎(chǔ)的為SCR（可控硅），為半控器件。其次常見的有GTO（門極可關(guān)斷晶閘管），實(shí)現(xiàn)全控特性。90年代出現(xiàn)的IGCT（集成門極換流晶閘管），在GTO基礎(chǔ)上采用集成柵極結(jié)構(gòu)，兼具晶閘管通態(tài)特性和晶體管開關(guān)特性。晶閘管主要用于高壓領(lǐng)域，如工控、UPS（不間斷電源）、變頻器等。MOSFET：場(chǎng)效應(yīng)晶體管，常見類型有平面柵MOS、溝槽柵MOS、超結(jié)MOS、屏蔽柵MOS等，電壓范圍覆蓋-100V-1500V。MOSFET具有高頻、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、抗擊穿性好等特點(diǎn)，可廣泛使用在模擬與數(shù)字電路中，應(yīng)用范圍廣泛，涵蓋電源管理、計(jì)算機(jī)及外設(shè)設(shè)備、通信、消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制等多個(gè)領(lǐng)域。IGBT：絕緣柵雙極型晶體管，結(jié)構(gòu)上為MOSFET與BJT組合而成，具有較強(qiáng)的正向電流傳導(dǎo)密度和低通態(tài)壓降，可實(shí)現(xiàn)逆變、變頻功能。在中低壓領(lǐng)域，IGBT廣泛應(yīng)用于新能源車和消費(fèi)電子。1700V以上的高壓領(lǐng)域，廣泛應(yīng)用于軌道交通、清潔發(fā)電和智能電網(wǎng)等重要領(lǐng)域，被稱為電子行業(yè)的“CPU”。近年來國(guó)內(nèi)廠商加速進(jìn)口替代，但主要功率器件國(guó)產(chǎn)化率較低。功率器件在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展于歐美，興起于日韓和中國(guó)臺(tái)灣，這些地區(qū)已建立先進(jìn)的半導(dǎo)體工業(yè)體系。中國(guó)大陸功率半導(dǎo)體整體起步較晚，經(jīng)過多年政策扶持和國(guó)產(chǎn)廠商努力，在二極管等中低端器件已大部分實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。在MOSFET、IGBT及其他中高端產(chǎn)品上，國(guó)產(chǎn)化程度較低。整體來看，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)頭部品牌均為國(guó)外廠商，全球十大功率器件廠商如下：Infineon（英飛凌）
Infineon脫胎于西門子半導(dǎo)體部門，于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立，是歐洲最大的半導(dǎo)體公司，其功率半導(dǎo)體在全球排名第一。其主要功率器件產(chǎn)品包括高度可靠的IGBT、功率 MOSFET、氮化鎵增強(qiáng)型 HEMT、功率分立式元件、保護(hù)開關(guān)、硅驅(qū)動(dòng)器、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器、IGBT 模塊、智能功率模塊（IPM）、線性調(diào)節(jié)器、電機(jī)控制解決方案、LED 驅(qū)動(dòng)器以及各種交流-直流、直流-交流和數(shù)字功率轉(zhuǎn)換等，涵蓋了所有功率技術(shù)——硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），功率方面覆蓋微安級(jí)到兆瓦級(jí)。ONSemiconductor（安森美）ON SemiconductorCorporation創(chuàng)立于1999年，是全球高性能電源解決方案供應(yīng)商。其主要功率器件產(chǎn)品包括汽車工業(yè)MOSFET、整流器、IGBT，全面的高能效電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制方案陣容，使其在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用領(lǐng)域都有良好的表現(xiàn)。ST（意法半導(dǎo)體）ST集團(tuán)于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成，是世界最大的半導(dǎo)體公司之一，也是世界領(lǐng)先的分立功率器件供應(yīng)商之一。其產(chǎn)品范圍包含MOSFET (包括運(yùn)用創(chuàng)新的MDmeshTM第二代技術(shù)的器件)、雙極晶體管、IGBT、肖特基與超快速恢復(fù)雙極工藝二極管、三端雙向可控硅開關(guān)及保護(hù)器件。此外，意法半導(dǎo)體的專利IPAD（集成有源和無源器件）技術(shù)，允許在單個(gè)芯片中整合多個(gè)有源和無源元件。Mitsubishi（三菱電機(jī)）Mitsubishi成立于1921年，主營(yíng)功率器件包括IGBT、IPM、MOSFET和SiC器件，并在白色家電、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)、軌道交通、綠色能源、衛(wèi)星、防御系統(tǒng)、電梯及自動(dòng)扶梯、汽車用電子用品、空調(diào)、通風(fēng)設(shè)備等領(lǐng)域的電力變換和電機(jī)控制中得到廣泛應(yīng)用。Toshiba（東芝）Toshiba創(chuàng)立于1875年，是日本最大的半導(dǎo)體制造商，隸屬于三井集團(tuán)。東芝的功率器件產(chǎn)品包括廣泛的二極管產(chǎn)品組合、雙極晶體管、VDSS為500~800V的中高壓DTMOSIV系列，VSS為12~250V的低電壓UMOS系列、SiC SBD，以及智能功率器件(IPD)IC，包括60V的低電壓IPD、和250V/500V的高壓IPD，可分別應(yīng)用于娛樂、汽車設(shè)備,以及家用電器和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域。Vishay（威世）Vishay集團(tuán)成立于1962年，是世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無源電子器件制造商和供應(yīng)商之一。其主要產(chǎn)品包括無源和分立有源電子元件，特別是電阻、電容器、感應(yīng)器、二極管和晶體管。廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、電話、電視、汽車、家用電器、醫(yī)療設(shè)備、衛(wèi)星、軍用及航空設(shè)備領(lǐng)域。Fuji Electric（富士電機(jī)）Fuji Electric成立于1923年，是一家以大型電氣機(jī)器為主產(chǎn)品的日本重電機(jī)制造商，主營(yíng)功率器件包括整流二極管、功率MOSFET、IGBT、電源控制IC、SiC器件等。值得一提的是，富士還是日立的 IGBT 芯片供應(yīng)商。擁有全世界最多的 IGBT 器件方面的技術(shù)專利，總數(shù)達(dá) 500 件?，F(xiàn)在，富士電機(jī)的 IGBT 幾乎占領(lǐng)了全日本的電動(dòng)汽車領(lǐng)域。Renesas（瑞薩）Renesas于2003年，由日立制作所半導(dǎo)體部門和三菱電機(jī)半導(dǎo)體部門合并成立，是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一。其主營(yíng)模擬功率器件包括雙極型功率晶體管、功率二極管、功率MOSFET、晶閘管和IGBT，廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、家居、辦公自動(dòng)化、信息通信技術(shù)等領(lǐng)域。Rohm（羅姆）Rohm創(chuàng)立于1958年，是全球著名半導(dǎo)體廠商之一。其主營(yíng)功率器件包括晶體管、二極管、IGBT、SiC功率器件和智能功率模塊，其功率器件產(chǎn)品線是小型高可靠性產(chǎn)品陣容的典型代表。Semikron（賽米控）Semikron成立于1951年，總部位于德國(guó)紐倫堡，是全球領(lǐng)先的功率模塊和系統(tǒng)制造商之一。其產(chǎn)品主要涉及中等功率輸出范圍（約2 kW至10 MW），是現(xiàn)代節(jié)能型電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的核心器件，廣泛應(yīng)用于電源、可再生能源（風(fēng)能和太陽能發(fā)電）和電動(dòng)車（私家車、廂式貨車、公交車、卡車、叉車等）領(lǐng)域。同時(shí)，Semikron也是全球前十大 IGBT 模塊供應(yīng)商，在 1700V 及以下電壓等級(jí)的消費(fèi) IGBT 領(lǐng)域處于優(yōu)勢(shì)地位。目前，賽米控在全球二極管和晶閘管半導(dǎo)體模塊市場(chǎng)占有 25%的份額。往期推薦:
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