半導(dǎo)體設(shè)備

一、 硅提煉及提純

硅的提純是第一道工序，需將沙石原料放入一個溫度超過兩千攝氏度的并有碳源的電弧熔爐中，在高溫下發(fā)生還原反應(yīng)得到冶金級硅，然后將粉碎的冶金級硅與氣態(tài)的氯化氫反應(yīng)，生成液態(tài)的硅烷，然后通過蒸餾和化學(xué)還原工藝，得到了高純度的多晶硅。

二、 單晶硅生長

(用直拉法制造晶圓的流程圖)

晶圓企業(yè)常用的是直拉法，如上圖所示，高純度的多晶硅放在石英坩堝中，并用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱，溫度維持在大約一千多攝氏度，爐中的空氣通常是惰性氣體，使多晶硅熔化，同時又不會產(chǎn)生不需要的化學(xué)反應(yīng)。 為了形成單晶硅，還需要控制晶體的方向，坩堝帶著多晶硅熔化物在旋轉(zhuǎn)，把一顆籽晶浸入其中，并且由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn)，同時慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。 熔化的多晶硅會粘在籽晶的底端，按籽晶晶格排列的方向不斷地生長上去。用直拉法生長后，單晶棒將按適當(dāng)?shù)某叽邕M行切割，然后進行研磨，再用化學(xué)機械拋光工藝使其至少一面光滑如鏡，這時候晶圓片就制造完成了。 晶圓制造廠把這些多晶硅融解，再在融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一顆晶面取向確定的籽晶在熔融態(tài)的硅原料中逐漸生成。

三、 晶圓成型

完成了上述兩道工藝， 硅晶棒再經(jīng)過切段，滾磨，切片，倒角，拋光，激光刻，包裝后，即成為集成電路工廠的基本原料——硅晶圓片，這就是“晶圓”。

在現(xiàn)實中，經(jīng)常會聽到人們講幾寸晶圓廠，它是說生產(chǎn)單片晶圓的尺寸。一般情況下，硅晶圓直徑越大，代表晶圓廠技術(shù)實力越強，如中芯國際以12寸晶圓為主，臺積電的8寸晶圓等。為了將電晶體與導(dǎo)線尺寸縮小，可以將幾片晶圓制作在同一片晶圓上，制作出更多的硅晶粒，但是硅晶圓生產(chǎn)最關(guān)鍵的參數(shù)就是良品率，這是晶圓廠的核心技術(shù)參數(shù)，它與硅晶圓生產(chǎn)設(shè)備的質(zhì)量密不可分。

制造一顆硅晶圓需要的半導(dǎo)體設(shè)備

制作一顆硅晶圓需要的半導(dǎo)體設(shè)備大致有十個，它們分別是單晶爐、氣相外延爐、氧化爐、磁控濺射臺、化學(xué)機械拋光機、光刻機、離子注入機、引線鍵合機、晶圓劃片機、晶圓減薄機，其實光刻機只是九牛一毛。

1、 單晶爐

單晶爐是一種在惰性氣體(氮氣、氦氣為主)環(huán)境中，用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生長無錯位單晶硅的設(shè)備。在實際生產(chǎn)單晶硅過程中，它扮演著控制硅晶體的溫度和質(zhì)量的關(guān)鍵作用。

由于單晶直徑在生長過程中可受到溫度、提拉速度與轉(zhuǎn)速、坩堝跟蹤速度、保護氣體流速等因素影響，其中生產(chǎn)的溫度主要決定能否成晶，而速度將直接影響到晶體的內(nèi)在質(zhì)量，而這種影響卻只能在單晶拉出后通過檢測才能獲知，單晶爐主要控制的方面包括晶體直徑、硅功率控制、泄漏率和氬氣質(zhì)量等。

2、 氣相外延爐

氣相外延爐主要是為硅的氣相外延生長提供特定的工藝環(huán)境，實現(xiàn)在單晶上生長與單晶晶相具有對應(yīng)關(guān)系的薄層晶體。外延生長是指在單晶襯底(基片)上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶層，猶如原來的晶體向外延伸了一段，為了制造高頻大功率器件，需要減小集電極串聯(lián)電阻，又要求材料能耐高壓和大電流，因此需要在低阻值襯底上生長一層薄的高阻外延層。

氣相外延爐能夠為單晶沉底實現(xiàn)功能化做基礎(chǔ)準(zhǔn)備，氣相外延即化學(xué)氣相沉積的一種特殊工藝，其生長薄層的晶體結(jié)構(gòu)是單晶襯底的延續(xù)，而且與襯底的晶向保持對應(yīng)的關(guān)系。

3、 氧化爐

硅與含有氧化物質(zhì)的氣體，例如水汽和氧氣在高溫下進行化學(xué)反應(yīng)，而在硅片表面產(chǎn)生一層致密的二氧化硅薄膜，這是硅平面技術(shù)中一項重要的工藝。氧化爐的主要功能是為硅等半導(dǎo)體材料進行氧化處理，提供要求的氧化氛圍，實現(xiàn)半導(dǎo)體預(yù)期設(shè)計的氧化處理過程，是半導(dǎo)體加工過程的不可缺少的一個環(huán)節(jié)。

4、 磁控濺射臺

磁控濺射是物理氣相沉積的一種，一般的濺射法可被用于制備半導(dǎo)體等材料，且具有設(shè)備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優(yōu)點。在硅晶圓生產(chǎn)過程中，通過二極濺射中一個平行于靶表面的封閉磁場，和靶表面上形成的正交電磁場，把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)域，實現(xiàn)高離子密度和高能量的電離，把靶原子或分子高速率濺射沉積在基片上形成薄膜。

5、 化學(xué)機械拋光機

一種進行化學(xué)機械研磨的機器，在硅晶圓制造中，隨著制程技術(shù)的升級、導(dǎo)線與柵極尺寸的縮小，光刻技術(shù)對晶圓表面的平坦程度的要求越來越高，IBM公司于1985年發(fā)展CMOS產(chǎn)品引入，并在1990年成功應(yīng)用于64MB的DRAM生產(chǎn)中，1995年以后，CMP技術(shù)得到了快速發(fā)展，大量應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

化學(xué)機械研磨亦稱為化學(xué)機械拋光，其原理是化學(xué)腐蝕作用和機械去除作用相結(jié)合的加工技術(shù)，是目前機械加工中唯一可以實現(xiàn)表面全局平坦化的技術(shù)。在實際制造中，它主要的作用是通過機械研磨和化學(xué)液體溶解“腐蝕”的綜合作用，對被研磨體(半導(dǎo)體)進行研磨拋光。

6、 光刻機

又名掩模對準(zhǔn)曝光機、曝光系統(tǒng)、光刻系統(tǒng)等，常用的光刻機是掩膜對準(zhǔn)光刻，一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過程將器件或電路結(jié)構(gòu)臨時“復(fù)制”到硅片上的過程。

7、 離子注入機

它是高壓小型加速器中的一種，應(yīng)用數(shù)量最多。它是由離子源得到所需要的離子，經(jīng)過加速得到幾百千電子伏能量的離子束流，用做半導(dǎo)體材料、大規(guī)模集成電路和器件的離子注入，還用于金屬材料表面改性和制膜等 。

在進行硅生產(chǎn)工藝?yán)锩?，需要用到離子注入機對半導(dǎo)體表面附近區(qū)域進行摻雜，離子注入機是集成電路制造前工序中的關(guān)鍵設(shè)備，離子注入是對半導(dǎo)體表面附近區(qū)域進行摻雜的技術(shù)目的是改變半導(dǎo)體的載流子濃度和導(dǎo)電類型，離子注入與常規(guī)熱摻雜工藝相比可對注入劑量角度和深度等方面進行精確的控制，克服了常規(guī)工藝的限制，降低了成本和功耗。

8、 引線鍵合機

它的主要作用是把半導(dǎo)體芯片上的Pad與管腳上的Pad，用導(dǎo)電金屬線(金絲)鏈接起來。引線鍵合是一種使用細金屬線，利用熱、壓力、超聲波能量為使金屬引線與基板焊盤緊密焊合，實現(xiàn)芯片與基板間的電氣互連和芯片間的信息互通。在理想控制條件下，引線和基板間會發(fā)生電子共享或原子的相互擴散，從而使兩種金屬間實現(xiàn)原子量級上的鍵合。

9、 晶圓劃片機

因為在制造硅晶圓的時候，往往是一整大片的晶圓，需要對它進行劃片和處理，這時候晶圓劃片機的價值就體現(xiàn)出了。之所以晶圓需要變換尺寸，是為了制作更復(fù)雜的集成電路。

10、 晶圓減薄機

在硅晶圓制造中，對晶片的尺寸精度、幾何精度、表面潔凈度以及表面微晶格結(jié)構(gòu)提出很高要求，因此在幾百道工藝流程中，不可采用較薄的晶片，只能采用一定厚度的晶片在工藝過程中傳遞、流片。晶圓減薄，是在制作集成電路中的晶圓體減小尺寸，為了制作更復(fù)雜的集成電路。在集成電路封裝前，需要對晶片背面多余的基體材料去除一定的厚度，這一工藝需要的裝備就是晶片減薄機。

當(dāng)然了，在實際的生產(chǎn)過程中，硅晶圓制造需要的設(shè)備遠遠不止這些。之所以光刻機的關(guān)注度超越了其它半導(dǎo)體設(shè)備，這是由于它的技術(shù)難度是最高的，目前僅有荷蘭和美國等少數(shù)國家擁有核心技術(shù)。近年來，國內(nèi)的企業(yè)不斷取得突破，在光刻機技術(shù)上也取得了不錯的成績，前不久，國產(chǎn)首臺超分辨光刻機被研制出來，一時間振奮了國人，隨著中國自主研發(fā)的技術(shù)不斷取得進步，未來中國自己生產(chǎn)的晶圓也將不斷問世。

下面本人附錄國際上著名的半導(dǎo)體設(shè)備廠商、晶圓廠，在半導(dǎo)體行業(yè)是贏者全拿，國際前兩名從業(yè)站拿下8層以上的市場份額。