大家好,今天和大家分享一下STM32F103C8T6讀寫內(nèi)部flash,關于103系列的單片機大家可以參考選項手冊查看flash的容量。
一、芯片F(xiàn)LASH容量分類:
可以看到我們今天介紹的這款芯片的flash大小是64K的,網(wǎng)上也有人說它可以支持到128K,但是官方給出的解釋是前64K是有保證的,后面的無法保證,所以想要使用的小伙伴需要慎重。
現(xiàn)在芯片的flash大小我們知道了,下面就可以看看這個flash是怎么劃分的了,通過芯片數(shù)據(jù)手冊,我們能看到今天說的STM32F103C8T6是屬于中等容量的設備。
既然是中等容量的設備了,那我們就來看看flash劃分吧,在STM32的閃存編程手冊中有這樣一段話:按照不同容量,存儲器組織成:
32個1K字節(jié)/頁(小容量)128個1K字節(jié)/頁(中容量)256個2K字節(jié)/頁(大容量)
這段話怎么理解呢,就是告訴我們小容量的設備(內(nèi)存是6K和32K)的設備是由1K字節(jié)每頁組成的。
中容量的設備(內(nèi)存是64K和128K)的設備是由1K字節(jié)每頁組成的。大容量的設備(內(nèi)存是256K、384K和512K)的設備是由2K字節(jié)每頁組成的。
舉個例子吧:
一個芯片的存儲容量是64K,這64K是什么呢,就是64*1024個BYTE,一個BYTE是由8位0或1組成的,(比如0000 1111 這8個二進制數(shù)組成了一個字節(jié),用十進制來說就是15)
小結一下:64K的flash可以存儲64*1024個字節(jié)的數(shù)據(jù)。
咱們繼續(xù)說,這64K的數(shù)據(jù)怎么劃分,存儲是按照頁為單位進行存儲的,一頁1K的容量,也就說一頁可以存儲1024個字節(jié)。
一共是多少頁?
答案是:64頁,我們看一下官方是不是這么說的。
在閃存編程手冊里確實是這么說的,所以我們剛才說是64頁是正確的
二、 讀寫步驟:
上面我們知道了芯片是怎么分類的,下面我們就重點來講解一下芯片是怎么讀寫的。
內(nèi)部flash我們參照HAL庫或者標準庫,直接調(diào)用ST公司給我們封裝好的庫進行編程就可以了,這里我用的是標準庫,有興趣的小伙伴可以去看看HAL庫。
是不是有小伙伴會疑問什么是標準庫,什么是HAL庫?
在這里給大家解釋一下,這兩個庫都是ST公司,直接把寄存器封裝成函數(shù),供大家直接調(diào)用某一個函數(shù),就可以完成各種寄存器的配置,不容大家直面芯片的寄存器,方便閱讀和使用,因為每個函數(shù)的名稱功能都是不一樣的,在調(diào)用前可以參考函數(shù)的注釋,在F0和F4的標準庫里甚至有每個函數(shù)的用法,不知道為什么在F1的庫里把使用步驟去掉了。
咱們繼續(xù),讀寫的話庫函數(shù)分為:
/*------------ Functions used for all STM32F10x devices -----*/
void FLASH_SetLatency(uint32_t FLASH_Latency);
void FLASH_HalfCycleAccessCmd(uint32_t FLASH_HalfCycleAccess);
void FLASH_PrefetchBufferCmd(uint32_t FLASH_PrefetchBuffer);
void FLASH_Unlock(void);
void FLASH_Lock(void);
FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);
FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);
FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);
FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);
FLASH_Status FLASH_EnableWriteProtection(uint32_t FLASH_Pages);
FLASH_Status FLASH_ReadOutProtection(FunctionalState NewState);
FLASH_Status FLASH_UserOptionByteConfig(uint16_t OB_IWDG, uint16_t OB_STOP, uint16_t OB_STDBY);
uint32_t FLASH_GetUserOptionByte(void);
uint32_t FLASH_GetWriteProtectionOptionByte(void);
FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionStatus(void);
FlagStatus FLASH_GetPrefetchBufferStatus(void);
void FLASH_ITConfig(uint32_t FLASH_IT, FunctionalState NewState);
FlagStatus FLASH_GetFlagStatus(uint32_t FLASH_FLAG);
void FLASH_ClearFlag(uint32_t FLASH_FLAG);
FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);
FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);
/*------------ New function used for all STM32F10x devices -----*/
void FLASH_UnlockBank1(void);
void FLASH_LockBank1(void);
FLASH_Status FLASH_EraseAllBank1Pages(void);
FLASH_Status FLASH_GetBank1Status(void);
FLASH_Status?FLASH_WaitForLastBank1Operation(uint32_t?Timeout);
在這里就不一個一個的詳細說了,我們說一下常用的就行
1. 解鎖void FLASH_Unlock(void);
2. 上鎖void FLASH_Lock(void);
3. 頁擦除FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);
4. 半字寫入FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);
上面這4個函數(shù)就是我們最常用的。
下面說一下數(shù)據(jù)寫入的步驟:
第一步:解鎖。
第二步:判斷寫入的數(shù)據(jù)是否被擦除過,也就是判斷寫入的地址內(nèi)存放的是不是0xFFFF 這里要重點說一下,為什么要判斷是不是0xFFFF而不是判斷是不是0xFF呢?因為我們每次寫入數(shù)據(jù)都要寫入半字,也就是兩個字節(jié)的數(shù)據(jù)才行,而且寫入的地址只能是2的整數(shù)倍,不能是奇數(shù)。這里大家注意一下。
第三步:寫入數(shù)據(jù) STM32F103C8T6只能按照半字的方式進行數(shù)據(jù)寫入,寫入前的數(shù)據(jù)必須是0XFFFF,因為FLASH數(shù)據(jù)寫入,只能寫0,不能寫1,這也就是為什么我們要先確保寫入前的數(shù)據(jù)是被擦除了的原因。
第四步:上鎖。
第五步:驗證寫入是否正確。
其實第五步可以省略。
我們看看官方給的寫入過程:
好了,其實是一樣的。下面我就和大家來分享一下(百分之九十九參考的正點原子的例程)。
//不檢查的寫入
//WriteAddr:起始地址
//pBuffer:數(shù)據(jù)指針
//NumToWrite:半字(16位)數(shù)
void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{
u16 i;
for(i=0;i
{
FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer);
WriteAddr =2;//地址增加2.
}
}
//從指定地址開始寫入指定長度的數(shù)據(jù)
//WriteAddr:起始地址(此地址必須為2的倍數(shù)!!)
//pBuffer:數(shù)據(jù)指針
//NumToWrite:半字(16位)數(shù)(就是要寫入的16位數(shù)據(jù)的個數(shù).)
u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字節(jié)
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{
u32 secpos; //扇區(qū)地址
u16 secoff; //扇區(qū)內(nèi)偏移地址(16位字計算)
u16 secremain; //扇區(qū)內(nèi)剩余地址(16位字計算)
u16 i;
u32 offaddr; //去掉0X08000000后的地址
if(WriteAddr=(STM32_FLASH_BASE 1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
FLASH_Unlock(); //解鎖
offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE; //實際偏移地址.
secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE; //扇區(qū)地址 0~127 for STM32F103RBT6
secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2; //在扇區(qū)內(nèi)的偏移(2個字節(jié)為基本單位.)
secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff; //扇區(qū)剩余空間大小
if(NumToWrite<=secremain)
{
secremain=NumToWrite;//不大于該扇區(qū)范圍
}
while(1)
{
STMFLASH_Read(((secpos*STM_SECTOR_SIZE) STM32_FLASH_BASE),STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//讀出整個扇區(qū)的內(nèi)容
for(i=0;i//校驗數(shù)據(jù)
// for(i=0;i<(STM_SECTOR_SIZE/2);i )//校驗數(shù)據(jù)
{
if(STMFLASH_BUF[secoff i]!=0XFFFF)break;//需要擦除
// if(STMFLASH_BUF!=0XFFFF)break;//需要擦除
}
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
if(i//需要擦除
// if(i<(STM_SECTOR_SIZE/2))//需要擦除
{
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE STM32_FLASH_BASE);//擦除這個扇區(qū)
for(i=0;i//復制
{
STMFLASH_BUF[i secoff]=pBuffer;
}
STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//寫入整個扇區(qū)
}else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//寫已經(jīng)擦除了的,直接寫入扇區(qū)剩余區(qū)間.
if(NumToWrite==secremain)break;//寫入結束了
else//寫入未結束
{
secpos ; //扇區(qū)地址增1
secoff=0; //偏移位置為0
pBuffer =secremain; //指針偏移
WriteAddr =(secremain*2); //寫地址偏移
NumToWrite-=secremain; //字節(jié)(16位)數(shù)遞減
if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))
{
secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一個扇區(qū)還是寫不完
}
else
{
secremain=NumToWrite;//下一個扇區(qū)可以寫完了
}
}
}
FLASH_Lock();//上鎖
}
最終我們調(diào)用STMFLASH_Write()函數(shù)進行數(shù)據(jù)的寫入,是不是有沒看懂的小伙伴,我給大家解釋一下寫入的過程吧。
這個STMFLASH_Write()函數(shù),是說給定一個寫入的地址、數(shù)據(jù)和寫入的個數(shù),然后按照給定的地址開始寫數(shù)據(jù),注意紅色字體。
寫數(shù)據(jù)是怎么做的呢?
首先是整理一下寫入的頁地址和需要寫入多少頁,每一頁寫入的話起始地址是什么然后開始一頁一頁的寫,當遇到跨頁寫入的時候,把第二頁的地址寫進去,寫的個數(shù)繼續(xù)寫入就行。
還有一個地方很重要,就是我修改了庫函數(shù):
/**
* [url=home.php?mod=space