雜散電容

寄生的含義就是本來沒有在那個地方設(shè)計電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容，又稱雜散電容。

寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實際上，一個電容等效于一個電容，一個電感，和一個電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會增大，不能忽略。在計算中我們要考慮進(jìn)去。ESL就是等效電感，ESR就是等效電阻。不管是電阻，電容，電感，還是二極管，三極管，MOS管，還有IC，在高頻的情況下我們都要考慮到它們的等效電容值，電感值。

"寄生電容" 在學(xué)術(shù)文獻(xiàn)中的解釋1、另一方面?zhèn)鞲衅鞒袠O板間電容外，極板與周圍體(各種元件甚至人體)也產(chǎn)生電容聯(lián)系，這種電容稱為寄生電容。它不但改變了電容傳感器的電容量，而且由于傳感器本身電容量很小，寄生電容極不穩(wěn)定，這也導(dǎo)致傳感器特性不穩(wěn)定,對傳感器產(chǎn)生嚴(yán)重干擾。2、分布在導(dǎo)線之間、線圈與機(jī)殼之間以及某些元件之間的分布電容等,這些電容稱為寄生電容，它們的數(shù)值雖小，但是卻是引起干擾的重要原因。動態(tài)讀寫存貯器(DRAM)，以其速度快、集成度高、功耗小、價格低在微型計算機(jī)中得到極其廣泛地使用。但動態(tài)存儲器同靜態(tài)存儲器有不同的工作原理。它是靠內(nèi)部寄生電容充放電來記憶信息，電容充有電荷為邏輯1，不充電為邏輯0。實際上,由于頻率的不斷提高,致使引線寄生電感、寄生電容的影響愈加嚴(yán)重,對器件造成更大的電應(yīng)力(表現(xiàn)為過電壓、過電流毛刺)。為了提高系統(tǒng)的可靠性,有些制造商開發(fā)了“用戶專用”功率模塊(ASPM),它把一臺整機(jī)的幾乎所有硬件都以芯片的形式安裝到一個模塊中,使元器件之間不再有傳統(tǒng)的引線連接,這樣的模塊經(jīng)過嚴(yán)格、合理的熱、電、 機(jī)械方面的設(shè)計,達(dá)到優(yōu)化完美的境地。它類似于微電子中的用戶專用集成電路(ASIC)。

只要把控制軟件寫入該模塊中的微處理器芯片,再把整個模塊固定在相應(yīng)的散熱器上,就構(gòu)成一臺新型的開關(guān)電源裝置。由此可見,模塊化的目的不僅在于使用方便,縮小整機(jī)體積,更重要的是取消傳統(tǒng)連線,把寄生參數(shù)降到最小,從而把器件承受的電應(yīng)力降至最低,提高系統(tǒng)的可靠性。低頻下，所有三種電容器均未表現(xiàn)出寄生分量，因為阻抗明顯只與電容相關(guān)。但是，鋁電解電容器阻抗停止減小，并在相對低頻時開始表現(xiàn)出電阻特性。這種電阻特性不斷增加，直到達(dá)到某個相對高頻為止(電容器出現(xiàn)電感)。鋁聚合物電容器為與理想狀況不符的另一種電容器。有趣的是，它擁有低ESR，并且ESL很明顯。陶瓷電容器也有低ESR，但由于其外殼尺寸更小，它的ESL小于鋁聚合物和鋁電解電容器。