明月未出群山高,瑞光千丈生白毫一杯未盡銀闕涌,亂云脫壞如崩濤中秋節(jié)還被稱為“端正月”。關于“團圓節(jié)”的記載最早見于明代文學作品。《西湖游覽志余》中說:“八月十五謂中秋,民間以月餅相送,取團圓之意?!?
一個人的工作能力是指他承擔某項工作、執(zhí)行某項業(yè)務、任務的能力。具體表現有兩方面,一是他的專業(yè)知識水平,二是他解決、處理實際工作的能力。在實踐中二者常常是揉合在一起,相得益彰。運用所學知識處理實際工作的能力主要通過實踐培養(yǎng)起來的。
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隨著全球新能源汽車的蓬勃發(fā)展,越來越多的家庭在購車時選擇電動汽車作為家用車,而在選購時,通常將汽車的續(xù)航作為一個重要參考指標。如何提高電動汽車的續(xù)航呢?一方面可以通過增加電池的總容量,另一方面,通過降低車載設備的功耗。為此,東芝推出了有助于降低車載設備功耗的小型表面貼裝的40V N溝道功率MOSFET:XPN7R104NC,讓我們一起來看看它到底是一顆怎樣的器件呢?
01觀其表:器件特性
XPN7R104NC是東芝為減小車載設備功耗而推出的一款小型貼片封裝的全新N溝道功率MOSFET,其采用帶有可焊錫側翼引腳結構的TSON Advance(WF)封裝技術,便于對電路板安裝條件進行自動目視檢查。此外,采用“U-MOSVIII-H”工藝的低導通電阻設計有助于設備降低設備功耗,達到節(jié)能的效果。同時他能夠代替具有相同封裝尺寸的傳統(tǒng)東芝產品,在性能改進的基礎上,還有利于通過更換類似的5mm×6mm尺寸產品,以促進ECU的小型化。
XPN7R104NC的特性如下:
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低漏極-源極導通電阻:柵極-源極電壓VGS=10V時,RDS(ON)=7.1mΩ(最大值);
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低漏電流:漏極-源極電壓VDS=40V時,IDSS=10μA(最大值);
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增強型MOS:柵極閾值電壓Vth=1.5V至2.5V(VDS=0V,ID=0.2mA);
02知其理:應用電路
XPN7R104NC是東芝XRN系列小型表面貼裝N溝道功率MOSFET的一員,其內部結構原理如下圖所示:
從器件內部結構圖可以看出,單片XPN7R104NC芯片中,僅有一個N-MOS結構,其1/2/3pin為源極(Source),4pin為柵極(Gate),5/6/7/8pin均為漏極(Drain),在使用時需要特別注意。同時東芝官方給出了應用電路示例,方便工程師在設計電路時進行參考。
03明其用:應用場景
XPN7R104NC作為東芝新推出的MOSFET器件,其擁有多項新特性,如新型的TSON Advance(WF)封裝,新型的“U-MOSVIII-H”工藝,這些都為XPN7R104NC帶來更加優(yōu)異的性能表現,使得這款功率MOSFET能夠在車載設備、開關穩(wěn)壓器、DC-DC轉換器以及電機驅動電路中發(fā)揮其應用價值。
東芝作為世界級的半導體設計公司,憑借其豐富的產品設計經驗及技術創(chuàng)新能力,不僅使設計的功率驅動器件滿足性能需求,同時也能兼顧環(huán)保及降低設備功耗,而這也契合未來電子產品及工業(yè)設備設計的需要,相信這些特點能夠讓東芝的器件大放異彩。
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