NAND巨頭走向“升維打擊”，更高的層數(shù)意味著什么？
[導(dǎo)讀]集成電路時(shí)代，巨頭廠商紛紛將焦點(diǎn)瞄準(zhǔn)更高維度的3D，進(jìn)行“升維打擊”。NAND閃存亦如此，2DNAND平面工藝正伴隨摩爾定律放緩而逐漸轉(zhuǎn)向3DNAND的三維層面。當(dāng)2D變?yōu)?D，檢驗(yàn)NAND閃存是否先進(jìn)的條件，便順理成章地變?yōu)槎褩訑?shù)的提升。這類似機(jī)械硬盤增加碟數(shù)來(lái)提高容量密度的...
集成電路時(shí)代，巨頭廠商紛紛將焦點(diǎn)瞄準(zhǔn)更高維度的3D，進(jìn)行“升維打擊”。NAND閃存亦如此，2D NAND平面工藝正伴隨摩爾定律放緩而逐漸轉(zhuǎn)向3D NAND的三維層面。
當(dāng)2D變?yōu)?D，檢驗(yàn)NAND閃存是否先進(jìn)的條件，便順理成章地變?yōu)槎褩訑?shù)的提升。這類似機(jī)械硬盤增加碟數(shù)來(lái)提高容量密度的做法，通過(guò)增加層數(shù)NAND閃存的密度和容量獲得了提高、單位成本降低。
Micron（美光科技）率先出貨了首款176層NAND閃存，一舉刷新了行業(yè)記錄，這也是美光科技第五代的3D NAND技術(shù)。而后，其他企業(yè)也陸續(xù)開(kāi)啟176層NAND閃存之路。
176層意味著什么？請(qǐng)看以下幾組數(shù)據(jù)：
30%裸片尺寸縮小：176層NAND的緊湊型設(shè)計(jì)的裸片尺寸比同類最好的競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品小30%左右，汽車、工業(yè)、消費(fèi)類和移動(dòng)等領(lǐng)域的應(yīng)用，需要使用microSD、球柵陣列SSD、eMMC、通用閃存以及多芯片封裝外形尺寸較小的封裝形式，而176層NAND是這類空間受限應(yīng)用的理想選擇。
35%讀寫(xiě)延遲縮短：176層NAND與美光96層大容量浮動(dòng)?xùn)艠ONAND相比讀取和寫(xiě)入延遲降低了35%以上，與美光128層替換柵極NAND相比降低了25%以上，層數(shù)的進(jìn)展顯著提高了應(yīng)用性能。
33%傳輸速度提升：176層NAND最大數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)1600MT/s，美光前兩代的96層和128層NAND產(chǎn)品為1200MT/s，相比之下提高了33%，更快的ONFI 速度意味著系統(tǒng)啟動(dòng)更迅速、應(yīng)用程序性能更出眾。
毋庸置疑，3D NAND產(chǎn)品的面世為行業(yè)降低了成本，創(chuàng)造了巨大的價(jià)值。美光的176層NAND同樣具有很大的里程碑意義。
回望過(guò)去，176層這一數(shù)值已是3D NAND早期層數(shù)的近10倍，10倍的密度意味著智能手機(jī)和固態(tài)硬盤能夠處理更多的工作、存儲(chǔ)更多的內(nèi)容、讓更多的人買得起、更好地改善人們的日常生活。
這將使更多的應(yīng)用能夠采用NAND閃存，并取代HDD等其他傳統(tǒng)存儲(chǔ)介質(zhì)。
針對(duì)這款產(chǎn)品，
美光聯(lián)合21ic，特別推出了有趣的小游戲，讓你邊拿獎(jiǎng)品邊學(xué)干貨！
暑夏已過(guò)，爽秋來(lái)臨，這個(gè)秋天，美光要帶大家玩點(diǎn)不一樣的。誰(shuí)說(shuō)內(nèi)存與存儲(chǔ)的世界只有無(wú)趣的代碼的和古板的數(shù)據(jù)，我們要拒絕平凡、拒絕老套、拒絕平淡無(wú)奇，我們要玩出奇趣、玩出刺激、玩出不一樣的精彩。本次，美光科技為大家?guī)?lái)好玩且刺激的密室逃脫大游戲。四大關(guān)卡，四重獎(jiǎng)勵(lì)，還不趕緊行動(dòng)起來(lái)！
游戲說(shuō)明
1、本游戲共分為4個(gè)密室逃脫關(guān)卡，每闖過(guò)一關(guān)均有機(jī)會(huì)獲得論壇打賞，另憑借星還可兌換驚喜禮品。
2、第一次便挑戰(zhàn)成功可獲得3星，否則獲得2星。
3、美光官微關(guān)注、轉(zhuǎn)發(fā)、評(píng)論、點(diǎn)贊等作為加碼項(xiàng)目，可額外獲得1顆星獎(jiǎng)勵(lì)。
4、憑借星星數(shù)目可以申請(qǐng)兌換獎(jiǎng)品哦~每件獎(jiǎng)品僅可兌換1次?；顒?dòng)結(jié)束后系統(tǒng)將在申請(qǐng)兌換的用戶中隨機(jī)抽取幸運(yùn)用戶發(fā)放獎(jiǎng)品，并于論壇公布。
獎(jiǎng)品展示
↙點(diǎn)擊下方“閱讀原文”立即參加活動(dòng)
當(dāng)2D變?yōu)?D，檢驗(yàn)NAND閃存是否先進(jìn)的條件，便順理成章地變?yōu)槎褩訑?shù)的提升。這類似機(jī)械硬盤增加碟數(shù)來(lái)提高容量密度的做法，通過(guò)增加層數(shù)NAND閃存的密度和容量獲得了提高、單位成本降低。
Micron（美光科技）率先出貨了首款176層NAND閃存，一舉刷新了行業(yè)記錄，這也是美光科技第五代的3D NAND技術(shù)。而后，其他企業(yè)也陸續(xù)開(kāi)啟176層NAND閃存之路。
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35%讀寫(xiě)延遲縮短：176層NAND與美光96層大容量浮動(dòng)?xùn)艠ONAND相比讀取和寫(xiě)入延遲降低了35%以上，與美光128層替換柵極NAND相比降低了25%以上，層數(shù)的進(jìn)展顯著提高了應(yīng)用性能。
33%傳輸速度提升：176層NAND最大數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)1600MT/s，美光前兩代的96層和128層NAND產(chǎn)品為1200MT/s，相比之下提高了33%，更快的ONFI 速度意味著系統(tǒng)啟動(dòng)更迅速、應(yīng)用程序性能更出眾。
毋庸置疑，3D NAND產(chǎn)品的面世為行業(yè)降低了成本，創(chuàng)造了巨大的價(jià)值。美光的176層NAND同樣具有很大的里程碑意義。
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這將使更多的應(yīng)用能夠采用NAND閃存，并取代HDD等其他傳統(tǒng)存儲(chǔ)介質(zhì)。
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1、本游戲共分為4個(gè)密室逃脫關(guān)卡，每闖過(guò)一關(guān)均有機(jī)會(huì)獲得論壇打賞，另憑借星還可兌換驚喜禮品。
2、第一次便挑戰(zhàn)成功可獲得3星，否則獲得2星。
3、美光官微關(guān)注、轉(zhuǎn)發(fā)、評(píng)論、點(diǎn)贊等作為加碼項(xiàng)目，可額外獲得1顆星獎(jiǎng)勵(lì)。
4、憑借星星數(shù)目可以申請(qǐng)兌換獎(jiǎng)品哦~每件獎(jiǎng)品僅可兌換1次?；顒?dòng)結(jié)束后系統(tǒng)將在申請(qǐng)兌換的用戶中隨機(jī)抽取幸運(yùn)用戶發(fā)放獎(jiǎng)品，并于論壇公布。
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