為什么有人說“CPU是人造物的巔峰”?
芯片的本質(zhì)是將大規(guī)模的集成電路小型化
小到可謂在頭發(fā)絲上建造萬丈高樓,在方寸之間建造一座微縮的大型城市。我們通常所說10nm、7nm、5nm的芯片中的納米(nm)是指晶體管柵極的長度。1納米相當(dāng)于4倍原子大小,是一根頭發(fā)絲直徑的10萬分之一,比單個(gè)細(xì)菌(5微米)長度還要小得多。能工巧匠通過手工操作的最小尺度大概是在1粒米上刻字。當(dāng)然,超高精度的機(jī)床,加工精度能夠達(dá)到0.01-0.001微米(μm)。這就意味著,通過雙手和普通的工具很難達(dá)到納米級(jí)的尺度。在納米級(jí)的尺度上建高樓大廈,同時(shí)要使晶體管、銅導(dǎo)線及其他材料涇渭分明,就需要使用特殊的刻刀,用光來做刻刀。光刻的原理其實(shí)特別簡單,就像我們?cè)谏碁裉?,陽光能夠照射到的皮膚呈現(xiàn)一種狀態(tài),而陽光不能照射到的皮膚呈現(xiàn)另一種狀態(tài)。芯片的制造原理
芯片想要做的越小,在單位面積內(nèi)容納更多的晶體管來實(shí)現(xiàn)更多的功能同時(shí)降低能耗,使用更短波長的光源是最直接的手段。芯片的圖紙?jiān)O(shè)計(jì)好后,會(huì)制作成一層層的光罩(芯片是由幾十層電路構(gòu)成,一層一個(gè)光罩)。然后讓光透過光罩射到晶圓上,被光罩上的電路圖擋住找不到光的部分留下,而被光照到的空余部分的感光材料會(huì)被化學(xué)腐蝕反應(yīng)分解出去(或用等離子體轟擊晶圓表面的方式去除沒有被光覆蓋的位置),電路就會(huì)被刻在晶圓上了。再通過離子注入把雜質(zhì)離子轟進(jìn)半導(dǎo)體晶格中,使晶格中的原子排列混亂或變成非晶區(qū)。將離子注入后的半導(dǎo)體放在一定溫度下進(jìn)行加熱,恢復(fù)晶體的結(jié)構(gòu)、消除缺陷,從而激活半導(dǎo)體材料的不同電學(xué)性能。再通過氣相沉積、電鍍的方式形成金屬連線或絕緣層。- 物理氣相沉積用于形成各種金屬層,連通不同的器件和電路,以便進(jìn)行邏輯和模擬計(jì)算。
- 化學(xué)氣相沉積用于形成不同金屬層之間的絕緣層。
- 電鍍用于生長銅連線金屬層。
在整個(gè)芯片制造過程中的極限難度
在整個(gè)芯片制造過程中難度并不在于“如何制備高純度硅?”、“如何畫芯片電路圖?”、“如何制作光刻膠?”、“繁瑣的工序”等,極限難度在于如何將電路刻畫到晶圓上,同時(shí)又保持晶體管和電路的涇渭分明,并且在納米的尺度上保持多層光刻電路的對(duì)齊。這就是為什么AMSL的EUV坐在光刻機(jī)的巔峰,一枝獨(dú)秀形成高端光刻機(jī)市場的絕對(duì)壟斷地位。為了控制光刻機(jī)精度的EUV光刻機(jī)系統(tǒng)采用極紫光作為光源,擁有10萬個(gè)零件、4萬個(gè)螺栓、3千條電線、2公里長軟管,絕大多數(shù)零件都是集全人類智慧大成的產(chǎn)物,如:美國的光柵、德國的鏡頭、瑞典的軸承、法國的閥件等。每臺(tái)EUV造價(jià)達(dá)1億美元,重達(dá)180噸,每次運(yùn)輸要?jiǎng)佑?0個(gè)貨柜、20輛卡車,每次運(yùn)輸需要3架次貨機(jī)才能運(yùn)完,安裝調(diào)試也需要一年的時(shí)間。所以注定了ASML的EUV一年最高產(chǎn)量只有30部。光刻機(jī)的原理雖然簡單,但要能制造出7nm、5nm芯片的光刻機(jī)難度可以想象,就算給你全部的零件和圖紙也很難調(diào)試到可用的精度。
這并不是一個(gè)普通人能夠仰望的高度,甚至是一個(gè)國家難以仰望的高度。好在我國早已布局芯片產(chǎn)業(yè),雖然存在技術(shù)代差,但這種技術(shù)代差在不斷縮小,也并不是所有的芯片都需要做小,目前7nm、5nm芯片也僅僅用于手機(jī)。END
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