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[導(dǎo)讀]介紹美國DALLAS公司推出的具有涓細(xì)電流充電能力的低功耗實(shí)時(shí)時(shí)鐘電路DS1302的結(jié)構(gòu)、工作原理及其在實(shí)時(shí)顯示時(shí)間中的應(yīng)用。它可以對年、月、日、周日、時(shí)、分、秒進(jìn)行計(jì)時(shí),且具有閏年補(bǔ)償?shù)榷喾N功能。給出DS1302在讀寫中的C51程序及流程圖,以及在調(diào)試過程中的注意事項(xiàng)。

引言現(xiàn)在流行的串行時(shí)鐘電路很多,如DS1302、 DS1307、PCF8485等。這些電路的接口簡單、價(jià)格低廉、使用方便,被廣泛地采用。本文介紹的實(shí)時(shí)時(shí)鐘電路DS1302是DALLAS公司的一種具有涓細(xì)電流充電能力的電路,主要特點(diǎn)是采用串行數(shù)據(jù)傳輸,可為掉電保護(hù)電源提供可編程的充電功能,并且可以關(guān)閉充電功能。采用普通32.768kHz晶振。折疊編輯本段簡介DS1302 是美國DALLAS公司推出的一種高性能、低功耗、帶RAM的實(shí)時(shí)時(shí)鐘電路,它可以對年、月、日、周日、時(shí)、分、秒進(jìn)行計(jì)時(shí),具有閏年補(bǔ)償功能,工作電壓為2.5V~5.5V。采用三線接口與CPU進(jìn)行同步通信,并可采用突發(fā)方式一次傳送多個(gè)字節(jié)的時(shí)鐘信號或RAM數(shù)據(jù)。DS1302內(nèi)部有一個(gè)31×8的用于臨時(shí)性存放數(shù)據(jù)的RAM寄存器。DS1302是DS1202的升級產(chǎn)品,與DS1202兼容,但增加了主電源/后備電源雙電源引腳,同時(shí)提供了對后備電源進(jìn)行涓細(xì)電流充電的能力。折疊編輯本段結(jié)構(gòu)引腳功能及結(jié)構(gòu)在DS1302的引腳排列,其中Vcc1為后備電源,VCC2為主電源。在主電源關(guān)閉的情況下,也能保持時(shí)鐘的連續(xù)運(yùn)行。DS1302由Vcc1或Vcc2兩者中的較大者供電。當(dāng)Vcc2大于Vcc1+0.2V時(shí),Vcc2給DS1302供電。當(dāng)Vcc2小于Vcc1時(shí),DS1302由Vcc1供電。X1和X2是振蕩源,外接32.768kHz晶振。RST是復(fù)位/片選線,通過把RST輸入驅(qū)動(dòng)置高電平來啟動(dòng)所有的數(shù)據(jù)傳送。RST輸入有兩種功能:首先,RST接通控制邏輯,允許地址/命令序列送入移位寄存器;其次,RST提供終止單字節(jié)或多字節(jié)數(shù)據(jù)的傳送手段。當(dāng)RST為高電平時(shí),所有的數(shù)據(jù)傳送被初始化,允許對DS1302進(jìn)行操作。如果在傳送過程中RST置為低電平,則會(huì)終止此次數(shù)據(jù)傳送,I/O引腳變?yōu)楦咦钁B(tài)。上電運(yùn)行時(shí),在Vcc≥2.5V之前,RST必須保持低電平。只有在SCLK為低電平時(shí),才能將RST置為高電平。I/O為串行數(shù)據(jù)輸入輸出端(雙向),后面有詳細(xì)說明。SCLK始終是輸入端。折疊編輯本段工作原理折疊控制字節(jié)DS1302 的控制字符表示??刂谱止?jié)的最高有效位(位7)必須是邏輯1,如果它為0,則不能把數(shù)據(jù)寫入DS1302中,位6如果為0,則表示存取日歷時(shí)鐘數(shù)據(jù),為1表示存取RAM數(shù)據(jù);位5至位1指示操作單元的地址;最低有效位(位0)如為0表示要進(jìn)行寫操作,為1表示進(jìn)行讀操作,控制字節(jié)總是從最低位開始輸出。折疊輸入輸出在控制指令字輸入后的下一個(gè)SCLK時(shí)鐘的上升沿時(shí),數(shù)據(jù)被寫入DS1302,數(shù)據(jù)輸入從低位即位0開始。同樣,在緊跟8位的控制指令字后的下一個(gè)SCLK脈沖的下降沿讀出DS1302的數(shù)據(jù),讀出數(shù)據(jù)時(shí)從低位0位到高位7。折疊寄存器DS1302有12個(gè)寄存器,其中有7個(gè)寄存器與日歷、時(shí)鐘相關(guān),存放的數(shù)據(jù)位為BCD碼形式,其日歷、時(shí)間寄存器及其控制字見表1。此外,DS1302 還有年份寄存器、控制寄存器、充電寄存器、時(shí)鐘突發(fā)寄存器及與RAM相關(guān)的寄存器等。時(shí)鐘突發(fā)寄存器可一次性順序讀寫除充電寄存器外的所有寄存器內(nèi)容。 DS1302與RAM相關(guān)的寄存器分為兩類:一類是單個(gè)RAM單元,共31個(gè),每個(gè)單元組態(tài)為一個(gè)8位的字節(jié),其命令控制字為C0H~FDH,其中奇數(shù)為讀操作,偶數(shù)為寫操作;另一類為突發(fā)方式下的RAM寄存器,此方式下可一次性讀寫所有的RAM的31個(gè)字節(jié),命令控制字為FEH(寫)、FFH(讀)。折疊編輯本段軟硬件折疊CPU的連接DS1302與CPU的連接需要三條線,即SCLK(7)、I/O(6)、RST(5)。圖3示出DS1302與89C2051的連接圖,其中,時(shí)鐘的顯示用LCD。實(shí)際上,在調(diào)試程序時(shí)可以不加電容器,只加一個(gè)32.768kHz 的晶振即可。只是選擇晶振時(shí),不同的晶振,誤差也較大。另外,還可以在上面的電路中加入DS18B20,同時(shí)顯示實(shí)時(shí)溫度。只要占用CPU一個(gè)口線即可。折疊實(shí)時(shí)時(shí)間流程圖4示出DS1302的實(shí)時(shí)時(shí)間流程。根據(jù)此流程框圖,不難采集實(shí)時(shí)時(shí)間。下面結(jié)合流程圖對DS1302的基本操作進(jìn)行編程:根據(jù)本人在調(diào)試中遇到的問題,特作如下說明:DS1302 與微處理器進(jìn)行數(shù)據(jù)交換時(shí),首先由微處理器向電路發(fā)送命令字節(jié),命令字節(jié)最高位MSB(D7)必須為邏輯1,如果D7=0,則禁止寫DS1302,即寫保護(hù);D6=0,指定時(shí)鐘數(shù)據(jù),D6=1,指定RAM數(shù)據(jù);D5~D1指定輸入或輸出的特定寄存器;最低位LSB(D0)為邏輯0,指定寫操作(輸入), D0=1,指定讀操作(輸出)。在DS1302的時(shí)鐘日歷或RAM進(jìn)行數(shù)據(jù)傳送時(shí),DS1302必須首先發(fā)送命令字節(jié)。若進(jìn)行單字節(jié)傳送,8位命令字節(jié)傳送結(jié)束之后,在下2個(gè)SCLK周期的上升沿輸入數(shù)據(jù)字節(jié),或在下8個(gè)SCLK周期的下降沿輸出數(shù)據(jù)字節(jié)。DS1302與RAM相關(guān)的寄存器分為兩類:一類是單個(gè)RAM單元,共31個(gè),每個(gè)單元組態(tài)為一個(gè)8位的字節(jié),其命令控制字為C0H~FDH,其中奇數(shù)為讀操作,偶數(shù)為寫操作;再一類為突發(fā)方式下的RAM寄存器,在此方式下可一次性讀、寫所有的RAM的31個(gè)字節(jié)。要特別說明的是備用電源B1,可以用電池或者超級電容器(0.1F以上)。雖然DS1302在主電源掉電后的耗電很小,但是,如果要長時(shí)間保證時(shí)鐘正常,最好選用小型充電電池??梢杂美鲜诫娔X主板上的3.6V充電電池。如果斷電時(shí)間較短(幾小時(shí)或幾天)時(shí),就可以用漏電較小的普通電解電容器代替。100 μF就可以保證1小時(shí)的正常走時(shí)。DS1302在第一次加電后,必須進(jìn)行初始化操作。初始化后就可以按正常方法調(diào)整時(shí)間。折疊編輯本段結(jié)論DS1302 存在時(shí)鐘精度不高,易受環(huán)境影響,出現(xiàn)時(shí)鐘混亂等缺點(diǎn)。DS1302可以用于數(shù)據(jù)記錄,特別是對某些具有特殊意義的數(shù)據(jù)點(diǎn)的記錄,能實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)與出現(xiàn)該數(shù)據(jù)的時(shí)間同時(shí)記錄。這種記錄對長時(shí)間的連續(xù)測控系統(tǒng)結(jié)果的分析及對異常數(shù)據(jù)出現(xiàn)的原因的查找具有重要意義。傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)記錄方式是隔時(shí)采樣或定時(shí)采樣,沒有具體的時(shí)間記錄,因此,只能記錄數(shù)據(jù)而無法準(zhǔn)確記錄其出現(xiàn)的時(shí)間;若采用單片機(jī)計(jì)時(shí),一方面需要采用計(jì)數(shù)器,占用硬件資源,另一方面需要設(shè)置中斷、查詢等,同樣耗費(fèi)單片機(jī)的資源,而且,某些測控系統(tǒng)可能不允許。但是,如果在系統(tǒng)中采用時(shí)鐘芯片DS1302,則能很好地解決這個(gè)問題。

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