DRAM中,1x、1y、1z、1α究竟是多少nm制程?
1x-nm制程相當(dāng)于16~19nm;1y-nm制程相當(dāng)于14~16nm;1z-nm制程相當(dāng)于12~14nm。
而在早前,美光發(fā)布了其最新的1α DRAM 制程技術(shù),這代表著業(yè)界DRAM技術(shù)的最高水平。對于美光上一代1z DRAM 制程,1α 技術(shù)將內(nèi)存密度提升了 40%。
采用該制程技術(shù)的LPDDR5產(chǎn)品將在實現(xiàn)更高性能同時達(dá)到更好的功耗表現(xiàn),為一共行業(yè)提供15%節(jié)能的DRAM平臺,幫助5G手機(jī)實現(xiàn)更長續(xù)航表現(xiàn)。1α 工藝制程提供了從8Gb~16Gb的密度,DDR4和LPDDR4產(chǎn)品也可以使用該新工藝來生產(chǎn)。所以針對有著存量市場的客戶而言,可以采用更低成本實現(xiàn)系統(tǒng)性能提升,例如數(shù)據(jù)中心等。
這個1α又指的是什么?除了1α,美光曾經(jīng)公布的演進(jìn)路線圖中,在1α之后會是1β和1γ。
1α則是DRAM制程在1z之后的一個演進(jìn),根據(jù)現(xiàn)階段所知的消息,1α的制造工藝大致對應(yīng)于10-12nm的工藝。
1α-nm可能對應(yīng)的是更小的12~14nm,1β-nm可能對應(yīng)的是10~12nm,1γ-nm可能對應(yīng)的是10nm。
當(dāng)然,相比計算相關(guān)器件,DRAM在制程演進(jìn)上更加困難。美光持續(xù)推進(jìn)更高工藝,不僅能夠提供更低的功耗,還能夠為產(chǎn)品提供更好的密度。
針對這款產(chǎn)品,
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