緊急求助，各位大神看看這個(gè)ADC采集電路是什么問(wèn)題？

時(shí)間：2021-10-29 14:02:40

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[導(dǎo)讀]大家好，我是記得誠(chéng)。最近逛論壇，看到一個(gè)帖子，如下：電路圖如下，是個(gè)低功耗電池電壓采集方案，多次通電后，Q1無(wú)情的冒煙了。VDD是低功耗外設(shè)電壓，低功耗下VDD=0V，喚醒后VDD=3.3V。電路的工作原理是這樣的，低功耗下VDD=0V，Q2和Q1關(guān)閉；喚醒后VDD=3.3V，Q...

大家好，我是記得誠(chéng)。

最近逛論壇，看到一個(gè)帖子，如下：

電路圖如下，是個(gè)低功耗電池電壓采集方案，多次通電后，Q1無(wú)情的冒煙了。

VDD是低功耗外設(shè)電壓，低功耗下VDD=0V，喚醒后VDD=3.3V。

電路的工作原理是這樣的，低功耗下VDD=0V，Q2和Q1關(guān)閉；喚醒后VDD=3.3V，Q2和Q1導(dǎo)通，VBAT通過(guò)R1和R9分壓，進(jìn)行ADC檢測(cè)。

Q1 PMOS用的型號(hào)為：AO3401，Q2 NMOS用的是：AO3400。
我們看一下網(wǎng)友是咋說(shuō)的。
ANDY-張：邏輯是對(duì)的，檢查元器件封裝和元器件屬性。
ifc315：VBAT端存在高壓或者靜電，Q1的G-S間被擊穿了。

智能diy：感覺(jué)是Q2導(dǎo)通不完全，導(dǎo)致Q1也導(dǎo)通不完全，排除靜電擊穿，一般靜電擊穿不冒煙，感覺(jué)R8應(yīng)該去除。
bendn：會(huì)不會(huì)AO3401的G極沒(méi)有串接電阻，下管對(duì)AO3401的控制信號(hào)直連的G極，如果下管打開(kāi)特別快的話，因?yàn)锳O3401的G、S之間存在寄生電容，就會(huì)形成這樣一個(gè)瞬時(shí)的大電流通路，是不是就可能引起G極的絕緣層損傷，多次沖擊過(guò)后就可能引起絕緣層擊穿徹底短路，進(jìn)而導(dǎo)致MOS管冒煙。

而且因?yàn)槊桌针娙莸拇嬖?，Q1在導(dǎo)通的過(guò)程中，還會(huì)出現(xiàn)這樣一個(gè)電流通路，也就是Q1的D、S之間電流剛剛達(dá)到最大時(shí)，此時(shí)D、S之間電壓還是6V沒(méi)變，電流是從S極通過(guò)導(dǎo)電溝道流到D極，然后再經(jīng)過(guò)G、D之間的寄生的這個(gè)米勒電容到達(dá)G極，最終通過(guò)Q2導(dǎo)通到地。
我又仔細(xì)分析了一下，感覺(jué)更可能是Q2控制著Q1，使得Q1導(dǎo)通過(guò)快，MOS管的導(dǎo)通電流變化過(guò)快，進(jìn)而在MOS管的寄生電感上面產(chǎn)生很大的感抗，形成振蕩電路，最后出現(xiàn)高壓擊穿MOS，改進(jìn)的措施還是在Q1的G極上面串接一個(gè)小電阻，或者在Q1的G極和S極接上一個(gè)小電容，使得MOS開(kāi)啟緩慢一些減弱振蕩。

因?yàn)槟氵@個(gè)電路沒(méi)有高負(fù)載的地方，所以應(yīng)該不是發(fā)熱引起的損壞，更像是產(chǎn)生的高壓損壞，高壓損壞在你這個(gè)電路這里只能是振蕩引起。

然后你這個(gè)Q1打開(kāi)慢一些無(wú)所謂，交叉損耗很小，不像是電源的開(kāi)關(guān)控制，那種的電流很大，打開(kāi)太慢的話，開(kāi)關(guān)交叉損耗就會(huì)很大，會(huì)出現(xiàn)熱損壞。
825cow：這個(gè)不應(yīng)該燒MOS的，后面負(fù)載都是10K級(jí)的。
ifc315：不知道都是怎么計(jì)算的，導(dǎo)通太快引起損壞都出來(lái)了；R7是10k，開(kāi)關(guān)速度能快到哪里去哦。

小伙伴們，怎么看？這個(gè)電路有問(wèn)題嗎？歡迎留言區(qū)評(píng)論。