功率半導(dǎo)體的節(jié)能先鋒：飛兆半導(dǎo)體

2005年4月13日，飛兆半導(dǎo)體(Fairchild Semi)公司在北京宣布，將會(huì)集中力量拓展中國(guó)增長(zhǎng)最快的市場(chǎng)區(qū)間，包括消費(fèi)電子、工業(yè)電子和超便攜式產(chǎn)品等，全力推動(dòng)2005年的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)。與此同時(shí)，該公司已開始實(shí)施積極的擴(kuò)張計(jì)劃，預(yù)計(jì)2005年的中國(guó)辦事處數(shù)目將增加50%。

     飛兆半導(dǎo)體(Fairchild)成立于1957年，是一家老牌的半導(dǎo)體公司，英特爾公司，國(guó)家半導(dǎo)體公司的創(chuàng)始人都曾經(jīng)在此工作，因此飛兆半導(dǎo)體又被成為半導(dǎo)體工業(yè)的搖籃。1987年國(guó)家半導(dǎo)體公司收購(gòu)了Fairchild, 1997年，F(xiàn)airchild又從國(guó)家半導(dǎo)體中獨(dú)立出來(lái)，專注于功率半導(dǎo)體領(lǐng)域產(chǎn)品。對(duì)于中國(guó)工程師來(lái)說(shuō)，F(xiàn)airchild的另外一個(gè)翻譯"仙童"可能更為人熟知一些。

    據(jù)飛兆半導(dǎo)體亞太區(qū)總裁兼董事總經(jīng)理郭裕亮介紹，飛兆半導(dǎo)體在中國(guó)共設(shè)立八家辦事處 (包括香港)；在蘇州建有占地400,000 平方英尺的現(xiàn)代化裝配、測(cè)試及倉(cāng)儲(chǔ)設(shè)施在運(yùn)行中，雇員人數(shù)超過900；還有兩個(gè)全球功率資源中心 (Global Power Resource)；以及于2004年底在北京和上海開設(shè)新的集成電路研發(fā)實(shí)驗(yàn)室。在2005年，飛兆半導(dǎo)體計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)大其業(yè)務(wù)實(shí)力，在杭州、南京、沈陽(yáng)和西安開設(shè)新辦事處。和別的歐美公司有點(diǎn)不同，亞洲是飛兆最重要的市場(chǎng)，其亞太地區(qū)銷售額占到了全球銷售的86%，其中，中國(guó)地區(qū)的銷售額又占了到四分之一左右。

    郭裕亮表示，發(fā)展中國(guó)家如中國(guó)等的人口不斷增加，加上經(jīng)濟(jì)持續(xù)發(fā)展，對(duì)于現(xiàn)今便攜式技術(shù)的需求大增，因此要求高性能的消費(fèi)電子、工業(yè)電子、計(jì)算機(jī)和通信技術(shù)能夠以更低的功耗更快速和有效地工作。郭裕亮續(xù)稱：“很少公司可與飛兆半導(dǎo)體媲美，提供如此廣泛的產(chǎn)品來(lái)轉(zhuǎn)換、控制和調(diào)節(jié)功率。

    “我們深諳中國(guó)在最近幾年所面對(duì)的能源問題。盡管最近有關(guān)官員和專家表示由于能源供應(yīng)增加，中國(guó)的能源短缺問題可于2005年緩解并在2006年全面解決，但是，如果中國(guó)不能大幅提升能源供應(yīng)，能源供求之間的平衡將很快會(huì)失去。”

    同一日，飛兆半導(dǎo)體技術(shù)行銷經(jīng)理鞠建宏還發(fā)布了名為 µSerDes™ (micro-SerDes)的創(chuàng)新超緊湊型串化器/解串器系列器，適于解決便攜產(chǎn)品和消費(fèi)電子應(yīng)用中由于產(chǎn)品功能聚合而引致復(fù)雜性不斷增加的設(shè)計(jì)難題。這些 µSerDes 器件能將傳統(tǒng)的多數(shù)據(jù)并行傳輸縮減為2線高速串行傳輸，從而將互連導(dǎo)線數(shù)減少6至7倍。該串行鏈路使用創(chuàng)新的EMI抑制技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)，有助于用戶產(chǎn)品更快獲得電磁兼容 (EMC) 管理系統(tǒng)認(rèn)可。這種高度靈活的接口方案可在多種顯示平臺(tái)上方便地實(shí)施，能夠縮短產(chǎn)品開發(fā)周期和加速產(chǎn)品上市。µSerDes還可減少元件總數(shù)和所需的電路板面積，協(xié)助優(yōu)化手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、打印機(jī)及其它對(duì)空間敏感應(yīng)用的尺寸和成本。

    使用飛兆半導(dǎo)體 µSerDes的待機(jī)功耗較其它解決方案低10倍，而功耗是影響電池壽命和手機(jī)通話時(shí)間的關(guān)鍵參數(shù)。FIN12和FIN24器件可在基頻下將電磁干擾降低30到40dB，并將棘手的諧波干擾減小到100dBm以下，以獲得更好的EMC性能。這些創(chuàng)新的改進(jìn)是通過串化結(jié)構(gòu)的革新以及兩項(xiàng)新型差分I/O技術(shù)-低功耗LVDS (LpLVDS) 和電流轉(zhuǎn)換邏輯 (CTL™) 來(lái)實(shí)現(xiàn)，與傳統(tǒng)的I/O技術(shù)相比可實(shí)現(xiàn)更低的功耗和電磁干擾。

µSerDes的主要特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)包括：  

*  最小的電磁干擾，最低的噪聲輻射、更底的噪聲靈敏度及更短的上市時(shí)間； 
*  最低的功耗，可延長(zhǎng)電池使用壽命； 
*  高達(dá)每秒780 MB的串化數(shù)據(jù)速率； 
*  顯著降低電纜信號(hào)衰減，單向接口 >25:4; 雙向接口 >50:7； 
*  更大的靈活性，可支持像素或微控制器接口； 
*  可使用power up/down 信號(hào)將IC配制成串化或解串器； 
*  無(wú)需特殊的傳輸媒介：可用普通的柔性電路、PC板、電纜； 
*  最小的封裝 - 節(jié)省空間的32或40腳鑄模無(wú)鉛封裝 (MLP) 或42腳球柵陣列封裝 (BGA)；