納微半導(dǎo)體推出全球首款智能GaNFast氮化鎵功率芯片，GaNSense新技術(shù)登場(chǎng)

11月8日，北京--氮化鎵（GaN）功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣布推出新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實(shí)時(shí)、智能的傳感和保護(hù)電路，進(jìn)一步提高了納微半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性，同時(shí)增加了納微氮化鎵功率芯片技術(shù)的節(jié)能和快充優(yōu)勢(shì)。

氮化鎵（GaN）是下一代半導(dǎo)體材料，氮化鎵器件的開(kāi)關(guān)速度比傳統(tǒng)的硅器件快20倍，在尺寸和重量減半的情況下，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)3倍的功率和3倍的充電速度。納微半導(dǎo)體的GaNFast?氮化鎵功率芯片集成了氮化鎵器件和驅(qū)動(dòng)以及保護(hù)和控制功能，提供簡(jiǎn)單、小型、快速和高效的性能表現(xiàn)。

GaNSense技術(shù)集成了對(duì)系統(tǒng)參數(shù)的實(shí)時(shí)、準(zhǔn)確和快速感應(yīng)，包括電流和溫度的感知。這項(xiàng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了正在申請(qǐng)專利的無(wú)損耗電流感應(yīng)能力。與前幾代產(chǎn)品相比，GaNSense 技術(shù)可額外提高10%的節(jié)能效果，并能夠進(jìn)一步減少外部元件數(shù)量，縮小系統(tǒng)的尺寸。此外，如果氮化鎵功率芯片識(shí)別到有潛在的系統(tǒng)危險(xiǎn)，該芯片將迅速過(guò)渡到逐個(gè)周期的關(guān)斷狀態(tài)，以保護(hù)器件和周圍系統(tǒng)。GaNSense技術(shù)還集成了智能待機(jī)降低功耗功能，在氮化鎵功率芯片處于空閑模式時(shí)，自動(dòng)降低待機(jī)功耗，有助于進(jìn)一步降低功耗。這對(duì)越來(lái)越多積極追求環(huán)保的客戶來(lái)說(shuō)尤為重要。

憑借業(yè)界最嚴(yán)格的電流測(cè)量精度和GaNFast響應(yīng)時(shí)間，GaNSense技術(shù)縮短50%的危險(xiǎn)時(shí)間，危險(xiǎn)的過(guò)電流峰值降低50%。GaNFast氮化鎵功率芯片單片集成提供了可靠的、無(wú)故障的操作，沒(méi)有 "振鈴"，從而提高了系統(tǒng)可靠性。

納微半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席運(yùn)營(yíng)官/首席技術(shù)官Dan Kinzer表示：“從檢測(cè)到保護(hù)只需30納秒，GaNSense技術(shù)比分立式的氮化鎵功率芯片的實(shí)現(xiàn)方案快 600%。納微半導(dǎo)體下一代采用GaNSense技術(shù)的GaNFast氮化鎵功率芯片產(chǎn)品，對(duì)潛在的系統(tǒng)故障模式提供了高度準(zhǔn)確和有效的防護(hù)。再加上對(duì)高達(dá)800V的瞬態(tài)電壓的免疫力以及嚴(yán)格的柵極波形控制和電壓調(diào)節(jié)，這些功能只有通過(guò)我們專有的工藝設(shè)計(jì)套件才能實(shí)現(xiàn)，重新定義了功率半導(dǎo)體中可靠性、堅(jiān)固性和性能的新標(biāo)準(zhǔn)?！?

采用 GaNSense 技術(shù)的新一代納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片有十個(gè)型號(hào)，他們都集成了氮化鎵功率器件、氮化鎵驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)的核心技術(shù)，所有產(chǎn)品的額定電壓為650V/800V，具有2kV ESD保護(hù)。新的GaNFast功率芯片的RDS(ON)范圍為120至450毫歐，采用5 x 6 mm或6 x 8 mm PQFN封裝，具有GaNSense保護(hù)電路和無(wú)損電流感應(yīng)。作為納微第三代氮化鎵功率芯片，針對(duì)現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化，包括高頻準(zhǔn)諧振反激式（HFQR）、有源鉗位反激式（ACF）和PFC升壓，這些都是移動(dòng)和消費(fèi)市場(chǎng)內(nèi)流行的提供最快、最高效和最小的充電器和適配器的技術(shù)方法。

目標(biāo)市場(chǎng)包括智能手機(jī)和筆記本電腦的快充充電器，估計(jì)每年有20億美元的氮化鎵市場(chǎng)機(jī)會(huì)，以及每年20億美元的消費(fèi)市場(chǎng)機(jī)會(huì)，包括一體機(jī)、電視、家庭網(wǎng)絡(luò)和自動(dòng)化設(shè)備。GaNSense技術(shù)已被用于部分一線消費(fèi)電子品牌的氮化鎵充電器上。

到目前為止，已經(jīng)有超過(guò)3000萬(wàn)顆納微GaNFast氮化鎵功率芯片出貨，在現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試實(shí)現(xiàn)了超過(guò)1160億個(gè)設(shè)備小時(shí)，并且沒(méi)有任何關(guān)于GaN現(xiàn)場(chǎng)故障的報(bào)告。與傳統(tǒng)的硅功率芯片相比，每顆出貨的GaNFast氮化鎵功率芯片可以減少碳足跡 4-10 倍，可節(jié)省4千克的二氧化碳排放。

采用GaNSense技術(shù)的新一代納微GaNFast功率芯片將在以下活動(dòng)中公開(kāi)展示。

11月8日: WiPDA 2021演講（線上），演講人：納微半導(dǎo)體首席運(yùn)營(yíng)官/首席技術(shù)官和聯(lián)合創(chuàng)始人，Dan Kinzer

11月14日: 中國(guó)電源學(xué)會(huì)第二十四屆學(xué)術(shù)年會(huì)的納微半導(dǎo)體衛(wèi)星會(huì)議(上海，線下)，演講人納微半導(dǎo)體應(yīng)用工程總監(jiān)，黃秀成博士

11月18日: PSMA電力技術(shù)路線圖演講（線上），演講人：納微半導(dǎo)體首席運(yùn)營(yíng)官/首席技術(shù)官和聯(lián)合創(chuàng)始人，Dan Kinzer

采用GaNSense技術(shù)的新一代GaNFast氮化鎵功率芯片已開(kāi)始批量生產(chǎn)，并可立即供貨。新的GaNSense技術(shù)的全部技術(shù)細(xì)節(jié)，包括數(shù)據(jù)表、鑒定數(shù)據(jù)、應(yīng)用說(shuō)明和樣品，可在簽署保密協(xié)議后提供給客戶合作伙伴。