近日，由忱芯科技（UniSiC）主辦的碳化硅功率半導體及應用研討會在蘇州成功召開，橫跨芯片、材料、封裝及應用領(lǐng)域的多位國內(nèi)外頂尖的寬禁帶半導體技術(shù)帶頭人受邀參會，圍繞寬禁帶半導體卡脖子關(guān)鍵技術(shù)難題分享觀點，展開討論。
值此盛會，
泰克科技（Tektronix）與忱芯科技達成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟，雙方將深度整合資源，優(yōu)勢互補，圍繞寬禁帶功率
半導體測試領(lǐng)域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)品合作，為客戶解決寬禁帶半導體測試挑戰(zhàn)。
寬禁帶功率半導體器件測試，尤其是精準、全面、可靠的器件特性表征，對于器件本身的迭代以及各場景的應用都起著關(guān)鍵作用。SiC MOSFET器件高頻開關(guān)特性，被形象地稱之為“狼的速度”，隨之而來，對器件測試系統(tǒng)寄生電感控制、測試帶寬、連接方式等都提出了更高的挑戰(zhàn)。
如何駕馭狼的速度？跨越
“測不準”、“測不全”、“不可靠”這三座大山，始終是第三代半導體行業(yè)關(guān)注的熱點。
全球獨家TIVP光隔離探頭
泰克科技擁有
全球獨家TIVP光隔離探頭，提供了無與倫比的帶寬、動態(tài)范圍、共模抑制以及多功能MMCX連接器的組合。探頭電壓采樣帶寬高達1GHz，是傳統(tǒng)電壓探頭帶寬5倍以上；共模抑制比高達120dB，比傳統(tǒng)探頭提升1000倍以上。
TIVP光隔離探頭能精準捕捉碳化硅器件高速開關(guān)時Vgs和Vds的波形細節(jié)。
Tektronix示波器及光隔離探頭
結(jié)合忱芯科技開發(fā)的
Edison系列碳化硅功率半導體器件動態(tài)特性測試系統(tǒng)，該系統(tǒng)擁有高速、高頻、高可靠驅(qū)動電路（
共模瞬變抗擾度高達100V/ns）、超低回路雜感先進疊層母排（
小于10nH）、獨家雙脈沖參數(shù)算法以及高速短路電流保護(<5us)，最大限度解決了寬禁帶半導體器件的測試難題。
忱芯科技Edison系列碳化硅功率半導體器件動態(tài)特性測試系統(tǒng)
值得一提的是，Edison系列產(chǎn)品擁有極強的兼容性，涵蓋了碳化硅MOSFET單管及模塊產(chǎn)品，同時兼容硅IGBT、MOSFET功率器件的動態(tài)測試。
此同時，考慮到碳化硅器件的爬坡過程，Edison系列產(chǎn)品擁有獨具匠心的功能設計，實現(xiàn)了
一套系統(tǒng)兩種用法，
手動模式（雜感小于10nH）適合于研發(fā)人員在離線進行極限工況性能摸底；一鍵切換，可至
自動模式（雜感僅增加不到10nH）進行批量測試，測試效率高達300 UPH。
順應第三代半導體迅猛的發(fā)展勢頭，泰克科技與忱芯科技強強聯(lián)手，精進技術(shù)，目前，Edison系列產(chǎn)品已成功導入多家頭部IDM企業(yè)以及功率器件封裝龍頭企業(yè)。
泰克科技銷售總監(jiān)宋磊先生表示
在國家大的"雙碳政策"下，SiC和GaN三代功率半導體勢必會蓬勃發(fā)展，泰克在幾年前就開始投入大量研發(fā)資源推出專用的測試儀器及方案，此次和忱芯科技達成戰(zhàn)略合作，相信一定可以助力SiC器件及SiC模塊新技術(shù)在電源行業(yè)的更高效的應用，泰克的使命是：
幫忙三代半導體IDM公司生產(chǎn)出更加可靠的器件，幫助電源工程師更安全更高效的發(fā)揮三代半導體性能。
忱芯科技創(chuàng)始人毛賽君博士表示
碳化硅替代硅基器件勢在必行，只有打通產(chǎn)業(yè)鏈每一環(huán)節(jié)的技術(shù)壁壘，才能最終實現(xiàn)整個產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的井噴式發(fā)展。忱芯科技將持續(xù)投入研發(fā)資源自主創(chuàng)新，迭代高性能產(chǎn)品，
完成寬禁帶半導體測試裝備的全系列產(chǎn)品線覆蓋，助力中國芯征程！
關(guān)于忱芯科技
忱芯科技作為碳化硅賽道技術(shù)黑馬，秉承技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動行業(yè)變革的核心理念，以碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)中下游為起點，將高性能碳化硅功率半導體模塊作為核心支點，結(jié)合系統(tǒng)級解決方案的思維，為終端客戶提供高性能、高可靠碳化硅核心功率部件產(chǎn)品及自動化測試裝備。
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