本應用筆記介紹熱阻概念，并且提供一種技術，用于從裸片到采用LFCSP或法蘭封裝的典型RF放大器的散熱器的熱流動建模。
熱概念回顧
熱流
材料不同區(qū)域之間存在溫度差時，熱量從高溫區(qū)流向低溫區(qū)。這一過程與電流類似，電流經由電路，從高電勢區(qū)域流向低電勢區(qū)域。
熱阻
所有材料都具有一定的導熱性。熱導率是衡量材料導熱能力的標準。熱導率值通常以瓦特每米開爾文(W/mK)或瓦特每英寸開爾文(W/inK)為單位。如果已知材料的熱導率，則采用以下公式，以C/W或K/W為單位計算材料單位體積的熱阻(θ)：
(1)
其中：
Length表示材料的長度或厚度，以米為單位。
k為材料的熱導率。
Area表示橫截面積，以m2為單位。
溫度
利用熱流量等效于電流量的類比，本身具備熱阻且支持熱流流動的材料的溫差如下：
∆T = Q × θ(2)
其中：
∆T表示材料不同區(qū)域之間的溫差(K或°C)。
Q表示熱流(W)。
θ表示材料的熱阻(C/W或K/W)。
器件的熱阻
器件的熱阻相當復雜，往往與溫度呈非線性關系。因此，我們采用有限元分析方法建立器件的熱模型。紅外攝影技術可以確定器件連接處的溫度和操作期間封裝的溫度。基于這些分析和測量結果，可以確定等效的熱阻。在對器件實施測量的特定條件下，等效熱阻是有效的，一般是在最大操作溫度下。
參考表1，查看典型的RF放大器的絕對最大額定值表。
對于LFCSP和法蘭封裝，假定封裝外殼是封裝底部的金屬塊。
最高結溫
在給定的數據手冊中，會在絕對最大額定值表中給出每個產品的最大結溫(基于器件的半導體工藝)。在表1中，指定的維持百萬小時MTTF的最大結溫為225℃。指定的這個溫度一般適用于氮化鎵(GaN)器件。超過這個限值會導致器件的壽命縮短，且出現永久性的器件故障。
工作溫度范圍
器件的工作溫度(TCASE)已在封裝底座上給出。TCASE是封裝底部金屬塊的溫度。工作溫度不是器件周圍空氣的溫度。
如果已知TCASE和PDISS，則很容易計算得出結溫(TJ)。例如，如果TCASE=75°C，PDISS=70 W，則可以使用以下公式計算TJ：
TJ = TCASE + (θJC × PDISS)
= 75°C + (1.57°C/W × 70 W)
= 184.9°C
考量到器件的可靠性時，TJ是最重要的規(guī)格參數，決不能超過此數值。相反，如果可以通過降低PDISS，使TJ保持在最大可允許的水平之下，則TCASE可以超過指定的絕對最大額定值。在此例中，當外殼溫度超過指定的最大值85°C時，可使用減額值636 mW/°C來計算最大可允許的PDISS。例如，使用表1中的數據，當PDISS的限值為83 W時，可允許的最大TCASE為95°C。PDISS可使用以下公式計算：
PDISS = 89.4 W − (636 mW/°C × 10°C)
= 83 W
使用此PDISS 值，可以計算得出225°C結溫，計算公式如下：
TJ = TCASE + (θJC × PDISS)
= 95°C + (1.57°C/W × 83 W)(3)
器件和PCB環(huán)境的熱模型
為了充分了解器件周圍的整個熱環(huán)境，必須對器件的散熱路徑和材料進行建模。圖1顯示了安裝在PCB和散熱器上的LFCSP封裝的截面原理圖。在本例中，裸片生熱，然后經由封裝和PCB傳輸到散熱器。要確定器件連接處的溫度，必須計算熱阻。利用熱阻與熱流，可計算得出結溫。然后將結溫與最大指定結溫進行比較，以確定器件是否可靠地運行。
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