Vishay 30Vp溝道TrenchFET第四代大幅提高功率密度
[導讀]日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型-30 V p溝道TrenchFET®第四代功率MOSFET---SiSS05DN，器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封裝，10 V條件下導通電阻達到業(yè)內(nèi)最低的3.5 mW。
節(jié)省空間的Vishay Siliconix SiSS05DN專門用來提高功率密度，占位面積比采用6mm x 5mm封裝的相似導通電阻器件減小65 %。
日前發(fā)布的MOSFET導通電阻比上一代解決方案低26 %，比市場上排名第二的產(chǎn)品低35 %，而FOM比緊隨其后的競爭器件低15 %。這些業(yè)內(nèi)最佳值降低了導通和開關損耗，從而節(jié)省能源并延長便攜式電子設備的電池使用壽命，同時最大限度降低整個電源路徑的壓降，以防誤觸發(fā)。器件緊湊的外形便于安裝在PCB面積有限的設計中。
行業(yè)標準面積尺寸的SiSS05DN可直接替代升級5 V至20 V輸入電源應用中的現(xiàn)有器件。
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