1 引言
光子帶隙(photonic Bandgap-PBG)結(jié)構(gòu)，又稱為光子晶體(photonic Crystal)，它是一種介質(zhì)材料在另一種介質(zhì)材料中周期分布所組成的周期結(jié)構(gòu)。盡管光子帶隙最初應用于光學領(lǐng)域，然而由于其禁帶特性，近年來在微波和毫米波領(lǐng)域也獲得極大關(guān)注。在光子帶隙結(jié)構(gòu)中,電磁波經(jīng)周期性介質(zhì)散射后,某些波段電磁波強度會因干涉而呈指數(shù)衰減,無法在該結(jié)構(gòu)中傳播,于是在頻譜上形成帶隙。PBG結(jié)構(gòu)的這種特性，在天線領(lǐng)域和微波電路中都有著巨大的應用價值。
時域有限差分(FDTD方法是分析PBG結(jié)構(gòu)一種非常有效的數(shù)值計算方法。然而，由于微波光子晶體結(jié)構(gòu)的精細，網(wǎng)格量必須很大，內(nèi)存容量就成為計算中的瓶頸。此外當PBG結(jié)構(gòu)為圓環(huán)形時，一般的階梯近似不足以滿足計算精度。針對以上兩個問題，本文采用本課題組帶有共形網(wǎng)格建模的MPI并行FDTD程序?qū)A環(huán)形PBG結(jié)構(gòu)進行了分析。討論了單元數(shù)目，單元間距，圓孔內(nèi)徑和導帶寬度對S參數(shù)的影響，最后設(shè)計了一種寬禁帶圓環(huán)形PBG結(jié)構(gòu)。
2 圓環(huán)形光子帶隙微帶結(jié)構(gòu)分析
FDTD作為一種時域方法，從最基本的Maxwell方程出發(fā)，具有廣泛的計算適用性，可以處理各種形狀和多種材料的復合結(jié)構(gòu)系統(tǒng)，然而針對某些電大尺寸和精細結(jié)構(gòu)，單機由于內(nèi)存限制無法計算。最近，以PC機網(wǎng)絡(luò)集群系統(tǒng)為工作平臺的大型計算系統(tǒng)蓬勃發(fā)展，由臺式計算機構(gòu)成這樣的系統(tǒng)無需任何額外的投資，也不會受到政策的限制，正因為如此，為并行計算提供了可行的、強有力的計算機硬件基礎(chǔ)。并行計算通過節(jié)點間的場值通信完成內(nèi)存資源的擴展和計算時間的提高 (圖1)。MPI環(huán)境中并行算法的實現(xiàn)是國際上并行電磁計算研究的熱點和主流，所以本文的研究工作將基于MPI并行環(huán)境進行。此外，由于本文計算的是圓環(huán)形PBG結(jié)構(gòu)，如果采用階梯近似來逼近光滑曲線,會導致嚴重誤差,還可能引起虛擬表面波,所以需要采用共形網(wǎng)格技術(shù)(圖2)，共形技術(shù)通過積分Maxwell方程修改FDTD原始迭代公式，可以準確處理變形網(wǎng)格。
二維微帶PBG除了中間一列外，其余位置電磁場值很弱，所以一維PBG和二維PBG結(jié)構(gòu)的性能相差不大，而且一維結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)緊湊，在實際當中有更大的優(yōu)勢，所以本文重點分析的是一維PBG結(jié)構(gòu)。設(shè)計的PBG微帶線周期結(jié)構(gòu)采用圓環(huán)格子，單元間距為d，內(nèi)徑為r，微帶線的帶寬為w，圓環(huán)寬度與導帶寬度w相同，如圖3所示。計算中邊界條件采用5層UPML吸收邊界，為了獲得頻帶特性，激勵源選擇高斯脈沖。將PBG結(jié)構(gòu)的兩個端口插入UPML吸收邊界，并設(shè)置兩個參考位置，記錄參考面上的場值的時間變化，結(jié)合Fourier變換可以得到s11和s21參數(shù)。
3 數(shù)值仿真與試驗結(jié)果
計算模型如圖3所示的一維PBG微帶結(jié)構(gòu)，微帶線基板等效介電常數(shù)為er=2.6，厚度為1mm。PBG結(jié)構(gòu)兩端的帶線寬度為2.23mm，保證其特性阻抗為50Ω。微帶基板寬度為30mm。
A. 單元個數(shù)(units)變化
設(shè)d=6mm,r=2.75mm,w=0.5mm保持不變，分別計算了單元數(shù)(units)從3變到8的s21曲線，如圖4所示。
圖1 場值通信 圖2 共形網(wǎng)格
圖3 一維圓環(huán)形PBG結(jié)構(gòu)示意圖
圖4 s21隨著單元數(shù)的變化
圖5 s21隨著單元間距的變化[!--empirenews.page--]
從圖4中可以看出，禁帶的中心頻率不隨單元數(shù)而改變。隨著單元數(shù)(units)的增多，禁帶深度越大，禁帶寬度越窄，反之禁帶深度變小，禁帶寬度變寬。
B. 單元間距(d)變化
設(shè)r=2.75mm,w=0.5mm，單元數(shù)units=5，計算了單元間距d分別為3mm，6mm和9mm時的s21曲線，如圖5所示。從圖5中可以看出，禁帶的中心頻率隨著單元間距的改變而改變，單元間距變大，禁帶中心頻率向低端偏移，而且禁帶深度變大，反之向高端偏移，禁帶深度變小。禁帶寬度隨單元間距變化不大。
C. 圓孔內(nèi)徑(r)變化
設(shè)d=6mm，w=0.5mm，單元數(shù)units=5，計算了圓孔內(nèi)徑分別為2.25mm,2.75mm和3.0mm時的s21曲線，如圖6所示。從圖6中可以看出，禁帶的中心頻率不隨圓孔內(nèi)徑的變化而變化。禁帶深度和禁帶寬度隨圓孔內(nèi)徑而變化，半徑越大，禁帶深度越小，禁帶寬度越窄，反之，禁帶深度變大，禁帶寬度越寬。
D. 導帶寬度(w)變化
設(shè)d=6mm，單元數(shù)units=5，r=2.75mm ，計算了導帶寬度w=0.25mm，0.50mm和1.0mm時的s21曲線，如圖7所示。從圖7中可以看出，禁帶的中心頻率不隨導帶寬度的變化而變化。禁帶深度和禁帶寬度隨導帶變化而變化。導帶寬度越大，禁帶深度越小，禁帶寬度越窄，反之，禁帶深度變大，禁帶寬度越寬。
E. 寬禁帶PBG的實現(xiàn)
綜合考慮上述因素對禁帶性能的影響，我們設(shè)置w=0.25mm，r=2.25mm，d=9mm，units=8，圖8為計算得到的s21和s11曲線，可以看到在3.6GHz～8.5GHz范圍內(nèi)形成一個非常明顯的寬禁帶。
圖6 s21隨著圓孔內(nèi)徑的變化
圖7 s11隨著導帶寬度的變化
圖8 寬禁帶PBG的S參數(shù)曲線
4 結(jié)論
采用局部共形并行FDTD 技術(shù)分析了具有圓環(huán)形PBG結(jié)構(gòu)的微帶濾波器,得到了其S參數(shù). 從得到的結(jié)果可以看出,這種圓環(huán)形的PBG微帶傳輸結(jié)構(gòu)具有明顯的禁帶特性,其禁帶中心頻率由單元間距決定,而圓孔的內(nèi)徑，導帶寬度和單元數(shù)目影響著禁帶的寬度和深度. 通過調(diào)節(jié)這些可以參數(shù)可以獲得實際應用中所需要的禁帶特性.
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