記者手上有一份一位美國公民來往我國的出入境證明細表。上面的內(nèi)容顯示，僅從2010年1月到今年2月，就先后5次入境，4次離境，而其中每次回美國的時間長則一個星期，短則只有3天，總計在中國工作的時間有280多天。
這份出入境證明明細表的主人，就是寧波比亞迪半導體有限公司聘請的海外工程師TAO HE（賀濤）。
雖然在寧波比亞迪公司工作的時間還不長，但賀濤對公司的貢獻卻不小：在他的主持下，公司在國內(nèi)率先完成了IGBT芯片關(guān)鍵工藝的開發(fā)工作，自主研發(fā)的IGBT芯片在深圳比亞迪汽車有限公司順利組裝成IGBT模塊，并成功開始電動汽車臺架測試，這標志著比亞迪終于打破了IGBT芯片技術(shù)長期為國外壟斷的堅冰，填補了國內(nèi)電動汽車用功率器件領(lǐng)域的一項空白。
引進海外工程師的背景：借用“外腦”在核心技術(shù)上求突破
從2009年開始，順應比亞迪集團垂直整合的發(fā)展思路，通過整合產(chǎn)業(yè)鏈、增強企業(yè)核心競爭力，實現(xiàn)電動汽車量產(chǎn)化、商業(yè)化的進程，寧波比亞迪承擔了其中的重要步驟“關(guān)鍵零部件的自主開發(fā)制造”。公司將研發(fā)重點轉(zhuǎn)向半導體功率器件，如絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、快恢復二極管（FRD）、金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）等，尤其是電動汽車用功率器件的自主研發(fā)制造。
以IGBT為例，目前，IGBT已經(jīng)基本上取代了大功率晶體管，成為電力電子電路主要采用的功率器件，廣泛應用在電力電子、工業(yè)控制、消費電子、網(wǎng)絡(luò)通信、計算機、汽車電子等各個領(lǐng)域。而IGBT產(chǎn)品的研發(fā)和量產(chǎn)，目前國內(nèi)尚處于起步階段，有著巨大的發(fā)展?jié)摿?。因此，寧波比亞迪公司希望借助海?strong>工程師突破發(fā)展瓶頸，加速企業(yè)成長。通過多方協(xié)調(diào)努力，2010年初，寧波比亞迪公司終于成功聘請到了美籍專家賀濤博士擔任FRD和MOSFET項目總監(jiān)。
這個“外腦”不簡單：突破芯片技術(shù)瓶頸，增強核心競爭力
1968年4月出生的賀濤，1995年5月在美國德州大學達拉斯分校獲得了碩士學位后，先后在諾基亞（美國）公司擔任系統(tǒng)集成經(jīng)理、項目研發(fā)經(jīng)理、高級項目經(jīng)理。
從去年1月開始擔任寧波比亞迪公司項目總監(jiān)后，賀濤憑借其在半導體器件領(lǐng)域扎實的專業(yè)背景，并結(jié)合其多年海外學習和工作積累的豐富經(jīng)驗，對產(chǎn)品研發(fā)、攻克技術(shù)難題方面提出了一系列創(chuàng)新思路，并在實際應用中產(chǎn)生了很好的效果，有效地提升了寧波比亞迪產(chǎn)品的技術(shù)水平和核心競爭力。
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