[導讀]21ic訊 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布，該公司在全國領先電子行業(yè)媒體《今日電子》與21ic舉辦的Top-10電源產(chǎn)品獎中，榮獲“最佳開發(fā)獎”。飛兆半導體憑著FDPC8011S 25V雙功率芯片非對稱N
21ic訊 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布，該公司在全國領先電子行業(yè)媒體《今日電子》與21ic舉辦的Top-10電源產(chǎn)品獎中，榮獲“最佳開發(fā)獎”。
飛兆半導體憑著FDPC8011S 25V雙功率芯片非對稱N溝道模塊 獲得這一獎項。產(chǎn)品采用3.3x3.3mm2封裝，設計用于在更小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率。Top-10電源產(chǎn)品獎的提名產(chǎn)品均按照“在技術或應用方面取得顯著進步”， “具有開創(chuàng)性的設計”， “性價比顯著提高”這三個標準評選。
FDPC8011S在一個采用全Clip封裝內(nèi)集成1.4mΩ SyncFETTM 技術和一個5.4mΩ控制MOSFET、低質(zhì)量因子的N溝道MOSFET，有助于減少同步降壓應用中的電容數(shù)量并減小電感尺寸。該器件具有源極朝下和低側(cè)MOSFET可以實現(xiàn)簡單的布局和布線，提供更緊湊的線路板布局并獲得最佳的散熱性能。FDPC8011S具有超過25A的輸出電流，與其它普通3x3mm2 雙MOSFET器件相比，輸出電流容量提高了2倍。
獲獎的FDPC8011S是飛兆半導體齊全的先進MOSFET技術產(chǎn)品系列的一部分，它能夠為電源設計人員提供了大量針對任務關鍵性高效信息處理設計的解決方案。
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