施耐德電氣全新可編程自動(dòng)化控制器選用賽普拉斯1MB串行nvSRAM

賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布施耐德電氣公司在其兩款全新可編程自動(dòng)化控制器中設(shè)計(jì)采用了賽普拉斯的非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM)。施耐德BMXCRA31210與BMXERT1604控制器均采用賽普拉斯的CY14B101Q2 1MB nvSRAM作為其時(shí)間標(biāo)記緩沖器。一旦檢測(cè)到諸如開(kāi)關(guān)閉合、電力線故障等事件，nvSRAM就會(huì)把它記錄到滾動(dòng)更新緩沖器(rolling buffer)。此類(lèi)事件在整個(gè)產(chǎn)品生命周期會(huì)無(wú)限次出現(xiàn)，因此配備具有此功能的非常可靠的組件顯得至關(guān)重要。

1MB串行nvSRAM器件可提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的SPI接口，工作頻率最高可達(dá)40MHz。nvSRAM器件不使用電池，因此它們不但環(huán)保，而且無(wú)需進(jìn)行維護(hù)——這一點(diǎn)對(duì)于生產(chǎn)工藝而言尤為重要。賽普拉斯nvSRAM具有無(wú)限次讀、寫(xiě)和取回(recall)周期，數(shù)據(jù)保留時(shí)間長(zhǎng)達(dá)20年，從而使其成為面向需要持續(xù)高速數(shù)據(jù)寫(xiě)入以及絕對(duì)非易失性數(shù)據(jù)安全的應(yīng)用的最佳解決方案。

“賽普拉斯的串行nvSRAM以小尺寸為我們的BMXCRA31210與BMXERT1604可編程自動(dòng)化控制器帶來(lái)卓越的性能與可靠性，”施耐德電氣公司工業(yè)控制業(yè)務(wù)部的工廠解決方案控制市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)Marc Lafont指出，“可靠的事件記錄功能對(duì)于自動(dòng)化應(yīng)用而言至關(guān)重要，而賽普拉斯的nvSRAM在這個(gè)方面有出色表現(xiàn)。”

“賽普拉斯nvSRAM團(tuán)隊(duì)在設(shè)計(jì)方面與我們緊密合作，而且提供了強(qiáng)有力的支持，”施耐德電氣公司工業(yè)控制業(yè)務(wù)部的硬件架構(gòu)師Jean-Jacques Adragna指出，“除了帶來(lái)我們的客戶所需要的可靠性，無(wú)需電池的串行nvSRAM也很環(huán)保，我們對(duì)此感到非常滿意。”

“我們從2010年開(kāi)始銷(xiāo)售串行nvSRAM，而且也看到了這個(gè)業(yè)務(wù)領(lǐng)域的快速增長(zhǎng)——像施耐德電氣這樣業(yè)界領(lǐng)先的工業(yè)控制解決方案供應(yīng)商所采用的這種設(shè)計(jì)就是重要實(shí)證，”賽普拉斯非易失性產(chǎn)品業(yè)務(wù)部副總裁Babak Taheri指出，“我們的小封裝串行nvSRAM具有無(wú)與倫比的耐用性，為我們的客戶提供了一個(gè)安全網(wǎng)，讓他們即使在斷電情況下也能對(duì)關(guān)鍵數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)高枕無(wú)憂。”

1MB串行nvSRAM采用8引腳與16引腳SOIC封裝。賽普拉斯的nvSRAM基于其S8™ 0.13微米SONOS(硅氧化氮氧化硅)嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)而制造，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的密度、更多的存取次數(shù)和更高的性能。nvSRAM解決方案理想適用于需要絕對(duì)非易失性數(shù)據(jù)安全的應(yīng)用，如：RAID系統(tǒng)、工業(yè)控制與自動(dòng)化(例如：PLC、電機(jī)控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器與機(jī)器人)、單板計(jì)算機(jī)、POS終端、電子計(jì)量、汽車(chē)、醫(yī)療與數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)等。