特瑞仕半導(dǎo)體株式會社(日本東京都中央?yún)^(qū) 董事總經(jīng)理:芝宮 孝司)于2017年3月6日將特瑞仕美國公司研究開發(fā)中心實施搬遷。
本次特瑞仕美國公司研究開發(fā)中心的搬遷和擴大設(shè)施,是為了伴隨開發(fā)項目的增加,擴充研究和開發(fā)中不可缺少的評估
設(shè)備、分析裝置、并力圖強化開發(fā)環(huán)境。
將本研究開發(fā)中心搬遷到去年4月在硅谷地區(qū)開設(shè)的研究開發(fā)中心、并擴大設(shè)施??偨ㄖ娣e為現(xiàn)在的研究開發(fā)中心的3倍。此外,伴隨研究開發(fā)項目的增加、還將相應(yīng)地積極增加和充實開發(fā)人員。
特瑞仕將以此為契機,向開發(fā)高附加價值模擬電源IC產(chǎn)品邁出更大的一步。
【特瑞仕美國公司研究開發(fā)中心 新開發(fā)基地概要】