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[導(dǎo)讀]由于大功率LED越來越多地應(yīng)用于普通照明,市場(chǎng)對(duì)驅(qū)動(dòng)這些LED的離線電源的需求日益增加。由于LED的V-I(電壓-電流)特性,這種電源的輸出電流必須是恒流。本文將討論以飛兆功率開關(guān)(FPS)為基礎(chǔ)的電源,通過初級(jí)端調(diào)節(jié)實(shí)

由于大功率LED越來越多地應(yīng)用于普通照明,市場(chǎng)對(duì)驅(qū)動(dòng)這些LED的離線電源的需求日益增加。由于LED的V-I(電壓-電流)特性,這種電源的輸出電流必須是恒流。本文將討論以飛兆功率開關(guān)(FPS)為基礎(chǔ)的電源,通過初級(jí)端調(diào)節(jié)實(shí)現(xiàn)次級(jí)恒流輸出。由于該電源無需運(yùn)算放大器和光耦合器來穩(wěn)定輸出電流,因而在需要安全隔離的情況下其成本效益非常好。

傳統(tǒng)的恒流輸出PSU

圖1所示為傳統(tǒng)的恒流輸出離線電源,基于反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),在輸入電壓為85~265VRMS時(shí)提供700mA的電流和5.1V的最大輸出電壓。按照其技術(shù)數(shù)據(jù),該電源應(yīng)能驅(qū)動(dòng)3W的大功率LED。這個(gè)電路簡(jiǎn)單易懂:經(jīng)過對(duì)市電進(jìn)行整流(BD1-BD4)和濾波(C2、C3和L1),后接一個(gè)帶FPS FSQ510的反激電路。

 
圖1:傳統(tǒng)的恒流輸出電源電路圖。

在具備實(shí)現(xiàn)先進(jìn)開關(guān)電源的所有功能的集成電路系列中,F(xiàn)SQ510是“最小型”的成員,而且是集成了700V Sense-FET的單芯片器件,而那些功率較大的成員都是雙芯片器件,包括一個(gè)控制器和一個(gè)單獨(dú)的VDS=650V的Sense-FET。由于這個(gè)系列中所有成員的基本功能和行為幾乎相同,因此,對(duì)采用FSQ510的電源討論可適用于整個(gè)系列。將電源接入市電,就可通過該器件的內(nèi)部啟動(dòng)電路開始工作,即由內(nèi)部高壓JFET對(duì)C8充電,使其達(dá)到典型的13V啟動(dòng)電壓。一旦達(dá)到這個(gè)電平,內(nèi)部Power-MOSFET就進(jìn)入開關(guān)工作狀態(tài),電源開始正常工作。此時(shí),JFET關(guān)斷以降低電源功耗;而FPS則由單獨(dú)的變壓器繞組供電,經(jīng)D2整流以及R7和C8濾波。

RS2和RS3與DS1和C82構(gòu)成一個(gè)箝位電路(俗稱“緩沖器”)網(wǎng)絡(luò),吸納存儲(chǔ)在變壓器漏電感中的能量。這是為了將漏極電壓限制在安全電平上。

變壓器副邊電壓經(jīng)D1整流和C4濾波,并經(jīng)L2和C5后濾波。輸出電壓經(jīng)R2、R3、R5、R6、U1和U2構(gòu)成的電路調(diào)節(jié)。U1將反饋信號(hào)耦合到初級(jí),而C6和R17則構(gòu)成頻率補(bǔ)償電路,從而形成穩(wěn)定的閉環(huán)。

本例中的實(shí)際輸出電流由并聯(lián)電阻R11、R13和R14來檢測(cè),并借助Q1和U1來調(diào)節(jié)。當(dāng)并聯(lián)電阻上的壓降超過Q1的VBE時(shí),U1的LED中將有電流流過,這會(huì)使FPS反饋引腳上的電壓降低。這樣,Power-MOSFET的占空比減小,最終使輸出電壓以至輸出電流減小。由于雙極晶體管(BJT)的VBE對(duì)溫度非常敏感,因此增加了由R10和NTC THR1構(gòu)成的補(bǔ)償電路。R8和R9的作用是關(guān)閉U2,防止電壓回路影響電流調(diào)節(jié)回路的正常運(yùn)作。

R12、R15、R16、D4和C10構(gòu)成了實(shí)現(xiàn)FPS中功率MOSFET的準(zhǔn)諧振開關(guān)功能的電路。準(zhǔn)諧振開關(guān)指對(duì)漏電壓進(jìn)行監(jiān)視,MOSFET僅在漏電壓最小時(shí)才導(dǎo)通。這里利用了這樣一個(gè)物理事實(shí),即當(dāng)存儲(chǔ)在變壓器中的能量全部轉(zhuǎn)移到次級(jí)后,就會(huì)出現(xiàn)漏極電壓振蕩。這種振蕩是由變壓器的激磁電感和MOSFET的漏極-源極電容形成的諧振電路造成的。由于開關(guān)在最小漏電壓時(shí)導(dǎo)通,開關(guān)損耗大幅降低,EMI性能得到提高。這個(gè)同步電路實(shí)際上沒直接連接到MOSFET的漏極,而是連接到波形相同但電壓幅度更低的變壓器繞組VCC。

 采用初級(jí)調(diào)節(jié)的恒流電源

在反激式轉(zhuǎn)換電路中,無需專門調(diào)節(jié)電路,就可很好地調(diào)節(jié)輸出電壓。這是因?yàn)?如忽略寄生效應(yīng))兩個(gè)輸出電壓的比率等于各自變壓器繞組匝數(shù)之比率,因此能夠調(diào)節(jié),比如繞組電壓VCC,從而在無需光耦合器的情況下獲得相當(dāng)穩(wěn)定的隔離輸出。圖2所示為采用初級(jí)穩(wěn)壓的電源,仍然不具備恒流的特點(diǎn)。

 
采用初級(jí)穩(wěn)壓的電源,具備恒定輸出電壓。 [!--empirenews.page--]

這種電源的大多數(shù)電路與采用次級(jí)調(diào)節(jié)的電源相同,但反饋回路完全不同。 

如前所述,反饋來自對(duì)FPS供電的同一個(gè)變壓器繞組。該電壓經(jīng)D3整流,加在產(chǎn)生芯片VCC的R2/C7,以及對(duì)反饋電壓進(jìn)行濾波的R4/C4上。一般來說,反饋信號(hào)也可取自C7。但由于需要相當(dāng)大的電容來支持啟動(dòng)電流消耗,最好采用具有不同時(shí)間常數(shù)的附加通道。齊納二極管D7為用作誤差放大器的Q1提供基極電流。如果VCC和輸出電壓同時(shí)增大,該晶體管的基極電流也將增大,而這會(huì)降低FPS反饋引腳上的電平,這類似于采用光耦合器反饋的電源。 

至此,電源還工作在恒壓模式,如何將其變成電流源呢?如果分析連續(xù)導(dǎo)通模式下反激開關(guān)的輸出電流與峰值MOSFET電流之間的關(guān)系,就可知道:要得到恒定的輸出電流,峰值MOSFET電流必須與輸出電壓Vout成正比,與輸入電壓Vin成反比。在非連續(xù)導(dǎo)通模式下,漏電流必定與Vout的平方根成比例,并在理論上與Vin無關(guān)。 

電源中所采用的FPS功率開關(guān)FSQ0170RNA有一個(gè)名為“ILim”的非同步輸入,這個(gè)輸入有助于構(gòu)造初級(jí)調(diào)節(jié)電流源,可以設(shè)置MOSFET的最大峰值漏電流。方法是在這個(gè)輸入引腳上接上一個(gè)電阻或從該引腳吸取一定的電流。如果電阻接在這個(gè)引腳上,峰值漏電流就不會(huì)超過某一設(shè)定值。

借助圖3可以解釋該電流源的原理。從圖中可清楚地看出,只需增加一些成本最低的無源部件,就可將這個(gè)恒壓PSR電源變成電流源。

 
采用初級(jí)調(diào)節(jié)實(shí)現(xiàn)的恒流輸出電源。

在該電路中,VCC繞組正負(fù)電壓都經(jīng)D5整流,且各自都經(jīng)一個(gè)R/C濾波電路(分別為R3/C5和R4/C4)進(jìn)行濾波。經(jīng)過C4的正極部分正比于輸出電壓,而經(jīng)過C5的負(fù)極部分與電源的輸入電壓有關(guān),相對(duì)于初級(jí)側(cè)接地為負(fù)。只要負(fù)載電流小,D7、R8、R9和Q1構(gòu)成的調(diào)節(jié)回路的工作方式與圖2中的一樣。與圖2不同的是,R8沒有連接到初級(jí)接地上,而是連接到C5的電壓負(fù)極。只要電源工作在電壓模式下,包括D7陰極的節(jié)點(diǎn)處電壓就幾乎等于Q1的基極電壓VBE,且只有很小的電流從引腳4流過R7。當(dāng)負(fù)載電流增加,初級(jí)側(cè)的峰值電流也將增加,當(dāng)達(dá)到主要由R5決定的初級(jí)側(cè)最大峰值電流時(shí),輸出電壓開始下降,這也會(huì)使D7陰極的電壓下降;而流過R7的電流將會(huì)增加,這是MOSFET峰值電流進(jìn)一步下降的結(jié)果。恰當(dāng)選擇R7,這個(gè)峰值電流就能正比于輸出電壓,而輸出電流就幾乎是恒定的。R6用于補(bǔ)償輸出電流隨輸入電壓增加而產(chǎn)生的變化。在恒流模式時(shí),Q1處于負(fù)偏置狀態(tài),因而完全關(guān)斷。在恒壓電源中,這意味著出現(xiàn)了故障,VFB引腳上的電壓將增加到6V,器件將關(guān)斷。為了防止這種情況發(fā)生,在電路上增加了R10。 

由于電流源的輸出電壓會(huì)隨負(fù)載顯著變化,因而VCC繞組的電壓也會(huì)顯著變化。因此,必須恰當(dāng)選擇繞組匝比,使芯片電源電壓高于FPS在最小輸出電壓下的欠壓鎖定電平。由于VCC電壓范圍可能較寬,必須增加齊納二極管D6,以防止芯片進(jìn)入過壓關(guān)斷狀態(tài)。


圖4:圖3所示電源的V-I特性。

圖3所示為L(zhǎng)ED鎮(zhèn)流器示意圖,能夠在歐洲市電輸入情況下輸出700mA標(biāo)稱電流來驅(qū)動(dòng)3到5個(gè)大功率LED。圖4所示為輸出特性,在極小負(fù)載電流下,電壓升得很高,這在PSR電源中很常見,在中等到較高電流范圍,電壓相當(dāng)恒定。這個(gè)問題不是LED鎮(zhèn)流器的興趣所在,更重要的是,在恒流模式下負(fù)載電流在寬泛的輸出電壓范圍保持恒定。

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