基于AT89C2051單片機的數(shù)字電容表設(shè)計
設(shè)計并制作一個數(shù)字電容表,系統(tǒng)實現(xiàn)的功能及要求如下:
(1)設(shè)計的電容表可測量容量小于2μF的電容。
(2)設(shè)計的電容表采用3位半數(shù)字顯示,最大顯示值為1 999。
(3)設(shè)計的電容表讀數(shù)單位統(tǒng)一采用nF,量程分4檔,實際電容值為讀數(shù)乘以相應(yīng)的倍率。
2 方案論證
2.1 電路方案
(1)方案一:基本電路搭建
用基本電路來實現(xiàn)數(shù)字顯示的電容表,電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜,故障系數(shù)大,不易調(diào)試,誤差也較大。
(2)方案二:單片機編程
用單片機設(shè)計電路,由于使用軟硬件結(jié)合的方式,所以電路結(jié)構(gòu)簡單、調(diào)試也相對方便。與第一種方案比較優(yōu)點是非常明顯的。
2.2 顯示方案
(1)方案一:靜態(tài)顯示
靜態(tài)顯示,顯示驅(qū)動電路具有輸出鎖存功能,單片機將所要顯示的數(shù)據(jù)送出后就不用再管,直到下一次顯示數(shù)據(jù)需要更新時再傳送一次數(shù)據(jù)。
此方案編程容易,管理簡單,顯示亮度高,顯示數(shù)據(jù)穩(wěn)定,占用很少的CPU時間。但是引線較多,線路復(fù)雜,硬件成本較高。
(2)方案二:動態(tài)顯示
動態(tài)顯示需要CPU時刻對顯示器件進行數(shù)據(jù)刷新,顯示數(shù)據(jù)會有閃爍感,占用的CPU時間多,但使用的硬件少,能節(jié)省線路板空間。
這兩種顯示方式各有利弊,靜態(tài)顯示雖然數(shù)據(jù)穩(wěn)定,占用很少的CPU時間,但每個顯示單元都需要單獨的顯示驅(qū)動電路,使用的硬件較多;動態(tài)顯示雖然有閃爍感,占用的CPU時間多,但使用的硬件少,能節(jié)省線路板空間。
2.3 系統(tǒng)框圖
根據(jù)上述分析,該系統(tǒng)以AT89C2051單片機為核心,系統(tǒng)框圖如圖1所示。
3 AT89C205l簡介
AT89C2051是Atmel公司生產(chǎn)的低電壓、高性能CMOS 8位單片機,片內(nèi)含2 KB可反復(fù)擦寫的只讀程序存儲器(EPROM)和128 B的隨機數(shù)據(jù)存儲器。器件采用AtmeI公司的高密度、非易失性存儲技術(shù)生產(chǎn),兼容標準MCS51指令系統(tǒng),片內(nèi)置通用8位中央處理器和FLASH存儲單元。AT89C2051作為AT89C51的簡化版雖然去掉了P0,P2等端口,使I/O口減少了,但是卻增加了一個電壓比較器,因此其功能在某些方面反而有所增強。引腳圖如圖2所示。
4 電路工作原理
該數(shù)字電容表以電容器的充電規(guī)律作為測量依據(jù),測試原理見圖3。電源電壓E+經(jīng)電阻R給被測電容CX充電,CX兩端原電壓隨充電時間的增加而上升。當充電時間t等于RC時間常數(shù)τ時,CX兩端電壓約為電源電壓的63.2%,即0.632E+。數(shù)字電容表就是以該電壓作為測試基準電壓,測量電容器充電達到該電壓的時間,便能知道電容器的容量。例如,設(shè)電阻R的阻值為1 kΩ,CX兩端電壓上升到0.632E+所需的時間為1 ms,那么由公式τ=RC可知CX的容量為1微法。具體測量電路如圖4所示。
圖4中,A為AT89C2051內(nèi)部構(gòu)造的電壓比較器,AT89C2051的P1.0和P1.1口除了作為I/O口外,還有一個功能是作為電壓比較器的輸入端,P1.0為同相輸入端,P1.1為反相輸入端,電壓比較器的比較結(jié)果存入P3.6口對應(yīng)的寄存器。電壓比較器的基準電壓設(shè)定為0.632E+,在CX兩端電壓從0升到0.632E+的過程中,P3.6口輸出為0,當電池電壓CX兩端電壓一旦超過0.632E+時,P3.6口輸出變?yōu)?。以P3.6口的輸出電平為依據(jù),用AT89C2051內(nèi)部的定時器T0對充電時間進行計數(shù),再將計數(shù)結(jié)果顯示出來即得出測量結(jié)果。
整機電路見圖5。電路由單片機電路、電容充電測量電路和數(shù)碼顯示電路等部分組成。
AT89C2051內(nèi)部的電壓比較器和電阻R2~R7等組成測量電路。其中R2~R5為量程電阻,由波段開關(guān)S1選擇使用,電壓比較器的基準電壓由5 V電源電壓經(jīng)R6,RP1,R7分壓后得到,調(diào)節(jié)RP1可調(diào)整基準電壓。當P1.2口在程序的控制下輸出高電平時,電容Cx即開始充電。量程電阻R2~R5每檔以10倍遞減,故每檔顯示讀數(shù)以10倍遞增。由于單片機內(nèi)部P1.2口的上拉電阻經(jīng)實測約為200 kΩ,其輸出電平不能作為充電電壓用,故用R5兼作其上拉電阻,由于其他三個充電電阻和R5是串聯(lián)關(guān)系,因此R2,R3,R4應(yīng)由標準值減去1 kΩ,分別為999 kΩ,99 kΩ,9 kΩ。由于999 kΩ和1 MΩ相對誤差較小,所以R2還是取1 MΩ。
數(shù)碼管DS1~DS4、電阻R8~R14等組成數(shù)碼顯示電路。本機采用動態(tài)掃描顯示的方式,用軟件對字形碼譯碼。P3.0~P3.5,P3.7口作數(shù)碼顯示七段筆劃字形碼的輸出,P1.3~P1.6口作四個數(shù)碼管的動態(tài)掃描位驅(qū)動碼輸出。在此采用了共陰數(shù)碼管,由于AT89C2051的P1.3~P1.6口有25 mA的下拉電流能力,所以不用三極管就能驅(qū)動數(shù)碼管。R8~R14為P3.0~P3.5,P3.7口的上拉電阻,用以驅(qū)動數(shù)碼管的各字段,當P3的某一端口輸出低電平時其對應(yīng)的字段筆劃不點亮,而當其輸出高電平時,則對應(yīng)的上拉電阻即能點亮相應(yīng)的字段筆劃。
[!--empirenews.page--]5 軟件設(shè)計
程序用C語言編寫。軟件部分由主程序、定時中斷服務(wù)子程序等模塊組成。定時器T0作被測電容器充電時間的計數(shù)用。定時器T1用于定時中斷服務(wù),定時時間為5 ins,即5 ms產(chǎn)生一次中斷。數(shù)組BitTab[4]用來存儲位驅(qū)動碼,DispTab[11]用來存儲字形碼,數(shù)組DispBtlf[4]的4個元素分別用來存儲從定時器T0讀出的數(shù)據(jù)的個、十百千位的4位數(shù)字。程序顯示每一位數(shù)碼的時間為5 ms,因此顯示完整的4位數(shù)的周期為20 ms(4次中斷)。每過240 ms(48次中斷)刷新一下數(shù)據(jù),即每過240 ms測一次電容量,測量時間小于2 ms,由于這一時間小于中斷的時間5 ms,因此在測量過程中不會出現(xiàn)中斷現(xiàn)象。測量電容時P1.2口輸出高電平,電容開始充電,與此同時定時器T0開始計數(shù),當電容器充電達到基準電壓時,P3.6口輸出高電平,據(jù)此程序做出判斷停止T0的計數(shù),并讀出數(shù)據(jù)送數(shù)碼管顯示。如果被測電容器的容量超出測試檔的量程,則計數(shù)值大于或等于2 000,顯示結(jié)果為千位數(shù)顯示1,其他三位數(shù)不顯示。經(jīng)仿真和電路測試,發(fā)現(xiàn)單片機判斷P3.6口是否輸出高電平要花3個機器周期,這會使顯示值增加3,因此在程序中對此誤差進行了修正,對計數(shù)值減去了3。字形碼的輸出用了P3口的P3.0~P3.5,P3.7,P3.6為空,P3口輸出的數(shù)據(jù)通過數(shù)組DispTab獲得。數(shù)據(jù)位和字形的對應(yīng)關(guān)系如表1所示。
6 安裝與調(diào)試
該設(shè)計用AT89C2051單片機集成電路,X1用12 MHz的石英晶體,S1選用1×4的波段開關(guān),DS1~DS4選用共陰LED數(shù)碼管。安裝前先將C語言源程序用KEIL 51編譯成目標文件即HEX文件,再用編程器將HEX文件寫入AT89C2051芯片。調(diào)試工作主要是通過對RP1的調(diào)節(jié)來調(diào)整基準電壓,最好是通過對一個精度比較高的的電容器的測量來進行調(diào)節(jié),而不是直接測量基準電壓。具體方法是,選一個經(jīng)確認容量比較準確的電容器,如15 nF的電容器,將S1置于20 nF檔上,調(diào)節(jié)RP1是測量顯示值為1 500。選擇的電容器容量至少要大于相應(yīng)量程的50%,最好是接近滿量程,才能調(diào)得比較準確。該檔調(diào)試好后其他各檔也就調(diào)試好了。如果發(fā)現(xiàn)某檔精度有問題,可改變其相應(yīng)充電電阻的阻值來進行調(diào)整。在使用過程中,當S1置于2 nF檔時,在沒有接人測試電容器時,有10 pF左右的顯示值是正常的,因為這是電壓比較器的輸入電容和電路的分布電容。
只要在測量讀數(shù)時間去掉這一數(shù)值即可。因此在調(diào)試時不要選擇該檔,以免因分布電容影響調(diào)試得準確性。
C文件源程序如下: