本文將介紹如何使用Power IIntegrations的LinkSwitch-XT產(chǎn)品系列來設(shè)計防篡改電表，并可在滿載的情況下實現(xiàn)高效率。
圖1所示的電路設(shè)計利用LNK363DN生成5V、150mA的隔離輸出。這里所設(shè)計的變壓器具有足夠的電感量，能使電源提供所需的功率。變壓器使用壓粉鐵芯，增強了抗外部磁場的干擾能力，即使有人利用較強的外部磁場使磁芯達(dá)到飽和以企圖篡改電能表時，電源也不會受其影響。
D1到D4的二極管用于對AC輸入進行整流。電容C1和C2對整流的DC進行濾波。電感L1、C1和C2組成一個π型濾波器，對差模傳導(dǎo)EMI進行衰減。通過開/關(guān)控制，U1可跳過開關(guān)周期，并可根據(jù)饋入到其FB引腳的電流對輸出電壓進行調(diào)節(jié)。當(dāng)流入此引腳的電流超過49mA時，將產(chǎn)生一個低邏輯電平(禁止)。在每個周期開始時，都會對FB引腳狀態(tài)進行采樣；如果為高電平，功率MOSFET會在那個周期導(dǎo)通(啟用)，否則功率MOSFET將仍處于關(guān)閉狀態(tài)(禁止)。
穩(wěn)壓二極管參考VR1(3.9V)及U2(1.1V)LED上的電壓總和決定了輸出電壓。電阻R3為VR1提供偏置恒流，以使VR1在測試電流下工作。
篡改開關(guān)電源電能表的一個常用方法，就是用強外部磁場進行干擾。該磁場會耦合到變壓器的磁芯并使磁芯達(dá)到飽和。如果換作其它解決方案，在出現(xiàn)上述情況時，MOSFET將會因為過流而出現(xiàn)破壞性故障。而采用Power Integrations的器件后，快速限流元件將對內(nèi)部MOSFET提供保護，但輸出端電壓將失去穩(wěn)定，從而使電能表停止工作。圍繞這一難題，一些解決方案應(yīng)運而生?？招淖儔浩鞅闶瞧渲械囊粋€解決方案，它永遠(yuǎn)不會飽和，但卻需要大量的繞線圈數(shù)。結(jié)果帶來高銅芯損耗和漏感，這樣會極大地降低效率(約為20%)。如果變壓器的外殼采用可防止磁芯產(chǎn)生磁通和飽和的磁屏蔽材料，則可使用標(biāo)準(zhǔn)的鐵氧體變壓器。這無疑增加了成本和復(fù)雜程度，因為每種新設(shè)計都需要自定義各自的屏蔽性。
本設(shè)計通過使用帶有分布?xì)庀兜母叽抛鑹悍坭F芯材料代替鐵粉芯來解決上述問題。這種磁芯具有較低的相對磁導(dǎo)率(m，介于10~35之間)。與鐵氧體(磁通密度4000高斯，0.4T)相比，壓粉鐵芯具有更高的飽和磁通密度(15000高斯，1.5T)，飽和特性更弱。
使用強電磁體和稀土永磁對磁化率進行了檢測。將磁鐵的一端直接放于磁芯的頂端，未發(fā)現(xiàn)磁芯飽和。
設(shè)計要點
● 使用PI Xls設(shè)計變壓器。要設(shè)計飽和的變壓器，需要輸入60%的變壓器公差。在飽和或接近飽和時，初級側(cè)電感壓降以及高公差數(shù)字可確保有足夠的電感值維持功率輸出。
● 由于磁芯的磁阻較高，因此繞線圈數(shù)較多。但這也有一定的好處，即工作磁通密度非常低(400高斯)，使得磁芯飽和有非常高的裕量。
● 確保在飽和狀態(tài)下，滿載峰值漏極電流和最大輸入電壓低于數(shù)據(jù)手冊中規(guī)定的最大電流。
● 要降低磁芯損耗，應(yīng)將可工作的AC磁通擺幅限制在300高斯或更少。這意味著峰值磁通密度應(yīng)保持在600高斯以下。
設(shè)計總結(jié)
使用此電路設(shè)計的電表電源成本低、使用的元件數(shù)量少。它采用壓粉鐵芯材料，增強了防篡改保護功能。此設(shè)計的工作磁通密度較低(400高斯)，降低了磁芯損耗(<40mW)。無需大容量輸出電容或第二個較高的輸出電壓，并可滿足符合EN55022B傳導(dǎo)EMI限制，EMI裕量>6dBmV。在滿載時電源的效率達(dá)到58%。
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